説明

旭化成エレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】少ない電流量で出力電圧の歪みを低減できるトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】エミッタまたはソースと、コレクタまたはドレインと、これらエミッタまたはソース及びコレクタまたはドレイン間の電流量を制御する電圧が印加されるベースまたはゲートと、を備え、コレクタまたはドレインが容量性負荷103に接続されるバイポーラトランジスタまたはMOSトランジスタと、バイポーラトランジスタまたはMOSトランジスタのコレクタまたはドレインに接続され、電流を供給する機能付電流源102と、ベースまたはゲートに入力される電圧の大きさに応じて機能付電流源102の電流を制御するコントロール回路105と、によってトランジスタ回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】磁場の印加についての誤判定をなくす磁場検出回路を提供する。
【解決手段】出力信号を出力する4端子センサ201、電圧比較器203、ソース・ドレイン端子の一方が電源端子に接続され、他方がグランド端子に接続され、出力信号によってオン、オフされるMOSトランジスタ208、4端子センサ201、電圧比較器203を間欠駆動させる内部発信器205、内部発信カウンタ204、電源端子102から電力の供給を受けて、一定の値の電流を出力する定電流源206、出力された電流に基づく電荷がチャージされる容量素子、MOSトランジスタのドレイン端子に接続され、MOSトランジスタがオンされた場合に電流の供給を受ける抵抗素子によって磁場検出回路を構成し、4端子センサ201、電圧比較器203は、停止中には信号を出力せず、間欠駆動動作には容量素子にチャージされた電荷を使用する。 (もっと読む)


【課題】パワーアンプの歪補償精度の向上を図る。
【解決手段】アッテネータ15を介して入力したパワーアンプ1の出力信号であるフィードバック信号と疑似ランダムデータとを用いたLMSアルゴリズムによって、パワーアンプ1への入力信号の遅延量を算出する。算出した遅延量に基づきパワーアンプ1への入力信号の遅延量を調整することで、パワーアンプ1への入力信号とフラクショナルディレイを含むフィードバック信号とのタイミングを一致させ、このタイミングが一致した遅延量調整後の入力信号を用いて、パワーアンプ1への入力信号の歪補償を行うことで、DPD方式の歪補償精度の向上を図る。 (もっと読む)


【課題】駆動用のMOSトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧IN2が入力される入力端子104、入力電圧IN2に基づいてVCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ201、203、入力電圧IN2に基づいて2VCCまたはGNDを出力するMOSトランジスタ202、204、MOSトランジスタ201、202に一端が接続され、他端がMOSトランジスタ202、204に接続される容量素子206、ソース・ドレイン端子の一方に2VCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にVCCが供給され、2VCCまたはGNDがゲート端子に供給され、2VCCまたはGNDによってオン、オフされるMOSトランジスタ205と、によって昇圧回路を構成する。 (もっと読む)


【課題】モータに適用した場合に、回転効率を犠牲にすることなく、逆流電流の発生を防止できるようにしたH型ブリッジ回路などの提供。
【解決手段】この発明は、MOSトランジスタTr1〜Tr4からなるH型ブリッジ1と、電流モニタ回路2、3と、制御回路4とを備える。電流モニタ回路2、3のそれぞれは、コイル5に流れる電流を検出し、この検出に応じた信号を電流判定信号MONI1、電流判定信号MONI2として出力する。制御回路4は、コイル5の通電方向を切り換える切換信号HALLと、電流モニタ回路2、3から出力される電流判定信号MONI1、MONI2とを基に、制御信号PG1、PG2、NG1、NG2を生成し、MOSトランジスタTr1、Tr2をオンオフ制御する。 (もっと読む)


【課題】電流により発生する磁場を化合物半導体回路で集約して検出することができる小型で、高感度かつ高精度な電流センサを実現すること。
【解決手段】半導体回路(LSI回路)と化合物半導体回路(ホール素子を有する化合物半導体素子)とが形成された基板に、さらに、化合物半導体素子の直上に、該直下の化合物半導回路に対して磁束密度を増加させるための所定の形状からなる電気配線(コ字型または馬蹄型の形状を呈した金属配線)を形成し、この電気配線に被検出電流を流すようにした。 (もっと読む)


【課題】モータに適用した場合に、逆流電流や騒音の発生を抑制しつつ、モータの回転効率の向上を図るようにしたH型ブリッジ回路などを提供すること。
【解決手段】この発明は、MOSトランジスタTr1〜Tr4からなるH型ブリッジ1と、制御回路2とを備える。MOSトランジスタTr1〜Tr4のそれぞれは、サイズが異なる2つのMOSトランジスタからなる。制御回路2は、通常動作状態において、トランジスタTr1−1、Tr1−2、Tr4−1、Tr4−2をオンにして負荷5に電流を供給する。また、制御回路2は、負荷5に電流を回生させる直前において、トランジスタTr4−2のオンを継続状態とし、トランジスタTr1−1をオフにしたのち、トランジスタTr1−2、Tr4−1をオフにして負荷5に供給する電流を制限するようにした。 (もっと読む)


【課題】電流源によって流れる電流量を増大させることなく、出力信号の立ち上り、立ち下りを高速化することができるダブルソースフォロア回路を提供する。
【解決手段】nMOSFET102を含むソースフォロア回路と、nMOSFET102とは極性が異なるpMOSFET101を含むソースフォロア回路と、nMOSFET102を含むソースフォロア回路、pMOSFET101を含むソースフォロア回路に入力信号を入力する入力端子111と、nMOSFET102を含むソースフォロア回路、pMOSFET101を含むソースフォロア回路から出力信号を出力する共通の出力端子112)と、を含むダブルソースフォロア回路を構成する。 (もっと読む)


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