【課題】基板抵抗にかかわらずシリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および面内分布を高精度に評価するための手段を提供すること。
【解決手段】評価対象シリコンウェーハに対して該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第一の面内分布情報を取得すること、上記第一の面内分布情報取得後の評価対象シリコンウェーハに対して熱酸化処理を施した後、該シリコンウェーハ表面においてフォトルミネッセンス強度の面内分布を示す第二の面内分布情報を取得すること、第一の面内分布情報と、第二の面内分布情報に１未満の補正係数による補正を加えて得られた第三の面内分布情報との差分情報を得ること、および、得られた差分情報に基づき、評価対象シリコンウェーハにおける酸素析出物の有無および酸素析出物の面内分布からなる群から選ばれる評価項目の評価を行うこと、を含むシリコンウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度の分析方法における定量分析限界を、高い信頼性をもって決定するための手段を提供する。
【解決手段】表面光電圧測定装置により求められる光照射前後の少数キャリア拡散長の変化に基づきボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を定量する分析方法の定量分析限界決定する。前記分析方法によりＦｅ−Ｂペアを実質的に含まないブランクウェーハの鉄濃度を求め、求められた鉄濃度から定量分析限界値を決定することを、少数キャリア拡散長の水準の異なる２つ以上のブランクウェーハに対して行い、上記２つ以上のブランクウェーハにおいて決定された定量分析限界値と少数キャリア拡散長の水準に基づき、定量分析限界値と少数キャリア拡散長との相関関係式を求めるか、または相関関係をグラフ化すること、前記相関関係式またはグラフを用いて少数キャリア拡散長に依存する定量分析限界を決定する。 （もっと読む）

【課題】低酸素のシリコン単結晶に含まれるＰｖ領域とＰｉ領域の境界を判定する。
【解決手段】チョクラルスキー法によって育成されたシリコン単結晶インゴットから切り出されたシリコンウェーハに対し、少なくとも５００℃〜９００℃までの温度範囲を２℃／ｍｉｎ以下のレートで昇温させるランピング昇温熱処理を施した後、酸素析出物を成長させる酸素析出物成長熱処理を行い、これによって顕在化された酸素析出物の分布によって、シリコンウェーハの結晶欠陥分布を判定する。本発明によれば、低酸素のシリコン単結晶であっても、Ｐｖ領域における酸素析出が十分となることから、Ｐｖ領域とＰｉ領域の境界判別を容易に行うことが可能となる。したがって、ＯＳＦ領域を指標とすることなく、Ｐｖ領域かＰｉ領域しか含まないシリコン単結晶を育成することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板の不純物分析をするために、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を短時間で取得し、ＢＭＤ密度分布を高精度に評価することができる半導体ウェーハの評価方法及び半導体ウェーハの評価装置を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ中のＢＭＤ密度を評価する方法であって、半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を測定し、その後、半導体ウェーハ面内の複数箇所のＢＭＤ密度を測定し、半導体ウェーハの同じ位置における強励起顕微ＰＬ値と測定したＢＭＤ密度との関係式を求めて、求めた関係式から半導体ウェーハ全面の強励起顕微ＰＬ値を用いて、半導体ウェーハ全面のＢＭＤ密度を数値化してＢＭＤ密度分布を評価することを特徴とする半導体ウェーハの評価方法。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの外周部に対する高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる半導体ウェーハの品質測定方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハの面取り部を遮光カバーにより被い、この状態で半導体ウェーハの表面のフーリエ変換分光分析を行うので、ウェーハ外周部に照射された光は、面取り部に入射されない。その結果、ウェーハ内部での測定光の減光や検出器への測定光の迷光入射が発生せず、面取り部を除く半導体ウェーハの外周部に対して、高精度なフーリエ変換分光分析を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの結晶評価を行なうのに適した技術に関し、半導体ウェーハの製造を簡素化して、製造時間の短縮や製造コストの削減を促進することができるようにし、さらには、評価にかかる時間及びコストを低減することができるようにする。
【解決手段】単結晶インゴットの結晶欠陥を評価するための評価用ウェーハを製造する、半導体ウェーハの製造方法において、単結晶インゴットからウェーハをスライスするスライス工程（Ｓ１０）と、スライス工程（Ｓ１０）でスライスされたウェーハを回転させ、回転状態のウェーハの表面にエッチング液を噴射してウェーハの表面をエッチングする枚葉エッチング工程（Ｓ２０）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板中の結晶欠陥量を正確に測定すること。
【解決手段】 本発明では、以下の各工程が順に実施される。（１）結晶欠陥が形成されているシリコン基板１０を用意する工程（Ｓ２）。（２）シリコン基板１０に形成されている自然酸化膜１４を除去する工程（Ｓ４）。（３）シリコン基板１０を水素ガス雰囲気中に配置する工程（Ｓ６）。（４）シリコン基板１０の表面１２ａをアンモニア過水で洗浄する工程（Ｓ８）。（５）シリコン基板１０に含まれる水素量を測定して結晶欠陥量を算出する工程（Ｓ１０）。 （もっと読む）

【課題】膜の水素透過率等を直接的に測定し得る手法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る評価方法は、互いに積層された複数の膜からなる試料について、水素共鳴核反応で発生するガンマ線の強度のイオンドーズに対する依存性のデータを取得するステップと、上記イオンドーズの関数式で上記データをフィッティングするステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置等の製造において発生する水素が、当該半導体装置等に与える影響、例えばＦＲＡＭの製造においてキャパシタ膜である強誘電体膜に及ぼされる、当該強誘電体膜の弱点である水素による様々な影響を、分析用試料を用いて定量的に正確に把握することを可能とする。
【解決手段】シリコンウェーハ１１上に、水素を吸蔵する性質を有するＴｉ膜１２と、水素を含む雰囲気で成膜されるＨＤＰ−ＳＩＯ膜１３とを順次積層形成し、分析用試料１０を作製する。この分析用試料１０を用いて、ＴＤＳ分析を行い、その結果をＰＺＴ膜への水素によるダメージの定量的評価として供する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン結晶中の不純物窒素濃度を高精度に測定することが可能な窒素濃度測定方法を提供する。
【解決手段】 ＮＮＯ_２複合体に対応する吸収ピークが消滅する条件で、シリコン結晶を準熱平衡状態に至るまで加熱する（第１の工程）。シリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを測定し、吸収スペクトルから、ＮＮペアに対応する第１の吸収ピークの強度及びＮＮＯ複合体に対応する第２の吸収ピークの強度を求める。第１の工程の加熱温度より高い温度で加熟し、シリコン結晶を準熱平衡状態に至らしめる（第２の工程）。シリコン結晶の赤外線吸収スペクトルを測定し、吸収スペクトルから、ＮＮペアに対応する第３の吸収ピークの強度及びＮＮＯ複合体に対応する第４の吸収ピークの強度を求める。第１乃至第４の吸収ピークの強度に基づき、ＮＮペア及びＮＮＯ複合体の密度を算出する。ＮＮペア及びＮＮＯ複合体の密度に基づき、シリコン結晶中の窒素濃度を求める。 （もっと読む）

【課題】 本発明はシリコン半導体基板の水素イオン注入量の測定に関し、通常ファラデーカップを用いるイオン注入量のモニター方法は、照射されるイオン全てが電荷を有していることが前提であり、イオン照射工程中の異常（例えば真空度の低下，異常放電等）により、電荷を有しない電気的に中性な元素の状態で照射された場合はファラデーカップ法では測定できず、モニターした以上の元素が半導体基板中に注入されてしまう。
【解決手段】 ＦＴ−ＩＲ装置を利用し、半導体基板に水素イオンが注入される前のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求める（水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形）。次に水素イオンが注入された後のＩＲ波形からＦＺ結晶半導体基板のＩＲ波形を差スペクトル法により求め、前記で求めた水素イオン注入前のＦＺ結晶補正ＩＲ波形との差を求めることで半導体基板に注入された水素イオン量を正確に測定できる。 （もっと読む）