【課題】小型化を可能とする電力測定ユニットを提供する。
【解決手段】電力測定ユニット１００は、複数のコンセント部１１ａ〜１１ｄと、コンセント部１１ａ〜１１ｄの各々に取り付けられた複数の電流センサ１２ａ〜１２ｄと、各電流センサ１２ａ〜１２ｄで検出された値に基づいて、各コンセント部１１ａ〜１１ｄの電力測定を行う測定部１４とを含む。 （もっと読む）

【課題】単相コイルで構成されるモータにおいても、追加部品を必要とせず、駆動回路や電源回路などの耐圧破壊を防ぐ過電圧保護回路を備えた単相ブラシレスモータ制御装置を提供する。
【解決手段】モータコイル１３を駆動するドライバ回路１１と、ロータの位置を検出した信号と、ドライバ回路１１の出力とに基づいて、ドライバ回路１１を構成するドライバ回路用スイッチング素子Ｍ１１〜Ｍ１４の制御信号を生成するプリドライバ１０と、ドライバ回路１１の出力の電位が電源電圧から予め設定されたしきい値以上の電位に上昇したとき、回生経路を形成する過電圧検出回路１２と、回生経路を構成する回生経路用スイッチング素子とを備える。 （もっと読む）

【課題】小規模の付加回路により、基準電圧の温度特性を簡易な調整によって十分に改善することができる基準電圧発生回路を提供する
【解決手段】バイポーラトランジスタ１０６、バイポーラトランジスタ１０６と並列に接続されるバイポーラトランジスタ１０７、バイポーラトランジスタ１０７のエミッタに一端が接続される抵抗素子１０４、バイポーラトランジスタ１０６のベース電位と、バイポーラトランジスタ１０７のベース電位との差分によって生じる差電圧を発生させる抵抗素子１０９、バイポーラトランジスタ１０６のエミッタ電位と抵抗素子１０４の他端の電位とが等しくなるように動作する演算増幅器１０５によって基準電圧発生回路を構成し、抵抗素子１０９が生成する差電圧が、温度によって変化する。 （もっと読む）

【課題】バーティカル型のバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ領域からベース領域にかけて存在する界面準位を安定に低減することを可能とした半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】バーティカル型のバイポーラトランジスタ１０は、シリコン基板１に形成されたＰ型のベース領域１３と、シリコン基板１に形成されてベース領域１３に接するエミッタ領域１５と、シリコン基板１の表面であってベース領域１３とエミッタ領域１５との境界部２１上に形成されたシリコン酸化膜１７と、シリコン酸化膜１７上に形成されたポリシリコンパターン１９と、を有する。シリコン酸化膜１７とシリコン基板１との界面に塩素が１×１０^１７ｃｍ^−３以上の濃度で存在する。 （もっと読む）

【課題】消費電力の増加を抑制しつつ、負荷回路からのキックバックを抑制する。
【解決手段】ＭＯＳトランジスタＭ１１と、ゲートおよびドレイン間がダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭ１２と、電流源Ｃ１１とを直列接続してソースフォロア回路１０を構成する。ＭＯＳトランジスタＭ１１のゲートに入力された、ソースフォロア回路１０への入力信号Ｖｉｎは、ＭＯＳトランジスタＭ１１によりほぼ１倍の利得で出力され、さらに、ダイオード接続されたＭＯＳトランジスタＭ１２でほぼ１倍の利得で出力され、これがソースフォロア回路１０の出力信号Ｖｏｕｔとして出力されるため、結果的に、１段構成のソースフォロア回路と同様の動作をするが、その消費電力は少なくてすむ。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の検査する際の各種データを一時的に保存しておくためのデバイスを用いることなく、半導体装置の検査を行うことのできる半導体装置検査方法を提供する。
【解決手段】測定部１２は、異なる設定条件によって、互いの測定結果データを用いることなく独立した第１の測定結果データ（例えば、第１の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ１と、温度特性を持つ出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ１等。）と、第２の測定結果データ（例えば、第２の設定条件での検査における比較電圧ＶＲＥＦの測定値ＶＲ２と、出力電圧ＶＰＴＡＴの測定値ＶＰ２等。）とを得る。その後で、制御部１３は、第１の測定結果データと第２の測定結果データとを用いて、予め定められた計算式によって得られた計算結果（ＴＳＤ機能動作温度ＴＰ３）を、その上限値ＴＰ３Ｈ（℃）および下限値ＴＰ３Ｌ（℃）と比較することによって、デバイスの良否判定を行う。 （もっと読む）

【課題】オフセット調整用キャパシタのダイナミックレンジを拡大することができる静電容量検出回路の提供。
【解決手段】この発明は、駆動回路１と、オフセット調整用キャパシタＣｃと、容量電圧変換回路２とを備えている。駆動回路１は、可変電圧源１５ａ、１５ｂ、１６ａ、１６ｂを含んでいる。オフセット調整用キャパシタＣｃは、駆動回路１の出力端子１４と容量電圧変換回路２の入力端子１との間に接続されている。被測定キャパシタＣｓは、駆動回路１の出力端子１３と容量電圧変換回路２の入力端子１との間に接続される。容量電圧変換回路２は、被測定キャパシタＣｓの静電容量と、オフセット調整用キャパシタＣｃの静電容量との差に応じた電圧を出力する。 （もっと読む）

【課題】複数段構成におけるソースフォロア回路において入出力レンジを確保する。
【解決手段】ソースフォロア部ＳＦ１１、ＳＦ１２間に、ゲートドレイン間がダイオード接続され且つソースフォロア部ＳＦ１１およびＳＦ１２を構成するＭＯＳトランジスタＭ１１およびＭ１２と同一チャネル種類のＭＯＳトランジスタＭ１３とそのドレインに接続された電流源Ｃ１３とからなる接続部１１を設け、前段のソースフォロア部ＳＦ１１の出力端とＭＯＳトランジスタＭ１３のソースとを接続し、ＭＯＳトランジスタＭ１３のドレインと後段のソースフォロア部ＳＦ１２の入力端とを接続する。接続部１１における入出力間の電圧レベルのシフト方向は、ソースフォロア部ＳＦ１１、ＳＦ１２における入出力間の電圧レベルのシフト方向と逆となり、電圧シフトを打ち消す方向に作用するため、電圧レベルのシフトにより入出力レンジが狭くなることを抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】被測定キャパシタの測定精度の向上が図れる静電容量検出回路の提供。
【解決手段】この発明は、駆動回路１と、オフセット調整用キャパシタＣｃと可変抵抗Ｒｃとを含む可変調整回路４と、容量電圧変換回路２と、制御回路５と、メモリ６と、を備えている。容量電圧変換回路２は、被測定キャパシタＣｓの静電容量と、オフセット調整用キャパシタＣｃの静電容量との差に応じた電圧を出力する。制御回路５は、可変抵抗Ｒｃの抵抗値及びオフセット調整用キャパシタＣｃの静電容量を調整する。メモリ６は、制御回路５で調整後の可変抵抗Ｒｃの抵抗値及びオフセット調整用キャパシタＣｃの静電容量値を記憶する。 （もっと読む）

【課題】一定の電子部品をも含むようにして構成する形式の回転駆動装置に適用する場合に、その回転駆動装置における一層の薄型化を図りつつ、内部の電子部品収容スペースを十分に確保することが可能な積層コイルを実現する。
【解決手段】複数の各コイル層１１０〜１４０は、自層の中心から放射方向に延長した複数の仮想半直線で区切られた複数の部分領域Ｓ１〜Ｓ６のうちの一部または全部の各該当する部分領域ごとに前記平面コイルを埋設して構成し、当該複数のコイル層を既定の順序で積層し他層との相対位置を固定して積層コイル１００を構成し、複数のコイル層のうち既定の複数のコイル層は、自層の複数の部分領域Ｓ１〜Ｓ６のうちの特定の部分領域Ｓ２，Ｓ３に平面コイルを埋設せず且つ他層に設けられた電子部品１４，１５との干渉を回避するためのキャビティ１３１，１４１を形成した干渉回避用コイル層１３０，１４０とする。 （もっと読む）