Fターム[4G146BA14]の内容
炭素・炭素化合物 (72,636) | 製造−炭素原料、炭素前駆体 (7,083) | 有機化合物(ハロゲン化炭化水素等) (2,653) | 合成高分子 (821) | C、H、O以外の元素含有 (337)
Fターム[4G146BA14]の下位に属するFターム
N含有(ポリイミド、ポリアミド等) (263)
ハロゲン含有(ポリ塩化ビニル等) (33)
Fターム[4G146BA14]に分類される特許
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超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜
【課題】実際の電気、電子デバイスへの適用のための超電導性を示すダイヤモンド薄膜を提供する。
【解決手段】化学気相成長法により形成された超電導性を有するホウ素ドープダイヤモンド薄膜。このホウ素ドープダイヤモンド薄膜は、磁化−磁場曲線より典型的な第二種超電導体の性質を示した。
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