【課題】プロセスの簡略化および静電引力の対策をともに行って、安価でありかつ高性能な半導体センサおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の三層の半導体層の中央を分断する溝を設けて第１，第２の半導体層１３，１４を形成するという簡易プロセスで製造可能な構造を採用した。さらに空間部１７の底方向隙間１７ｆを確保し、可動ゲート電極１５に対する底方向への静電引力の影響を受けにくくしている。また、可動ゲート電極１５に対する側壁間方向の静電引力も相殺している。従って、可動ゲート電極１５への不要な力を除去して感度を向上させる。 （もっと読む）

【課題】可動錘部の質量を効率的に増大させることができ、また、物理量を高精度で検出可能であり、また、多層配線を使用するＣＭＯＳプロセスを用いて、自在かつ容易に製造することが可能なＭＥＭＳセンサー（例えば静電容量型加速度センサー）を提供する。
【解決手段】弾性変形部１３０を介して固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１２が形成された可動錘部１２０を有するＭＥＭＳセンサー１００Ａにおいて、可動錘部１２０は、複数の導電層１２１Ａ〜１２１Ｄと、複数の導電層間に配置された複数の層間絶縁層１２２Ａ〜１２２Ｃと、複数の層間絶縁層の各層に貫通形成された所定の埋め込み溝パターンに充填され、層間絶縁膜よりも比重が大きいプラグ１２３Ａ〜１２３Ｃと、を含む積層構造体を有し、各層に形成されたプラグは、一または複数の長手方向に沿って壁状に形成された壁部を含む。 （もっと読む）

【課題】簡単な構成で信頼性を向上した静電容量型加速度センサを提供することを課題とする。
【解決手段】静電容量の一方の固定電極を構成する第１の固定電極基板１１と、静電容量の他方の固定電極を構成する第２の固定電極基板１２と、第１の固定電極基板１１ならびに第２の固定電極基板１２と絶縁されて、第１の固定電極基板１１と第２の固定電極基板１２との間に挟み込まれた挟み込み基板１３とを備え、第１の固定電極基板１１と第２の固定電極基板１２とは、挟み込み基板１３に接合されて双方の固定電極が対向した電極対向室を形成し、挟み込み基板１３には、外部から与えられた加速度により固定電極間の方向に対して垂直方向に、電極対向室内を揺動自在に移動する重り部１６が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐衝撃性に優れた加速度センサーを得ること。
【解決手段】固定電極４１と可動電極２１との間の距離が変化するＸ軸方向の加速度印加時において、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０に存在する気体の流れは、対向面に形成された一方向に向かって延びる凸部４３によって一方向への流れが発生する。この気体の流れによるスクイーズフィルムダンピングにより、大きな減衰定数ｃを得ることができる。したがって、可動部２０と支持体１０との間隔を狭くすることなく、固定電極４１と可動電極２１との間隙７０の構造によって減衰定数ｃの調節を可能にでき、可動部２０と支持体１０との衝突破壊が低減した耐衝撃性の優れた加速度センサー１００を得ることができる。 （もっと読む）

本発明は、ＭＥＭＳセンサーおよび３つの互いに直交する空間軸ｘ，ｙおよびｚの少なくとも１、好ましくは２に沿った加速度および回転速度をＭＥＭＳセンサー（１）によって測定する方法に関し、少なくとも１の駆動マス（６；６．１，６．２）および少なくとも１のセンサーマス（５）が基板（２）上に移動可能なように配置され、前記少なくとも１の駆動マス（６；６．１，６．２）は、駆動振動数において前記少なくとも１のセンサーマス（５）に対して移動可能であり、前記センサーの外側の加速が起きたとき、駆動マス（６；６．１，６．２）およびセンサーマス（５）は、駆動振動数において傾けられ、前記センサー（１）の外側の回転速度が起きたとき、回転速度振動数において傾けられ、前記加速度振動数と回転速度振動数は異なる。前記ＭＥＭＳセンサーにおいて、前記駆動マス（６；６．１，６．２）およびセンサーマス（５）は、前記基板（２）上に配置され、前記少なくとも１のアンカー（３）により静止状態において、バランスされる。この少なくとも１のアンカー（３）における周期的な振動の時、駆動モードでは、前記駆動マス（６；６．１，６．２）は前記駆動マス（６；６．１，６．２）と前記センサーマス（５）のこの少なくとも１のアンカー（３）に対する不釣合いが生じ、前記センサー要素は、加速度振動数および／または回転速度振動数による、生じたトルクおよびコリオリ力による前記駆動およびセンサーマスの偏向を検出する。
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トランスデューサ２０は、垂直な集積構造を形成するために相互に接続されたセンサ２８、３０を備えている。センサ２８は、基板３６の表面３４に可動に接続され、離間配置された試験質量３２を備える。センサ３０は、基板５６の表面６０に可動に接続され、離間配置された試験質量５８を備える。基板３６、５６は、基板５６の表面６０が基板３６の表面３４に向き合った状態で接続される。したがって、試験質量５８が試験質量３２に対面する。センサ２８、３０は別に組み立てられ、異なるマイクロ機械技術を利用して形成されてよい。センサ２８、３０は続いて、トランスデューサ２０を形成するためのウェハー接合技術を利用して接続される。トランスデューサ２０の実施形態は、１つ、２つ、または３つの直交軸に沿っての感知を含んでよく、異なる加速度感知範囲における移動を検知するように適合されてよい。
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【課題】高感度であり、かつ、他軸感度比率が小さく、正確に力学量を検出することができる力学量検出センサを提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサは、枠体と、前記枠体の内側に位置する変位部と、前記枠体に対し前記変位部を揺動可能に支持する梁部とが形成された第１の半導体基板と、開口部を有し、前記枠体に接続された支持部と、前記開口部内で前記変位部に接続された錘部とが形成されており、前記第１の半導体基板に絶縁層を介して積層された第２の半導体基板と、前記第１の半導体基板上に設けられており、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子とを備え、前記梁は、一端が前記枠体に固定され、他端が前記変位部に固定されると共に、前記変位部の外周面との間に所定の間隔をとって前記変位部の外周面に沿って延設されており、前記梁の他端が相対的に太いことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高い感度を示すことができる力学量検出センサの製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の力学量検出センサの製造方法は、活性層、ベース層及び前記活性層と前記ベース層との間に挟持された絶縁層で構成されたＳＯＩ基板の前記ベース層を加工して、枠体と、前記枠体の内側に位置する錘と、前記枠体に対し前記錘を揺動可能に支持する梁部と、を形成する工程と、前記梁部の厚さを薄くする工程と、前記活性層上に、前記梁部の撓み量に基づいて力学量に応じた信号を出力する検出素子を形成する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

感知素子が加圧媒体から電気的及び物理的に隔離されたような圧力センサを提供する。絶対圧力センサは、真空又は零圧力にあって感知素子を包囲する基準空洞を有する。基準空洞は、微細加工ダイヤフラムを有するゲージウエハに、凹みキャップウエハを結合させることにより形成される。感知素子は、ダイヤフラムの第１の側部に配置される。加圧媒体は、感知素子が配置されている第１の側部とは反対側のダイヤフラムの第２の側部に接近する。ゲージウエハの構造的支持及び応力除去のために、スペーサーウエハを使用することができる。一実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、垂直ウエハ貫通導電性ビアが使用される。別の実施形態では、感知素子から基準空洞の外へ電気接続を引き出すために、ゲージウエハ上の周辺結合パッドが使用される。 （もっと読む）

【課題】付属部をより大きくして感度を向上させることができる加速度センサ素子を提供することにある。
【解決手段】加速度センサ素子１は、開口部１３が形成された固定部３と、開口部１３内に配置される重り部７と、一方端が重り部７に連結され、他方端が固定部３に連結される梁部５と、梁部５に設けられ、梁部５の変形に伴って抵抗値が変化する抵抗素子９とを有する。重り部７は、梁部５の一方端が連結される主部１５と、主部１５に連結され、梁部５の一方端（主部１５側の端部）よりも他方端側へ突出する付属部１７とを有する。付属部１７は、開口部１３の開口方向の一方側（第１主面Ｓａ側）へ開口する第１溝部２５によって梁部５と隔てられ、梁部５よりも開口方向の他方側（第２主面Ｓｂ側）へ厚い基部１９を有する。また、付属部１７は、梁部５よりも第２主面Ｓｂ側の位置にて基部１９から梁部５側へ張り出した張出部２１を有する。 （もっと読む）

本願発明は加速度センサに関する。当該加速度センサはハウジング（５８）と第１の振動質量体（５０）とを有しており、当該第１の振動質量体は第１の非対称揺動台として構成されており、少なくとも１つの第１のばね（５４）を介して前記ハウジング（５８）内に配置されており、第２の振動質量体（５２）を有しており、当該第２の振動質量体は第２の非対称揺動台として構成されており、少なくとも１つの第２のばね（５４）を介して前記ハウジング（５８）内に配置されており、センサおよび評価装置（６６ａ、６６ｂ、６８ａ、６８ｂ）を有しており、当該センサおよび評価装置は、前記ハウジング（５８）に関する前記第１の振動質量体（５０）および前記第２の振動質量体（５２）の対応する回転運動に関する情報を求め、当該求められた情報を考慮して前記加速度センサの加速（６９）に関する加速度情報を定める。さらに、本願発明は、加速度センサの作動方法に関する。揺動台は、加速が存在する場合に対抗する回転運動を導き出す。信号の差分評価によって、測定信号を、場合によって生じるノイズ信号から解放することができる。
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【課題】プレーナー技術を用いて作られる小型化されたセンサーを提案する。
【解決手段】（ａ）少なくとも１つの可動性の塊を形成する第１の厚さを示す、厚い領域と呼ばれる半導体材料の第１の領域、（ｂ）基板に対して可動性の塊における少なくとも１つのピボットリンクを形成する、半導体材料の第２の領域であって、基板の平面に平行に走るピボットリンクの軸を有する第２の領域、（ｃ）ピボットリンクの軸の周りにおける可動性の塊の運動の検出用の吊るされたタイプの歪みゲージを形成する第２の領域の厚さより薄い厚さを有する、薄い領域と呼ばれる第３の領域であって、ピボットリンクの軸を含まない、基板の面に平行な平面において延長し、ピボットのねじり軸に垂直な平面において延長し、一側部において可動性の塊に結合され、他側部において基板に結合される第３の領域、を有するという事実によって特徴づけられる表面タイプのＭＥＭＳセンサーを含む。 （もっと読む）

例示的な音響変換器を提供する。モノリシック半導体層は、プレート、２以上の可撓性伸長部、及び支持構造の少なくとも一部を規定する。プレートに伝達される音圧により、可撓性伸長部に引っ張り歪みが発生する。可撓性伸長部は、引っ張り歪みに応じて変化する電気特性を示す。音圧に対応する電気信号は、変化する電気特性から導出することができ、さらなる目的のために処理される。 （もっと読む）

【課題】質量部の変位感度比率を均一化することにより、Ｚ軸方向の加速度が加わってもＸＹ軸方向の加速度検出精度が悪くなってしまうことのない多軸加速度センサを提供することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ座標系におけるＸＹ平面に沿って配置され加速度に応じて変位する質量部１２を複数の梁部１４を介して周囲の支持部１３に支持する可動基板１１と、この可動基板１１における支持部１３と接合され、かつ可動基板１１における質量部１２と所定間隔を有する固定電極１６を上面に設けた固定基板１５とを備え、前記複数の梁部１４を、支持部１３からＸ軸あるいはＹ軸と平行方向に延びた第１の梁部１７と、質量部１２に連結され、かつＸＹ軸と４５°方向に斜めに延びた第２の梁部１８とにより構成し、前記第２の梁部１８の長手方向と垂直な断面２次モーメントを第１の梁部１７の長手方向と垂直な断面２次モーメントより小さくしたものである。 （もっと読む）

【課題】モット絶縁体であるペロブスカイト型酸化物の絶縁体相−金属相間の相転移を容易に誘起することができるペロブスカイト型酸化物の相転移誘起方法を提供する。
【解決手段】本発明のペロブスカイト型酸化物の相転移を誘起するための相転移誘起方法は、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物に、これまでの数ｋＶ／ｃｍよりも２桁低い４０Ｖ／ｃｍ〜８０Ｖ／ｃｍ程度の電場を印加することで、絶縁体相にあるペロブスカイト型酸化物を金属相に相転移させると共に、電場の印加により金属相に相転移したペロブスカイト型酸化物を冷却させることで、常磁性金属相にあるペロブスカイト型酸化物を強磁性金属相に相転移させる。 （もっと読む）

【課題】新たな原理の加速度センサ素子を提供する。
【解決手段】加速度センサ素子３は、固定部９と、一端部が固定部９に連結された梁部７と、梁部７の他端部に連結され、梁部７の延びる方向に見て、重心Ｇが梁部７に対して偏心している重り部５とを有する。また、加速度センサ素子３は、梁部７に設けられ、梁部７の捩り変形に伴って比抵抗が変化するピエゾ抵抗部１１を有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、従来に比べて、簡単な構造にて、センサの薄型化と電気的安定性等とともに質量部の質量を効果的に大きくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 シリコンで形成され高さ方向にて対向配置された第１の基板１及び第２の基板２を有し、前記第１の基板１には、質量部４及び、前記質量部４と接続されるアンカ部５が形成されており、前記アンカ部５は、前記第２の基板２に固定支持されており、前記質量部４と前記第２の基板２の間には空間６が設けられており、前記質量部４の内部には、前記シリコンよりも比重が大きい金属７が埋め込まれている。 （もっと読む）

装置は基板上の入力装置を含む基板と、入力装置の領域の外で基板上に形成される少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと、を含むかもしれない。装置は、基板上で形成されるディスプレイ、基板上で作られる少なくとも１つのピエゾ抵抗センサと加えられた力を計算して、計算された加えられた力に基づく力反応を起動させるプロセッサを含むかもしれない。方法は、表示装置に印加される力の変化を検出する一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗をモニターすること、一つ以上のピエゾ抵抗センサと関連した抵抗の変化を検出すること、抵抗の変化の検出に基づいて表示装置に印加される力を計算すること、計算された加えられた力に比例した力反応を起動させること、及び、表示装置によって力反応の結果を示すことを含むかもしれない。 （もっと読む）

微小電子機械システム（ＭＥＭS）トランスデューサ９０が、相互直交方向９２，９４，９６の加速を検知するようになっている。ＭＥＭSトランスデューサ９０は、アンカーシステム１１６によって基板９８の上方につるして保持された試験質量１００を含む。アンカーシステム１１６は、方向９６の加速に応答して試験質量１００が回転軸１３２に関して回転することを可能とすべく、回転軸線１３２に関して試験質量１００を基板９８に枢動的に接続する。試験質量１００は、試験質量１００を通って延びる開口１１２を有する。開口１１２内には別の試験質量１４８が存在し、別のアンカーシステム１５２が基板９８の表面１０４の上方に試験質量１４８を保持する。アンカーシステム１５２が、少なくとも一つの方向９２または方向９４の加速に応答して、試験質量１４８が基板９８の表面１０４と実質的に平行に移動することを可能にする。
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【課題】１軸加速度センサの耐衝撃性を向上させると共に、容易に設計及び作製可能にする。
【解決手段】加速度センサ１は、ＳＯＩ基板１０１を用いて構成され、下層１０４に互いに分離されて形成された固定枠２及び錘部３と、上層１０２に形成された、電極部４、支持部５、接続部６及びヒンジ７と、貫通孔配線８及び電極パッド９等を有する。錘部３と電極部４との間には、エッチングホール４ａを介した犠牲層エッチングにより除去された酸化膜層１０３の厚み分のギャップ１０が設けられている。錘部３は、一対のヒンジ７を回動軸として、固定枠２に対し回動可能に保持されている。加速度センサ１は、電極部４と錘部３との間の静電容量に応じて、加速度を検知可能である。電極部４は固定枠２に四方で支持されているため変形しにくく、また、錘部３が接触しうる部位を容易に特定可能なため、耐衝撃性を向上させることができる。 （もっと読む）