【課題】大きな加速度が加わった場合にも、上層支持部と下層支持部との境界部分が損傷を受けることがなく、信頼性の高い静電容量型加速度センサを提供する。
【解決手段】基板１０１と、基板１０１上に固定された固定電極１２１、１２２と、固定電極１２１、１２２の上面に対向するように配置された可動電極１０５と、可動電極１０５を基板１０１上面に直交する方向に変位可能に基板１０１上に弾性支持する弾性支持部１８０と、を備え、弾性支持部１８０は、基板１０１上に固定された絶縁体からなる下層支持部１２１、１２２と、下層支持部１２１、１２２上に固定された上層支持部１１７と、基板１０１上面に沿って長い形状を有し、且つ一端部が上層支持部１０７に結合され他端部が可動電極１０５に結合された梁部１０６と、を有し、下層支持部１２１、１２２は、梁部１０６と上層支持部１０７との結合部分の直下に位置する部分に空隙部１３０を有する。 （もっと読む）

【課題】ホール素子に供給するバイアス電流の向きを２相のクロック信号に同期して順次交互に切替えることによって前記ホール素子から検出されるホール起電力信号を変調し、該変調されたホール起電力信号を前記クロック信号に同期して復調する変調−復調処理を行った後ΔΣ変調器でΔΣ変調し、該ΔΣ変調された信号からオフセット成分を周波数分離して除去するオフセットキャンセル処理を行い、且つ、前記ΔΣ変調器の積分器での積分動作の繰り返しにおけるデューティー比を調整するゲイン調整信号に基づいてゲイン調整を行う場合に、オフセットキャンセルの精度が損なわれないホール起電力信号検出装置などの信号処理装置を実現する。
【解決手段】クロック信号生成器によって発せられるクロック信号の各隣接する半周期の期間毎に各１つのゲイン調整を行うパルス信号を生成するゲイン調整信号生成器１４５を設けた。 （もっと読む）

【課題】入力信号の交流成分の歪み等の影響をなるべく受けることなく、本来のデューティー比（目標デューティー比）で出力信号を出力することのできるバッファ回路を提供する。
【解決手段】バッファ回路１０は、デューティー比検出部１６と直流成分生成部１７とから構成される負帰還回路部によって、入力信号増幅部１５の入出力間で出力信号ＳＯのデューティー比に応じた直流成分の信号を帰還させている。つまり、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比に応じて、入力信号ＳＩ´の直流成分をさらに小さくしたり、大きくしたりする。これにより、バッファ回路１０は、出力信号ＳＯのデューティー比を目的デューティー比に変更した上で、その出力信号ＳＯを出力することができる。 （もっと読む）

【課題】入力電圧が急激に低下した場合であっても負荷電流が低下することを防ぐ。
【解決手段】制御回路２０は、入力電圧ＶＩＮが所定の値を維持している定常状態において外部からの第１の調光信号ＤＩＭ１を駆動回路１００に供給し、駆動回路１００に第１の調光信号ＤＩＭ１に応じて駆動信号ＰＷＭを出力させる。次いで、入力電圧ＶＩＮが所定の値よりも低下したことを検出すると一定期間（負荷ＬＥＤを定電流駆動できるまで復帰するのに必要な期間以上の期間）、第１の調光信号ＤＩＭ１が入力されていなくとも第２の調光信号ＤＩＭ２を生成して駆動回路１００に供給し、駆動回路１００に該調光信号ＤＩＭ２に応じて駆動信号ＰＷＭを出力させる。 （もっと読む）

【課題】抵抗素子について、レイアウト面積の増大を防ぎつつ、周辺の電荷の影響を受けずに安定した抵抗値を得ることができ、しかも、抵抗体に印加できる電位の極性に制限のない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上のＬＯＣＯＳ酸化膜３上に形成された抵抗素子１０と、を備え、抵抗素子１０は、ＬＯＣＯＳ酸化膜３上に形成されたシールド用ポリシリコン膜１１と、シールド用ポリシリコン膜１１上に形成されたシリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３上に形成されたポリシリコン抵抗体１５と、ポリシリコン抵抗体１５の一方の端部に接合された第１の電極２１と、ポリシリコン抵抗体１５の他方の端部に接合された第２の電極２２と、シールド用ポリシリコン膜１１に接合された第３の電極２３と、を有し、第１の電極２１及び第２の電極２２うちの一方が、配線２５を介して第３の電極２３と電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】電流電圧変換回路におけるハイ・インピーダンス（Ｈｉ−Ｚ）なノードで、定電流源による電流の押し引きで発振部の電流振幅を電圧振幅に変換する場合、トランジスタのリーク電流などにより電流のバランスが崩れると、電圧の振幅が電源電圧または接地電圧に偏って安定するので、それを防止する。
【解決手段】発振部１０から供給される発信信号に従って生じる電流を電流電圧変換回路４１で変換された電圧を、インバータ回路４３でバッファリングし、その出力を、電流電圧変換回路４１の出力端子Ｎ１にＤＣバイアスを与えるようにフィードバックする。フィードバック回路４４には、例えばＢ級プッシュプル増幅器を用いる。Ｈｉ−Ｚなノードである出力端子Ｎ１の電圧は、インバータ回路４３の入力電圧のセンター付近で変化するのでインバータ回路４３の入力動作範囲外に移動することはなく、正常な動作を実現できる。 （もっと読む）

【課題】アナログ信号に含まれているサンプルホールド動作周期と同じ周期の周期性ノイズや、サンプルホールド動作周期の逓倍の周期の周期性ノイズ等に起因する影響を抑えて信号処理することのできるサンプルホールド回路及びＡＤ変換器を提供する。
【解決手段】入力されたアナログ信号をサンプルホールドするための第１のサンプルホールド回路部２３と、第２のサンプルホールド回路部２４との２つのサンプルホールド回路部を備えている。第１のパルス信号生成回路部２１は、各サンプルホールド動作周期Ｔ_SHにおいて、任意のタイミングで第１のサンプルホールド回路部２３によりアナログ信号Ａ_INがサンプルホールドされると共に、その任意のタイミングを変化させて、第１のパルス信号Ｓ₁を生成する。これにより、サンプルホールド回路２０から出力されたアナログ信号Ａ_SHに、なるべく周期性ノイズの同じオフセット成分を付加されないようにする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、様々な要因で変化する赤外線センサの精度及び感度を、校正することにより、適切に調整し、常に、高精度な赤外線センサを提供することである。
【解決手段】本発明は、赤外線センサの出力（Ｉｐ）と、センサ温度（Ｔｓ）と、補正データ（ＲＥＶ）とに基づいて測定対象物の温度を算出する温度測定方法において、補正データ（ＲＥＶ）は、測定対象物温度算出手段の出力（ＴＩＲ）を接触式温度測定手段の出力（Ｔｃｏｎｔ）に近づけるためのデータであって、（１）接触式温度測定手段が測温対象物に接触しており、かつ、（２）赤外線センサの測定視野内に測定対象物が入っている時に、取得されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＤＭＯＳトランジスタのセルピッチを短縮しながらもオン抵抗値を高めることがない、半導体装置、半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】第１の極性を有するＮ型ウェル２０２上に形成されたゲート１０１、ゲート１０１の間に形成されたソース１０２、Ｎ型ウェル２０２においてソース領域を含む領域に形成されたＰ⁺型ボディ不純物領域１０５、ゲート１０１のそれぞれの外側に設けられたドレイン１０４を含む半導体装置において、ソース１０２は、一方向に沿って交互に配置されるＮ⁺型ソース１０２ｂ及びＰ⁺型不純物領域１０２ａを含み、Ｐ型ボディ不純物領域１０５内であって、かつ、ゲート１０１によってチャネルが形成される領域とＰ⁺型不純物領域１０２ａとの間にＮ⁺型ソース低抵抗領域１１０を設ける。 （もっと読む）

【課題】ホール素子の感磁面に対し平行な磁場（水平方向の磁場）を、切替え回路におけるスイッチ素子数の増加や制御信号生成回路の複雑化を招来することなく検出でき、且つ、残留オフセットの低減効果が良好なホール電圧検出装置を実現する。
【解決手段】磁束方向転換要素（磁気収束板）２０によって感磁面に鎖交するように入射する磁束と駆動電流とによって対を成すホール素子１００，２００に生起するホール電圧を夫々に含まれているオフセット電圧を相殺するように処理する場合に、対を成すホール素子の平面投影上の配置が前記対をなすホール素子の間を通る仮想線ＶＬに対して対称の位置となるように鏡像関係で配置されているため、該処理によってオフセット電圧が相殺されるときに本来の検出対象たるホール電圧が相殺されることなく出力される。 （もっと読む）