【課題】 本発明が解決しようとする課題は再結晶操作による高い比抵抗値を有する液晶化合物の、簡便な製造方法を提供することであり、この製造方法により得られた液晶化合物を使用した液晶組成物及び液晶表示素子を提供することである。
【解決手段】
一般式（１）
【化１】


で表される化合物を、リチウムイオン、ナトリウムイオン、アンモニウムイオン、カリウムイオン、マグネシウムイオン及びカルシウムイオンの濃度の総和が０．０５ｐｐｂ以下である炭化水素系溶媒から選択される単一又は混合溶媒を用いて再結晶した後に、再結晶に使用した溶媒を留去する。 （もっと読む）

エナンチオマー過剰のα−アミノニトリルをルイス酸触媒と接触させることを特徴とするエナンチオマー過剰のα−アミノニトリルのラセミ化方法。好ましくは、非プロトン性溶媒が使用される。このルイス酸触媒は、好ましくは、周期表（ＣＡＳ版）のＩＡ族〜ＩＶＡ族の典型金属元素、遷移金属元素、およびランタニド元素から選択される金属、特にＡｌ、Ｔｉ、Ｚｒ、またはランタニド元素を含む。この触媒は、例えば一般構造Ｍ_ｎＸ_ｐＳ_ｑＬ_ｒを有し、好ましくは、アルミニウムアルコキシド、アルキルアルミニウム、ランタニドアルコキシド、およびランタノセン（ｌａｎｔｈａｎｏｃｅｎｅ）の群より選択される。このラセミ化は、例えば酵素または結晶化に誘導される分割プロセスなどの分割プロセスと組み合わせて行われることができ、好ましくはインサイチューで、例えば結晶化誘導不斉変換プロセスなどにおいてインサイチューで行われることができる。 （もっと読む）