【課題】オフセットの発生を抑制しつつ、Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸方向の加速度感度を調整できる、特性の良い３軸加速度センサを提供する。
【解決手段】Ｘ軸方向、Ｙ軸方向及びＺ軸方向の加速度検出用ピエゾ抵抗素子ｘ１〜ｘ４，ｙ１〜ｙ４，ｚ１〜ｚ４は、梁１４ａ，１４ｂ，１４ｃ，１４ｄの長手方向に亘って形成されている。これに加えて、感度調整用ピエゾ抵抗素子２１〜２４が、梁１４ａ，１４ｃの長手方向に略直交する方向に亘って形成されており、感度調整用ピエゾ抵抗素子２１〜２４は、加速度検出用ピエゾ素子ｘ１〜ｘ４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 最終的なパッケージ封止後であってもピエゾ抵抗素子のブリッジ回路の温度補償を容易に行うことができ高感度のセンサ機能を安定して発現するセンサを提供する。
【解決手段】 センサを、枠部と、この枠部から内側方向に突出する複数の梁部と、梁により支持される錘部と、梁部に配設されたピエゾ抵抗素子と、ピエゾ抵抗素子により構成されたブリッジ回路を有する検出部とを備えたものとし、ピエゾ抵抗素子を直交するＸ軸、Ｙ軸、Ｚ軸の各軸方向の物理量を検出するように少なくとも４個づつ配設し、ブリッジ回路の４辺の少なくとも１つの辺にはピエゾ抵抗素子と直列に温度補償回路を接続し、この温度補償回路を、ピエゾ抵抗素子と直列に接続された少なくとも１個の温度補償用抵抗と、各温度補償用抵抗と並列に接続された調整用配線と、各調整用配線に接続された複数の調整用パッドからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】電気ノイズや温度などの外乱の影響を抑制でき且つ高精度化が可能なセンサ装置を提供する。
【解決手段】センサチップ１の出力信号を信号処理する回路部Ｄｃが、第１のパッケージ用基板２におけるセンサチップ１との対向面側に形成されるとともに、第１のパッケージ用基板２に、センサチップ１および回路部Ｄｃと電気的に接続される貫通孔配線２４が形成されてなり、センサチップ１と第１のパッケージ用基板２とは、互いの対向面それぞれに形成されたパッド１９，２９の一方のパッド２９の表面に形成したバンプ９と他方のパッド１９とが常温バンプ接合により接合されている。回路部Ｄｃは、温度検出部、温度補償回路を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】加速度センサにおいて，簡易の構成で，精度よく加速度検出素子の温度に対応するように出力に対して温度補償を可能とする。
【解決手段】半導体基板に一体に形成された錘部と，前記錘部を囲う支持辺と，一方端が前記錘部に結合し，他方端が前記支持辺に結合した可撓部と，前記可撓部の前記錘部と支持辺との結合部にピエゾ抵抗効果を有する加速度検出素子を有して構成される加速度センサであって，ＰＮ接合の順方向バイアス電圧の温度依存性を利用した少なくとも1個の半導体温度センサが，前記半導体基板に形成され，前記半導体温度センサにより求められる温度情報により前記加速度検出素子の出力に対し温度補償を行うように構成される。 （もっと読む）

【課題】歪み抵抗素子と同等の熱影響を受け、応力の影響を受けず、かつ歪み抵抗素子と同等の伝熱量特性を有する箇所に温度補償用抵抗素子を設け、精度の高い温度補償を行って高精度の応力検出を行える力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４Ｂを有する作用部４、この作用部を支持する支持部３、および作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1，Ｓxa2，Ｓxb1，Ｓxb2，Ｓya1，Ｓya2，Ｓyb1，Ｓyb2と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１を備える。上記構成で、変形発生部での歪み抵抗素子の配置箇所周辺構造と、非変形領域部での温度補償用抵抗素子の配置箇所周辺構造とが同じである。 （もっと読む）

【課題】ガラス部材を介して力覚センサ用チップと減衰装置とを接合する際のガラス部材の位置合わせを容易にし、かつ、陽極接合する場合の接合強度の低下を防止する。
【解決手段】作用部２１と、歪み抵抗素子が配設された連結部２３と、作用部２１と連結部２３とを支持する支持部２２と、を有する力覚センサ用チップ２と、外力が入力される入力部３０と、力覚センサ用チップ２を固定する固定部３２と、作用部２１に外力を減衰して伝達する伝達部３１と、を有する減衰装置３と、を備え、作用部２１と伝達部３１との間には第１のガラス部材１１が介在され、支持部２２と固定部３２との間には第２のガラス部材１２が介在されて、力覚センサ用チップ２と減衰装置３とが接合された力覚センサ１であって、第１のガラス部材１１と第２のガラス部材１２とを一体として結合するガラスビーム１３が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ガラス層を介して力覚センサ用チップと減衰装置とを陽極接合する際の接合劣化を防止する。
【解決手段】伝達された外力Ｆを歪み抵抗素子で検出する力覚センサ用チップ２と、力覚センサ用チップ２を固定するとともに外力Ｆを減衰して力覚センサ用チップに伝達する減衰装置３と、を備え、力覚センサ用チップ２と減衰装置３とがガラス層を介して接合された力覚センサの製造方法であって、（ａ）ガラス層として、力覚センサ用チップ２にガラス薄膜１０を成膜する工程と、（ｂ）力覚センサ用チップ２側に負電圧をかけ、減衰装置３側に正電圧をかけて、力覚センサ用チップ２に成膜されたガラス薄膜１０と減衰装置３とを陽極接合により接合する工程と、を含むことを特徴とする。また、ガラス薄膜１０を蒸着法またはスパッタリング法により成膜する。 （もっと読む）

【課題】振動や移動を伴う可動部を有する電気機械素子において問題となる熱雑音の影響を抑制することを目的とする。
【解決手段】振動又は移動が可能な可動部1を有する電気機械素子11,12,・・が2以上設けられ、これら2以上の電気機械素子11,12,・・において、可動部1の変位により変化する検出量がそれぞれ検出され、2以上の電気機械素子11,12,・・における各検出量から、目的とする検出量を演算する演算部20を設ける。各検出量の平均値又は相互相関関数を求めることにより、熱雑音による影響を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ノイズが発生したとしてもセンサ出力演算でキャンセルされ、ドリフトノイズを低減し、安定した力およびモーメント検出を行える力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップ１は、外力作用領域部３ａを有する作用部３と、この作用部３を支持する支持部４と、作用部と支持部を連結する連結部５を備え、連結部５は、作用部の周囲に位置する少なくとも環状中間部（５Ａ，５Ｂ）と、作用部と環状中間部を連結する第１連結腕部５１と、支持部と環状中間部を連結する第２連結腕部５２とから成る半導体基板２と、連結部における第１連結腕部と第２連結腕部のそれぞれの変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3とを備える。 （もっと読む）

【課題】センサチップの平面形状が小型化されても各軸力間の検知バランスを良好に保持し、印加外力が連結部に応力集中するのを防止してチップ破損を防止し、また各歪み検出素子のひずみ検出量の設計誤差を生じにくくできる力覚センサ用チップを提供する。
【解決手段】力覚センサ用チップ１は、多軸力センサ機能を有する力覚センサ用チップであって、外力作用領域部４Ａを有する作用部４、この作用部を支持する支持部３、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄを備えるベース部材２と、連結部内、または連結部と作用部との境界に設けられた歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓyb1〜Ｓyb3とを備え、さらに、ベース部材は、薄く形成された薄化領域２０を有し、薄化領域の境界は支持部および作用部に配されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】半導体チップをウェハレベルで積層して３次元半導体装置を製造する場合、加圧及び加熱を伴う電極接合工程がある。この工程では、ウェハ上の電極を所定の加圧・加熱条件により処理する必要があるが、ウェハ全体の圧力分布を加圧時間の関数として、また温度分布を加熱時間の関数として測定する手段がなく、加熱装置、加圧装置の機械的な動作パラメータの設定が正確に出来なかった。その結果、電極接合処理の歩留まりの低下を招いていた。
【解決手段】半導体ウェハ上にアツリョクセンサとしてピエゾ抵抗素子を集積化し、同時に測温素子を一体的に作りつけることにより、圧力分布及び温度分布を処理時間の関数として測定が可能になる。 （もっと読む）

【課題】 歪み抵抗素子と同等の熱影響を受ける位置であって応力の影響を受けない位置に温度補償用抵抗素子を設け、高精度な応力検出を行える多軸力センサ用チップと多軸力センサを提供する。
【解決手段】 多軸力センサ用チップは、外力作用領域部４Ａと非変形領域部４ｂを有する作用部４と、作用部を支持する支持部３と、作用部と支持部を連結する連結部５Ａ〜５Ｄとを備える半導体基板２と、連結部の変形発生部に設けられる歪み抵抗素子Ｓxa1〜Ｓxa3，Ｓya1〜Ｓya3，Ｓxb1〜Ｓxb3，Ｓyb1〜Ｓyb3と、作用部の非変形領域部上に設けられる温度補償用抵抗素子１１とを備えるように構成される。 （もっと読む）