【課題】温度検出装置が半導体処理装置内で、または半導体処理装置間を移動して用いられる場合、温度検出装置から引き出される配線ケーブルの取り回しが常に問題となる。その上、その移動できる範囲はおよそ配線ケーブルの長さに制限される。
【解決手段】半導体基板を保持する半導体基板ホルダであって、半導体基板を保持するに替えて、温度センサを内蔵する温度検出装置を保持したときに、温度検出装置の接触端子に対応する位置に設けられた接続端子を備える。 （もっと読む）

【課題】通常の半導体ウェハと同様に自動搬送装置により搬送することができて、半導体ウェハ処理時における温度を容易に且つ精密に測定できる半導体製造装置用温度測定具、その温度測定具を用いた半導体製造装置の温度測定方法、及びその温度測定具を用いて温度を測定する半導体製造装置を提供する。
【解決手段】温度測定具１０は、シリコンウェハからなる基板１１と、成膜法、フォトリソグラフィ法及びエッチング法を使用して形成された熱電対１２と、基板１１の縁部に配置されて熱電対１２と接続されたクランプパッド（電極パッド）１３とにより構成されている。半導体製造装置は、そのクランパーピン（固定具）をクランプパッド１３に接触させて温度測定具１０をウェハ搭載部に固定する。熱電対１２の出力は、クランパーピンを介して外部に引き出される。 （もっと読む）

【課題】 ウェハ面内の半導体素子の電気特性バラツキを低減する。
【解決手段】 半導体装置の製造工程において、半導体基板上にゲート電極を形成した後、ゲート電極の寸法をウェハ面内で測定する。得られた測定データはプロセス制御システムに送られ、半導体素子のゲート長―電気特性依存性データと比較され、半導体素子の電気特性（例えば、Ｖｔｈ，Ｉｄｓ）のウェハ面内分布が予測される。次に、予測された電気特性データと設計値の差分を算出し、その差分を温度―電気特性依存性データと比較して電気特性値から温度へ変換する。次に、得られたウェハ面内温度分布データと熱処理装置の設備管理データから得られるウェハ面内温度分布データから前記電気特性の面内バラツキを最小化するウェハ面内温度分布を決定する。最後に、前記ウェハ面内温度分布となるように熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 試料プレート８の温度を急激に低下させることができる温度制御装置１を提供することである。
【解決手段】 加熱器１６を備えたヒートプレート６に試料載置部８を設け、前記試料載置部８を加熱することができる温度制御装置１において、前記試料載置部８を冷却するコールドプレート９を備え、前記コールドプレート９と、前記ヒートプレート６との間の熱交換のレベルを切換えることができる切換手段３０を備えた。 （もっと読む）