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Fターム[4J034SA08]の内容

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Fターム[4J034SA08]に分類される特許

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【課題】従来のものに比べ、封止対象である光半導体素子が発光素子である場合には、その輝度を、受光素子である場合には、その受光感度を、それぞれ高く維持し得、しかも、光半導体素子を簡便に封止することができ、経済性にも優れた光半導体素子封止用樹脂、並びに該樹脂を用いて光半導体素子を封止してなる、優れた性能を有する光半導体装置及び該装置の高効率な製造方法を提供すること。
【解決手段】以下の一般式(1):
【化1】


(式中、Rはジイソシアネート残基(ただし、n個のRのうち少なくとも1つは以下の構造式(2):
【化2】


で表される骨格を有するジイソシアネート残基である)を、R1はモノイソシアネート残基を表し、nは1〜100の整数である)
で表されるポリカルボジイミドからなる光半導体素子封止用樹脂。 (もっと読む)


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