【課題】音響検知部と振動検知部との間における機械的振動の伝達効率を向上させることによって音響センサのノイズ除去効果を高めることにある。
【解決手段】シリコン基板２８に、表裏に貫通する縦孔部３１ａと水平に伸びた横孔部３１ｂからなるバックチャンバ３１を形成する。縦孔部３１ａの上端はシリコン基板２８の上面で開口し、横孔部３１ｂの先端はシリコン基板２８によって塞がれている。シリコン基板２８の上面には、縦孔部３１ａの上面開口を覆うように形成された振動電極板３３ａと振動電極板３３ａに対向する固定電極板３４ａによって音響検知部２９を作製する。音響検知部２９の固定電極板３４ａには、音響振動を通過させるための音響孔４３ａを開口する。また、横孔部３１ｂの上方において、シリコン基板２８の上面に、振動電極板３３ｂと振動電極板３３ｂに対向する固定電極板３４ｂによって振動検知部３０を作製する。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】Ｚ軸方向の影響をクーロン力により打ち消して、水平方向の加速度を正確に検出するようにした高感度の静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】本発明の静電容量型加速度センサは、重錘体４１に設けられた可動電極４１ａと、可動電極４１ａに対向して配置された固定電極４２ａとを備え、両電極４１ａ，４２ａ間の静電容量の変化を重錘体４１の変位に基づいて加速度を検出する。重錘体４１のＺ軸方向に働く加速度の影響を排除するためにＺ軸加速度検出部４４が設けられ、Ｚ軸加速度検出部４４により検出された出力電圧に合わせて、重錘体４１にクーロン力を与える電圧を印加する電圧発生部４５が設けられている。電圧発生部４５からの電圧により重錘体４１にクーロン力を与えるために、Ｘ・Ｙ平面上にクーロン力供給電極４３が配置されている。 （もっと読む）

【課題】所望の周波数帯域で良好な感度を有する二次元容量型電気機械変換装置などの電気機械変換装置を無欠陥ないし歩留まり良く作製することを可能とする技術を提供する。
【解決手段】電気機械変換装置は少なくとも１つのセルを含むエレメント１、２、３を複数個有する。複数のエレメントト１、２、３は、複数の処理回路が形成された集積回路基板５上のそれぞれ対応する処理回路に対して、互いに分離して独立的に配置され、各エレメント毎に信号の入出力ができる様に、対応する複数の処理回路とそれぞれ機械的及び電気的に結合されている。 （もっと読む）

微小電子機械システム（ＭＥＭＳ）が開示される。このＭＥＭＳは、基板と、基板から上方へ延在する第１の枢動軸と、基板上に延在する第１の前後軸を有し、第１の枢動軸線のまわりを枢動するように第１の枢動軸に対して枢動可能に取り付けられた第１のレバーアームと、基板上の、第１のレバーアームの第１のキャパシタ部分の下の位置に形成された第１のキャパシタ層と、基板上の、第１のレバーアームの第２のキャパシタ部分の下の位置に形成された第２のキャパシタ層であって、第１の枢動軸が、第１のレバーアームを、第１のキャパシタ部分と第２のキャパシタ部分の間の位置で第１の前後軸に沿って支持する第２のキャパシタ層と、第１の前後軸にわたって延在し、第１の枢動軸線から離隔された第１の導体部材とを含む。 （もっと読む）

【課題】 特に、内部配線層への電気的接続性及び内部空間の高さ寸法のばらつきを小さくすることが可能なＭＥＭＳセンサ及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 第１の基板２１と、第２の基板２２と、前記第１の基板２１の表面に形成される第１のＳｉＯ₂層２５と、前記第１の基板２１と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に形成される内部配線層２４と、前記第１のＳｉＯ₂層２５の表面２５ａから前記内部配線層２４にかけて形成される貫通孔２６と、前記貫通孔２６内に形成され前記内部配線層２４と電気的に接続される電気接続層２８と、前記第２の基板２２と前記第１のＳｉＯ₂層２５との間に位置し、前記第２の基板２２と前記第１の基板２１間に形成される内部空間Ｓ２の高さ寸法を規制する突出形状の第１の窒化シリコン層３３と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強度や耐久性が高く、振動の減衰が図られるとともに、ばね定数の設定が容易な力学量センサを提供する。
【解決手段】内部ユニット３１１は、防振部材３１５により支持されている。防振部材３１５は、内部ユニット３１１を支持しつつ、内部ユニット３１１と支持面３３３との間の相対的な振動を吸収する。防振部材３１５の厚さや幅を変更することにより、防振部材３１５は強度およびばね定数を容易に変更可能である。また、パッド３２７とパッド３２８との間を接続するボンディングワイヤ３１６は、自身の外径をｄとし、パッド３２７から湾曲する頂点までの高さをｈとすると、２０×ｄ≦ｈに設定されている。これにより、内部ユニット３１１が振動した場合でも、ボンディングワイヤ３１６のひずみが緩和され、強度や耐久性の低下を招くことがない。 （もっと読む）

【課題】引き出し電極の抵抗値が小さく、引き出し電極の周りで寄生容量が形成され難い半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンからなるベース基板Ｂ４であって、絶縁分離された複数個のベース半導体領域Ｂｓが上面の表層部の所定領域Ｒ１に形成されてなるベース基板Ｂ４と、シリコンからなるキャップ基板Ｃ４であって、ベース基板Ｂ４の所定領域Ｒ１において、下面がベース基板Ｂ４の上面に貼り合わされるキャップ基板Ｃ４とを有してなる半導体装置１００において、下面が所定のベース半導体領域Ｂｓに接続し、キャップ基板Ｃ４を貫通するようにして、上面がキャップ基板Ｃ４の上面まで伸びる、金属４０で構成された引き出し電極Ｄｅ１が、当該引き出し電極Ｄｅ１の周りにおいて、キャップ基板Ｃ４との間に溝３５を有するように形成されてなる半導体装置１００とする。 （もっと読む）

【課題】製造および動作信頼性の改善と共に必要とされる性能特性をもたらす、シングルチップ上に製造された１つまたは複数のセンサを提供すること。
【解決手段】センサ製造方法が開示され、一実施形態では、ダブルシリコンオンインシュレータのウェーハを備えるエッチング済み半導体基板ウェーハ（１３０）を、エッチング済みデバイスウェーハ（１４２）に接着して懸垂構造体を作製し、同構造体の撓みが、埋め込まれた圧電抵抗センサ素子（１５０）によって検知される。一実施形態では、センサは加速度を測定する。他の実施形態では、センサは圧力を測定する。 （もっと読む）

【課題】慣性センサと半導体電子回路とを有する半導体装置において、慣性センサの感度を向上させる。
【解決手段】第１半導体層、第１絶縁体層及び基板層の順に積層された支持部と、第１半導体層、第１絶縁体層及び基板層の順に積層された可動錘部と、第１半導体層を有し支持部によって可動錘部を支えるための梁部と、梁部に位置する第１半導体層に形成された歪み検出素子と、支持部に位置する第１半導体層及び可動錘部に位置する第１半導体層の少なくともいずれか一方に形成された半導体素子と、を具備する。このように、支持部及び可動錘部が第１半導体層、第１絶縁体層及び基板層を共通に含むので、可動錘部の質量を大きくし、感度の優れた慣性センサを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に導電膜によりセンサ板を設ける構造において、寄生容量の影響を無くし、人体の接触を確実に検知可能とする。
【解決手段】センサ本体部１０１は、拡散層３が形成されたシリコン基板２に絶縁膜４が積層形成され、その上にセンサ板５が配設されて樹脂パッケージ６により覆われた構成とされ、センサ板５には、第１の抵抗器２１を介して正弦波発振回路１４の出力が印加され、拡散層３には、正弦波発振回路１４の出力が直接印加され、樹脂パッケージ６へ対する人体の接触により生ずる第１の抵抗器２１の電位差が計装アンプ１０２により増幅され、比較器１５において所定の基準電圧を超えた場合に、人体の接触が生じたとする論理値Ｈｉｇｈに相当する電圧ＶＯＵＴが出力されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】重り部の厚み寸法の大型化や軽量化をすることなく検出感度を向上させることのできる加速度センサを提供する。
【解決手段】凹部４１，５１と充実部４０，５０が一体に形成された重り部４，５と、１対のビーム部６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂと、可動電極４ａ，５ａと、第１の固定電極２０ａ，２１ａ及び第２の固定電極２０ｂ，２１ｂとから成るセンサ部を備え、１対のビーム部６ａ，６ｂ及び７ａ，７ｂを各々結ぶ直線を回動軸とした重り部４，５の回動に伴う可動電極４ａ，５ａと固定電極２０ａ，…との間の静電容量の変化から加速度を検出するものであって、重り部４，５の重心位置から回動軸に下ろした垂線と可動電極４ａ，５ａの表面とが成す角度が略４５度となるように、ビーム部６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂを凹部４１，５１側にずらして配置した。 （もっと読む）

【課題】重り部の厚み寸法の大型化や軽量化をすることなく検出感度を向上させることのできる加速度センサを提供する。
【解決手段】第１の凹部４１，５１と充実部４０，５０が一体に形成された重り部４，５と、１対のビーム部６ａ，６ｂ，７ａ，７ｂと、可動電極４ａ，５ａと、第１の固定電極２０ａ，２１ａ及び第２の固定電極２０ｂ，２１ｂとから成るセンサ部を備え、重り部４，５の重心位置から回動軸に下ろした垂線と可動電極４ａ，５ａの表面とが成す角度が略４５度となるように、ビーム部６ａ，…を第１の凹部４１，５１側にずらして配置し、且つ充実部４０，５０に一面に開口する第２の凹部４４，５４を設け、重り部４，５を成す材料よりも比重の高い金属材料から成る補助重り部４５，５５を第２の凹部４４，５４に埋設した。 （もっと読む）

【課題】圧力センサ装置において、低コスト化するとともに、長期的な信頼性を高め、かつ測定信号の精度および信頼性を高くすること。
【解決手段】ダイアフラム４５、ピエゾ抵抗素子、増幅回路および各種調整回路を内蔵した圧力センサチップ４１を、ダイアフラム４５が台座部材４２の貫通孔４６に臨むように台座部材４２に接合する。台座部材４２と金属板部材２４３とを、それらの貫通孔４６，２４８がつながるように接合する。樹脂ケース２４４に金属パイプ部材２４３を接着し、樹脂ケース２４４の信号端子２５８と圧力センサチップ４１とをワイヤボンディング５９により電気的に接続し、圧力センサセル１０２とする。 （もっと読む）

【課題】小型化を図りつつ高感度化を図れる静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】フレーム部１１、錘部１３、一対のトーションビーム１２，１２、２つの可動電極１５，１５が設けられたセンサ本体１と、センサ本体１に接合された第１のカバー基板２および第２のカバー基板３と、第１のカバー基板２において各可動電極１５，１５それぞれに対向して設けられた固定電極２５，２５とを備えている。各固定電極２５，２５それぞれが、第１のカバー基板２におけるセンサ本体１側に形成され各固定電極２５，２５それぞれに対応付けられた接続配線２６とセンサ本体１の錘部１３の開口窓１４内に配置された島部１６とを介して当該島部１６における第１のカバー基板２側の第１の外部接続用電極であるパッド１８と電気的に接続され、各可動電極１５，１５が第１のカバー基板２側の第２の外部接続用電極であるパッド１８，１８と電気的に接続されている。 （もっと読む）

本発明は、一方向（Ｙ１）に沿った向きの変位を測定するための面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスであって、基板に対して懸架された振動質量（２０２）であって、前記基板の面に垂直な軸（Ｚ）周りに旋回可能な振動質量（２０２）と、振動質量（２０２）及び基板に機械的に接続された少なくとも一つのピエゾ抵抗歪みゲージとを備え、ピエゾ歪みゲージ（８）が振動質量の厚さよりも小さな厚さを有し、ピエゾ抵抗歪みゲージ（８）の軸（Ｙ）が、振動質量（２０２）の旋回軸（Ｚ）及び重心（Ｇ）を含む面に直交していて、該面が、測定される方向（Ｙ１）に直交している、面内ＭＥＭＳ又はＮＥＭＳ検出デバイスに関する。
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【課題】 本発明は付加的なバックチャンバーを有するシリコンコンデンサマイクロホンの製造方法に関する。
【解決手段】 本発明の方法は、基板に接着剤を塗布した後、チャンバー筒をマウンターでマウントするステップと、前記チャンバー筒を接着している接着剤を硬化（ｃｕｒｅ）させるステップと、前記チャンバー筒の上に接着剤を塗布した後にマウンターでＭＥＭＳチップをマウントするステップと、前記ＭＥＭＳチップを接着している接着剤を硬化（ｃｕｒｅ）させるステップと、部品が実装された前記基板とケースを接合するステップと、を含めて前記ＭＥＭＳチップによるバックチャンバーに前記チャンバー筒によって形成されるバックチャンバーが増加されて付加的なバックチャンバーを有することである。よって、本発明によって形成されるシリコンコンデンサマイクロホンはＭＥＭＳチップその自体の足りない足りないバックチャンバー空間を増やして感度を向上させて、ＴＨＤ（Ｔｏｔａｌ Ｈａｒｍｏｎｉｃ Ｄｉｓｔｏｒｔｉｏｎ）などのノイズを改善することができるという効果がある。 （もっと読む）

【課題】製造コストを低くしつつ、傷から保護されるセンサデバイスを提供すること、およびこのようなセンサデバイスを製造する方法を提供すること。
【解決手段】成形体と成形体上に被着されているピエゾ抵抗センサ層とを有しており、ピエゾ抵抗センサ層は少なくとも１つの金属並びに炭素または炭化水素を含んでおり、ピエゾ抵抗センサ層上で薄膜パッシベーション層およびコンタクト層が省かれる、センサデバイス。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】 可動錘部の質量の増大による検出感度の向上を、Ｑ値をほぼ一定に維持しつつ達成すること。
【解決手段】 基板上に形成された多層構造を加工して形成されるＭＥＭＳセンサーは、弾性変形部１３０によって固定枠部１１０に連結され、周囲に空洞部１１１，１１３が形成されている可動錘部１２０と、固定枠部に固定された固定電極部１５０（１５０ａ，１５０ｂ）と、可動錘部に接続され、固定電極部に対向して配置される可動電極部１４０（１４０ａ，１４０ｂ）と、を有する容量部１４５（１４５ａ，１４５ｂ）と、固定枠部に固定されたダミー固定電極部１５３（１５３ａ，１５３ｂ）と、可動錘部に接続され、ダミー固定電極部に対向して配置されるダミー可動電極部（１４３ａ，１４３ｂ）と、を有し、検出信号を出力しないダミー容量部１４７（１４７ａ，１４７ｂ）と、を含む。 （もっと読む）