本発明は、エネルギー変換および太陽電池のためのデバイスおよびシステムが挙げられる、光起電性用途のための薄膜材料およびバンドギャップ材料を備える半導体およびオプトエレクトロニクの材料およびデバイスを調製するために使用される、ある種類の化合物、ポリマー化合物、および組成物に関する。具体的には、本発明は、光起電性層を調製するためのポリマー前駆体化合物および前駆物質に関する。前駆体化合物は、反復単位{M^A(ER)(ER)}および{M^B(ER)(ER)}を含み得、ここで各M^AはCuであり、各M^Bは、InまたはGaであり、各Eは、S、Se、またはTeであり、そして各Rは、各存在について独立して、アルキル、アリール、ヘテロアリール、アルケニル、アミド、シリル、ならびに無機配位子および有機配位子から選択される。
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【課題】 高い屈折率と高いアッベ数および両者の良好なバランスを有する光学材料を得ることができる光学材料用組成物を提供すること。
【解決手段】 下記（１）式で表される環状骨格構造を有する化合物を含む光学材料用組成物。
【化１】


（式中、ＸはＳ、ＳｅまたはＴｅを表す。ａ〜ｆは０〜３、８≧ａ＋ｃ＋ｅ≧１、８≧ｂ＋ｄ＋ｆ≧２である。） （もっと読む）

陰極と陽極との間に有機層を少なくとも１層有する有機エレクトロルミネッセンス素子であって、前記有機層の少なくとも１層に下記一般式（１）で表される繰り返し単位を少なくとも一つ含む重合体を含有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子。一般式（１）〔式中、Ａｒ１は置換基を有していてもよいアリーレン基又はヘテロアリーレン基を表し、ｎ１は２以上の整数を表し、Ｌ１は２価の連結基を表す。〕
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【課題】微粒子と有機半導体分子との結合によって構成される導電路を、一層簡素に、短時間にて形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】所謂ボトムゲート／ボトムコンタクト型の電界効果型トランジスタの製造方法、基体１１上にゲート電極１２を形成した後、基体１１及びゲート電極１２上にゲート絶縁層１３を形成し、次いで、ゲート絶縁層１３上にソース／ドレイン電極１４を形成した後、ソース／ドレイン電極１４間に、導電路２３から成るチャネル形成領域１５を形成する工程から成り、このチャネル形成領域１５を形成する工程は、導体又は半導体から成る微粒子を含む溶液と有機半導体分子とを混合することによって、微粒子と有機半導体分子とが結合（反応）して成るクラスター２０を得た後、該クラスター２０をソース／ドレイン電極１４の間のゲート絶縁層１３の部分に配置する工程から成る。 （もっと読む）