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Fターム[4M112AA04]の内容

圧力センサ (26,807) | 素子の機能 (2,153) | 他に分類されない多軸センサ (2)

Fターム[4M112AA04]に分類される特許

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【課題】静電容量を含むMEMSセンサーにおいて、可動電極部の面積と可動錘部の質量の設計に関して、さらに好ましくはバネ特性の設計に関して、MEMSセンサーの設計の自由度を向上させること。
【解決手段】基板上に形成される多層の積層構造体を加工して製造されるMEMSセンサーは、基板に形成された固定枠部110と、弾性変形部130を介して固定枠部に連結され、周囲に空洞部が形成された可動錘部120と、固定枠部より空洞部に向けて突出形成された固定電極部150と、可動錘部と一体的に移動し、固定電極部と対向する可動電極部140と、を有し、可動錘部120は、多層の積層構造体により形成される第1可動錘部120Aと、第1可動錘部の下方に位置し、前記基板の材料にて形成される第2可動錘部120Bと、を含む。 (もっと読む)


【課題】特定方向のひずみ成分を精度良く測定することができる力学量測定装置を提供する。
【解決手段】半導体単結晶基板,半導体チップ内に少なくとも二組以上のブリッジ回路を形成し、前記ブリッジ回路のうち、ひとつのブリッジ回路が、電流を流して抵抗値の変動を測定する方向(長手方向)が該半導体単結晶基板の<100>方向と平行であるn型拡散抵抗を形成し、もう一つのブリッジ回路は<110>方向と平行であるp型拡散抵抗を組み合わせて形成する。 (もっと読む)


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