【課題】ショットキー接合部の面積の減少を防ぐことができるとともに、簡便なプロセスで低コストの半導体装置を得る。
【解決手段】炭化珪素基板２上に、ｎ型不純物を比較的低濃度に含んだドリフト層である半導体層１を備え、当該半導体層１の主面には、複数の溝状の凹部ＴＲが設けられ、当該溝状の凹部ＴＲの側面内には、ｐ型不純物を含んだ半導体領域３ａが形成されている。また、溝状の凹部ＴＲが配設された領域の周囲には、ｐ型不純物を含んだ導体領域４が配設されている。 （もっと読む）

【課題】高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。
【解決手段】１〜６μｍの厚さを有するｎ＋型ドープしたＧａＮダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が５００Ｖを超え、電流容量が１アンペアを超え、かつ順方向電圧が３Ｖ未満である素子を得るように最適化される。 （もっと読む）