【課題】パワーアンプの歪補償精度の向上を図る。
【解決手段】アッテネータ１５を介して入力したパワーアンプ１の出力信号であるフィードバック信号と疑似ランダムデータとを用いたＬＭＳアルゴリズムによって、パワーアンプ１への入力信号の遅延量を算出する。算出した遅延量に基づきパワーアンプ１への入力信号の遅延量を調整することで、パワーアンプ１への入力信号とフラクショナルディレイを含むフィードバック信号とのタイミングを一致させ、このタイミングが一致した遅延量調整後の入力信号を用いて、パワーアンプ１への入力信号の歪補償を行うことで、ＤＰＤ方式の歪補償精度の向上を図る。 （もっと読む）

【課題】駆動用のＭＯＳトランジスタのオン抵抗が小さく、リーク電流の発生を防ぎ、しかも小型化、低消費電力化に適した昇降圧回路を提供する。
【解決手段】入力電圧ＩＮ2が入力される入力端子１０４、入力電圧ＩＮ2に基づいてＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０１、２０３、入力電圧ＩＮ2に基づいて２ＶCCまたはＧＮＤを出力するＭＯＳトランジスタ２０２、２０４、ＭＯＳトランジスタ２０１、２０２に一端が接続され、他端がＭＯＳトランジスタ２０２、２０４に接続される容量素子２０６、ソース・ドレイン端子の一方に２ＶCCが供給され、ソース・ドレイン端子の他方にＶCCが供給され、２ＶCCまたはＧＮＤがゲート端子に供給され、２ＶCCまたはＧＮＤによってオン、オフされるＭＯＳトランジスタ２０５と、によって昇圧回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】少ない電流量で出力電圧の歪みを低減できるトランジスタ回路を提供する。
【解決手段】エミッタまたはソースと、コレクタまたはドレインと、これらエミッタまたはソース及びコレクタまたはドレイン間の電流量を制御する電圧が印加されるベースまたはゲートと、を備え、コレクタまたはドレインが容量性負荷１０３に接続されるバイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタと、バイポーラトランジスタまたはＭＯＳトランジスタのコレクタまたはドレインに接続され、電流を供給する機能付電流源１０２と、ベースまたはゲートに入力される電圧の大きさに応じて機能付電流源１０２の電流を制御するコントロール回路１０５と、によってトランジスタ回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】磁場の印加についての誤判定をなくす磁場検出回路を提供する。
【解決手段】出力信号を出力する４端子センサ２０１、電圧比較器２０３、ソース・ドレイン端子の一方が電源端子に接続され、他方がグランド端子に接続され、出力信号によってオン、オフされるＭＯＳトランジスタ２０８、４端子センサ２０１、電圧比較器２０３を間欠駆動させる内部発信器２０５、内部発信カウンタ２０４、電源端子１０２から電力の供給を受けて、一定の値の電流を出力する定電流源２０６、出力された電流に基づく電荷がチャージされる容量素子、ＭＯＳトランジスタのドレイン端子に接続され、ＭＯＳトランジスタがオンされた場合に電流の供給を受ける抵抗素子によって磁場検出回路を構成し、４端子センサ２０１、電圧比較器２０３は、停止中には信号を出力せず、間欠駆動動作には容量素子にチャージされた電荷を使用する。 （もっと読む）

【課題】電流源によって流れる電流量を増大させることなく、出力信号の立ち上り、立ち下りを高速化することができるダブルソースフォロア回路を提供する。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２とは極性が異なるｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路に入力信号を入力する入力端子１１１と、ｎＭＯＳＦＥＴ１０２を含むソースフォロア回路、ｐＭＯＳＦＥＴ１０１を含むソースフォロア回路から出力信号を出力する共通の出力端子１１２）と、を含むダブルソースフォロア回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】天絡などにより出力端子に目標電圧と逆極性の電圧が印加されたときに発生するＭＯＳトランジスタのラッチアップを回避する。
【解決手段】フライングキャパシタＣｉｎと出力キャパシタＣｏｕｔとの間に介挿されたトランスファーＭＯＳトランジスタＮ１の、バルク端子とグラウンドとの間およびソースとバルク端子との間にそれぞれバルク電圧切り替えＭＯＳトランジスタＭ１およびＭ２を設け、出力電圧ＶＯＵＴが基準電圧Ｖｒｅｆ１よりも小さければＭＯＳトランジスタＭ１をオフ、ＭＯＳトランジスタＭ２をオンとして出力電圧ＶＯＵＴをバルク端子に供給し、出力電圧ＶＯＵＴが基準電圧Ｖｒｅｆ１以下であればＭＯＳトランジスタＭ１をオン、ＭＯＳトランジスタＭ２をオフとしてグラウンド電圧をバルク端子に供給する。 （もっと読む）

【課題】モータに適用した場合に、回転効率を犠牲にすることなく、逆流電流の発生を防止できるようにしたＨ型ブリッジ回路などの提供。
【解決手段】この発明は、ＭＯＳトランジスタＴｒ１〜Ｔｒ４からなるＨ型ブリッジ１と、電流モニタ回路２、３と、制御回路４とを備える。電流モニタ回路２、３のそれぞれは、コイル５に流れる電流を検出し、この検出に応じた信号を電流判定信号ＭＯＮＩ１、電流判定信号ＭＯＮＩ２として出力する。制御回路４は、コイル５の通電方向を切り換える切換信号ＨＡＬＬと、電流モニタ回路２、３から出力される電流判定信号ＭＯＮＩ１、ＭＯＮＩ２とを基に、制御信号ＰＧ１、ＰＧ２、ＮＧ１、ＮＧ２を生成し、ＭＯＳトランジスタＴｒ１、Ｔｒ２をオンオフ制御する。 （もっと読む）

【課題】電流により発生する磁場を化合物半導体回路で集約して検出することができる小型で、高感度かつ高精度な電流センサを実現すること。
【解決手段】半導体回路（ＬＳＩ回路）と化合物半導体回路（ホール素子を有する化合物半導体素子）とが形成された基板に、さらに、化合物半導体素子の直上に、該直下の化合物半導回路に対して磁束密度を増加させるための所定の形状からなる電気配線（コ字型または馬蹄型の形状を呈した金属配線）を形成し、この電気配線に被検出電流を流すようにした。 （もっと読む）