【課題】インバータとの接続点であるノードの最高電圧及び最低電圧が最適な電圧になるようにし、各ノードの信号の電圧の変化によって生じるクロック信号の周波数のずれを抑えることのできる発振器を提供する。
【解決手段】複数のインバータＩ₁，Ｉ₂のうちのインバータＩ₁の接続点であるノードＮ₁の信号Ｓ₁の最高電圧及び最低電圧が、２つの容量素子Ｃ₁，Ｃ₂の容量値ｃ１，ｃ２と抵抗素子Ｒ₁の抵抗値ｒ₁とによって任意の電圧になるようにする。これにより、信号Ｓ₁の最高電圧及び最低電圧を、本来の最高電圧又は最低電圧にすることができ、ノードＮ₁の信号Ｓ₁の電圧ｖ₁の変化によって生じるクロック信号Ｓ_OUTの周波数Ｔ_Oのずれを抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】高精度で信頼性が高く、小型化が容易な角度検出装置を提供する。
【解決手段】互いに直交するように配置された少なくとも１対のホール素子１１，１２からの出力により表現されるベクトルを用いて、ホール素子の磁界に対する相対的な回転角度を求めるに際し、ホール素子１１，１２の駆動方向をスイッチ手段既定の周波数で切替えると共にホール素子１１，１２の２対の出力を既定の周波数で切替えて取出し更に該取出した信号の符号を既定の周波数で反転させて対をなすホール素子出力信号を取得し、該取得した信号に△Σ変調器５０，６０で△Σ変調を施し、該△Σ変調された信号から位相同期回路２００を通して種々のオフセットを除去した角度データを取り出す。 （もっと読む）

【課題】回路規模を増大することなく、複数の発振周波数を自由に選択することができる発振器を提供する。
【解決手段】複数の発振回路の出力を１つの出力ノードＮ１に束ね、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の一端を、それぞれ各圧電素子に対応する増幅器の入力端に接続すると共に、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の他端を出力ノードＮ１に共通して接続する。そして、選択信号ＳＥＬによって、選択用トランジスタＳＭ１，ＳＭ２及びスイッチＳＷ１，Ｓｗ２を制御することで、圧電素子Ｘ１，Ｘ２の何れか一方を選択し駆動させることで、多入力１出力の発振器を実現する。また、複数の圧電素子のうち少なくとも一つは外部環境に影響を受けるよう実装する。 （もっと読む）

【課題】出力バッファーの面積・体積・部品点数の増加を抑制するとともに、ドライブ能力を向上させることが可能な出力バッファー回路を提供する。
【解決手段】第一駆動信号ＬＩＮを伝達する第一入力経路４ａ、第二駆動信号ＲＩＮを伝達する第二入力経路４ｂ、第一入力経路４ａと対応する第一出力バッファー６ａ及び第二入力経路４ｂと対応する第二出力バッファー６ｂを備える出力バッファー回路１において、入力経路切り替え手段８が、ステレオモード及びモノラルモードのうち、モノラルモードでは、第一入力経路４ａと第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂとを電気的に接続させ、出力経路切り替え手段１０が、第一出力バッファー６ａ及び第二出力バッファー６ｂと、第一入力経路４ａ及び第一出力バッファー６ａと対応する第一負荷２ａとを、電気的に接続させる。 （もっと読む）

【課題】被補正回路の入力信号と出力信号との間の位相差と、その目標となる位相差との間に生じている位相のずれを容易に検出すると共に、位相のずれを容易に補正して、ノイズ波を最適にキャンセルすることのできる正確な位相の出力信号を出力することのできる位相ずれ補正回路、位相可変増幅回路、位相ずれ補正方法及び位相調整方法を提供する。
【解決手段】合成部１７ａは、入力信号と出力信号とを合成する。検出部１７ｂは、その合成信号の信号レベルに基づいて、位相のずれを検出する。又、レベル判定部１８ａは、現在の合成信号の信号レベルと、１つ前の位相補正値が設定されていた時の合成信号の信号レベルとの大小関係を判定する。位相可変部１８ｄは、その合成信号の信号レベルとの大小関係に基づいて、合成信号の信号レベルが最小値になるように位相のずれを補正する。 （もっと読む）

【課題】温度特性のバラツキを解消し、縦方向のガタツキによる誤差をなくすようにした位置検出装置及び位置検出方法を提供すること。
【解決手段】ホール素子（２２ａ）のホール電圧Ｖｈｅ１は、Ａ・Ｋ・Ｂｈｅ１（Ａはプレアンプ（３２）の増幅率、Ｋは定数、Ｂｈｅ１はホール素子が受ける磁束密度）になったとすると、ＰＩレギュレータ（４１）はフィードバック制御によってＡ・Ｋ・Ｂｈｅ１＋Ｖｒｅｆ＝ＡＧＮＤ（＝０）になるように、ＰＩ出力のバイアス点を自動的に変化させる。増幅後のホール素子（２２ｂ）のホール電圧Ｖｈｅ２はＡ・Ｋ・Ｂｈｅ２となる。Ｋ＝−Ｖｒｅｆ／Ａ・Ｂｈｅ１であるから、ホール素子のホール電圧Ｖｈｅ２は、−Ｖｒｅｆ・Ｂｈｅ２／Ｂｈｅ１となる。ホール電圧は、磁束密度と比例するので、ホール素子（２２ａ）とホール素子（２２ｂ）の出力電圧を割り算していることと等価である。 （もっと読む）

【課題】電圧制御によりゲイン調整を行うゲイン可変増幅器制御用の制御電圧を、基準電圧を用いることなく生成し、電圧制御ゲイン可変増幅器全体の小型化および消費電力の削減を図る。
【解決手段】ゲイン可変増幅器制御回路を構成する差動対として、ｎチャネル型トランジスタＴＲ１１とｐチャネル型トランジスタＴＲ１２とを用い、共通のゲイン制御電圧Ｓ１をこれらトランジスタＴＲ１１およびＴＲ１２のゲートに供給する。各トランジスタＴＲ１１、ＴＲ１２を流れる電流は、ゲイン制御電圧Ｓ１が増加するにつれて一方は増加し、他方は減少する特性となり、基準電圧を用いたゲイン可変増幅器制御回路と同一特性のゲイン可変増幅器制御電圧を得ることができる。よって、基準電圧発生回路を設ける必要がないため、装置全体の小型化および消費電力の削減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】個片化された半導体集積回路チップの個片化前の半導体ウェハー上における位置を特定するのに好適なチップ位置特定システムを提供する。
【解決手段】チップ位置特定システム１を、半導体ウェハー上に形成された複数の第１の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第１の半導体チップ内における座標情報とを含む第１の外観情報及び半導体ウェハー内における第１の半導体チップの位置情報とを含むチップ位置特定用情報と、第１の半導体チップを個片化後の第２の半導体チップのパターン面における外観上の特徴的な部位の画像データ及び第２の半導体チップ内における座標情報とを含む第２の外観情報とを測定する外観検査装置１０と、第１の外観情報と第２の外観情報とを照合し、該照合結果に基づき、第２の半導体チップの個片化前の半導体ウェハー上での位置を特定するチップ位置特定装置２０とを含む構成とした。 （もっと読む）

【課題】 静電容量型加速度センサのスティクションの発生と共に基板の歪みによる特性変動をも抑止する。
【解決手段】 静電容量型加速度センサにおける錘として機能する質量部１０１と、質量部１０１に両端が支持される可動電極１０３と、可動電極１０３と対向して設けられる固定電極１０４、１０５と、固定電極１０４、１０５を、この固定電極下面の支持基板１０９に固定する固定アンカ１０７、１０８と、を含んで静電容量型加速度センサを構成する。そして、固定アンカ１０７、１０８は、固定電極１０４、１０５下面の中央部分のみと支持基板１０９とを接触させて固定する。 （もっと読む）

【課題】ホール素子に供給するバイアス電流の向きを２相のクロック信号に同期して順次交互に切替えることによって前記ホール素子から検出されるホール起電力信号を変調し、該変調されたホール起電力信号を前記クロック信号に同期して復調する変調−復調処理を行った後ΔΣ変調器でΔΣ変調し、該ΔΣ変調された信号からオフセット成分を周波数分離して除去するオフセットキャンセル処理を行い、且つ、前記ΔΣ変調器の積分器での積分動作の繰り返しにおけるデューティー比を調整するゲイン調整信号に基づいてゲイン調整を行う場合に、オフセットキャンセルの精度が損なわれないホール起電力信号検出装置などの信号処理装置を実現する。
【解決手段】クロック信号生成器によって発せられるクロック信号の各隣接する半周期の期間毎に各１つのゲイン調整を行うパルス信号を生成するゲイン調整信号生成器１４５を設けた。 （もっと読む）