【課題】本発明は、高エネルギー線、Ｘ線、電子線あるいはＥＵＶ光を使用する半導体素子の微細加工における性能向上技術の課題を解決することであり、高感度、高解像性、良好なラインウィズスラフネス、プロセスマージンを同時に満足するレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。
【解決手段】架橋反応によりネガ化する、ネガ型化学増幅レジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、該膜を露光する工程、露光後に有機溶剤を含む現像液を用いて現像する工程をこの順で有するレジストパターンの形成方法において、現像液が有機溶剤として、露光前のレジスト膜に対して良溶媒となる溶剤（Ｓ−１）及び露光前のレジスト膜に対して貧溶媒となる溶剤（Ｓ−２）を含有し、沸点について、溶剤（Ｓ−２）＞（Ｓ−１）の関係を満足することを特徴とするレジストパターン形成方法及びそれに用いる現像液を提供する。 （もっと読む）

【課題】低ラインエッジラフネス（ＬＥＲ）なレジストパターンを形成可能な感光性化合物、該感光性化合物を含む感光性組成物及びレジストパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される構造単位。
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【課題】 原紙に含浸法、コーティング法、スプレー法等の加工方法により付着後に乾燥させ用いる樹脂エマルジョンあり、加工時のサイズプレス性や、加工紙に強度と耐熱黄変性等の優れた特性を付与できる新規な紙加工用樹脂エマルジョンの製造方法を提供する。
【解決手段】 乳化剤（Ａ）の存在下で、メチルアクリレート及び／又はエチルアクリレート（Ｂ）と、スルホン酸基及び／又はスルホン酸塩基を有するエチレン性不飽和単量体（Ｃ）を必須成分として含有するエチレン性不飽和単量体類を乳化重合する。 （もっと読む）

【課題】 ＥＵＶ光による露光下で、充分良好なコントラストを有し、さらに露光時のアウトガスの問題がなく、ＰＥＢ温度依存性が低減された優れたポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】特定構造の繰り返し単位を含有する、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂、及び特定構造のＥＵＶ光の作用により酸を発生するスルホニウム塩化合物を含有するポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法。 （もっと読む）