【課題】 圧力検出用のダイアフラムを有する金属ステムのダイアフラムの表面に、歪みゲージを有する半導体基板を固定してなる圧力センサにおいて、感度の向上および精度の向上に適した構成を実現する。
【解決手段】 金属ステム１０のダイアフラム１１の表面に、歪みゲージ２４を有する半導体基板２０が取り付けられてなる圧力センサ１００において、半導体基板２０は、絶縁層２３を第１および第２の半導体層２１、２２で挟んでなる積層構造を有し、第１の半導体層２１には、第１の半導体層２１の表面から絶縁層２３にまで到達するトレンチ２５により絶縁分離されたパターン形状を有する歪みゲージ２４が形成され、第２の半導体層２２のうち歪みゲージ２４に対応する部位には、絶縁層２３にまで達する凹部２８が形成され、ダイアフラム１１は凹部２８内に入り込み凹部２８の底面を構成する絶縁層２３に取り付けられている。 （もっと読む）

超小型電子機械（ＭＥＭＳ）ジャイロスコープが、バネによって基板に機械的に結合された１つまたは複数のプルーフマスを有する。二重プルーフマスのジャイロスコープのケースでは、原動力がプルーフマスをそれらの共振周波数で一方向に、互いに１８０度位相をずらせて駆動する。検知用電極がコリオリ力に応答したプルーフマスの運動を検知する。コリオリ力によって引き起こされる運動は原動力によって引き起こされる運動に対して直角方向である。コリオリ力のパラメータ増幅を提供するためにモータ周波数の２倍のＡＣポンプ電圧が検知用電極に印加される。ＡＣポンプ電圧がジャイロスコープの機械的および電気的利得を変える。
（もっと読む）

【課題】 出力が２倍に出来、信号増加によるＳ／Ｎ比が向上された振動式圧力センサを実現する。
【解決手段】 測定圧が加えられる測定ダイアフラムと、この測定ダイアフラムに設けられた半導体よりなる振動梁とを具備する振動式圧力センサにおいて、
互いに平行に配置された第１，第２の振動梁と前記第１の振動梁と第２の振動梁とを連結する少なくとも１個の連結梁部とを有する振動梁本体と、前記第１の振動梁と第２の振動梁の軸方向の少なくとも一側面側に設けられ導電体よりなる駆動振動梁部と、前記第１の振動梁と第２の振動梁の軸方向の他側面側にそれぞれ設けられた第１，第２の導電体よりなる検出振動梁部とを具備したことを特徴とする振動式圧力センサである。 （もっと読む）

【課題】ピエゾ抵抗型圧力センサにおけるダイヤフラムの形成領域を増加させることなしに、検出感度の向上を図る。
【解決手段】半導体基板を用いるピエゾ抵抗型圧力センサにおいて、ダイヤフラムｓの辺の中央付近からダイヤフラムの中心に向かって支持枠の一部分を突出部１０として突出させる。突出部１０を設けたことによって、突出部１０の先端近傍に応力集中位置が形成される。この応力集中位置に、ピエゾ抵抗（拡散抵抗）からなるピエゾ抵抗型圧力検出部４ａ，４ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】非常に小型の半導体圧力センサーにおいて、ダイヤフラムに対して十分に強い強度を確保しつつ、高感度を達成する。
【解決手段】被測定圧力を受けて変位可能なダイヤフラム１が、ｎ型シリコン単結晶領域２とその表裏に形成された絶縁膜によって形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２には、ダイヤフラム１の部分において、歪み検出素子として機能する拡散抵抗層７が形成されている。ｎ型シリコン単結晶領域２の、拡散抵抗層７が形成された表面上の絶縁膜であるＳｉＯ膜４とＳｉＮ膜５の合計膜厚は、裏面上の絶縁膜であるＳｉＯＮ膜３の膜厚より薄い。 （もっと読む）

【課題】小さなダイヤフラムサイズであっても高感度の半導体圧力センサを提供する。
【解決手段】半導体圧力センサ１は、ダイヤフラム３が形成されたＳＯＩ基板２と、ＳＯＩ基板２上に設けられた４つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４とを有する。各ピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４のうち互いに対向する２つのピエゾ抵抗素子Ｒ１〜Ｒ４は、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう方向と平行な部分の、ダイヤフラム３の内側でのダイヤフラム３のエッジからの距離ＬX≦２０μｍとなるように、ダイヤフラム３の内側と外側とに跨って、かつ、ダイヤフラム３のエッジから中心へ向かう向きと平行に配置されている。 （もっと読む）

耐衝撃性が高く、Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸ピエゾ抵抗素子の出力の差が小さく、小型で高感度、高出力の半導体型３軸加速度センサを提供する。 可撓腕が可撓幅広部と可撓平行部で構成され、可撓幅広部に最大応力部があり、最大応力部にピエゾ抵抗素子の一端が来るように可撓腕上面上にピエゾ抵抗素子を設ける。可撓腕の幅中心線の近傍にＺ軸ピエゾ抵抗素子、幅中心線から離れてＸ軸／Ｙ軸ピエゾ抵抗素子を設ける。また、最大応力部から可撓腕の長さ方向にＺ軸ピエゾ抵抗素子をずらすことで、Ｘ軸とＹ軸、Ｚ軸ピエゾ抵抗素子間の出力差を小さくする。 （もっと読む）