【課題】ＣＭＯＳトランジスタにおいて、ボロンの染み出しを抑制して閾値電圧を安定させると共に、ノイズを低減できるようにした半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳトランジスタをシリコン基板１上に備える半導体装置であって、
シリコン基板１上に設けられ、窒素とフッ素とを含有するシリコン酸化膜からなるゲート酸化膜５と、ゲート酸化膜５上に設けられ、ポリシリコンからなるゲート電極７、８と、を有し、ゲート酸化膜５中のゲート電極７、８近傍の位置に窒素濃度のピークがあり、ゲート酸化膜５とシリコン基板１との界面付近の窒素濃度は０．５atom％以下であり、ゲート酸化膜５中におけるフッ素濃度は１atom％以上であり、当該フッ素によりゲート酸化膜５とシリコン基板１との界面のダングリングボンドが終端化されている。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップ電圧を利用した回路や拡散抵抗等の温度特性や絶対値のバラツキや入力電圧依存性が大きい素子を用いずに、正の温度係数が調整可能な電圧検出回路を提供する。
【解決手段】電流コンパレータ部１００の第１及び第２のｐ型ＭＯＳＦＥＴ（ＭＰ１，ＭＰ２）及び第１のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（ＭＮ１）のゲートバイアスを設定するゲートバイアス設定部１５０の設定によって、第２のｎ型ＭＯＳＦＥＴ（ＭＮ２）に入力電圧が印加されたときに第１のｐ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流（Ｉ_PTAT1）と第１のｎ型ＭＯＳＦＥＴに流れる電流との差分が一定となり及び該差分が検出部２００に流れる電流と等しくなる。環境温度に関らずに一定の検出精度を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】寄生容量を抑制しつつ、電磁波に対する遮蔽効果を十分に発揮することができるようにした受光素子及び受光素子の製造方法、半導体装置を提供する。
【解決手段】Ｐ−領域１と、Ｐ−領域１に接合されたＮ−領域３と、Ｎ−領域３の一方の面３ｂ上に形成された光透過性を有する誘電体５と、誘電体５上に形成された光透過性を有する電磁シールド７と、を備え、電磁シールド７は、ポリシリコンからなる。受光素子１０に入射してくる光は、電磁シールド７及び誘電体５を通ってＰＮ接合面３ａに到達する。このため、ＰＮ接合面３ａでは、受光量の低下を抑えつつ、電磁波の到達を抑えることができる。また、電磁シールド７とＮ−領域３との間には誘電体５が介在するため、当該間の寄生容量を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】高分解能、高耐久性、高信頼性を備えた磁性体歯車と磁気センサとバイアス磁石を用いたアブソリュートエンコーダである回転検出器を提供すること。
【解決手段】回転体の回転軸５に同軸に取り付けられた２個の磁性体歯車１，２と、この磁性体歯車１，２の各々に対向するように配置された２個の磁気センサ７，８と、磁性体歯車１，２の回転に応じて磁気センサ７，８に印加される磁束密度が変化するように配置されたバイアス磁石６とを備えている。磁気センサ７，８の各々は、磁性体歯車１，２の回転に応じて１歯あたり９０度位相差を有するＡ／Ｂ相の正弦波出力を１位相だけ出力するアブソリュートエンコーダであり、磁性体歯車１，２の歯数が１歯だけ異なるように構成されている。 （もっと読む）

【課題】エスティメートフェーズとレベルシフトフェーズとで、レベルシフト用コンデンサＣｃａ、Ｃｃｂを、全差動演算増幅器ＡＭＰ２の出力のサンプルと全差動演算増幅器のＡＭＰ２位相補償とに兼用する方式のＣＬＳ技術を適用したスイッチトキャパシタ回路１００において、入出力コモン電圧の変動を抑止するこれにより、同相入力レンジの大きさに関する要求水準を低減させて、十分な低電圧化が図られて消費電力が低減されたスイッチトキャパシタ回路を実現する。
【解決手段】エスティメートフェーズからレベルシフトフェーズへの移行に際して、複数の全差動演算増幅器ＡＭＰ１、ＡＭＰ２のうちの初段の全差動演算増幅器および最後段の全差動演算増幅器の各出力コモン電圧が等しくなるように保持する出力コモン電圧保持回路１１０を備えた。 （もっと読む）

【課題】電気絶縁性を損なうことなく、自在に変形可能な平面コイルを提供する。
【解決手段】銅めっきされた第１導体１３を埋め込んでいるフレキシブルな第１樹脂層１４と、銅めっきされた第２導体１６を埋め込んでいるフレキシブルな第２樹脂層１７と、これら第１樹脂層及び第２樹脂層の間に積層された内側絶縁層１２と、第１樹脂層の外側に積層された第１外側絶縁層１５と、第２樹脂層の外側に積層された第２外側絶縁層１８とを備え、前記内側絶縁層、前記第１樹脂層及び第２外側絶縁層を、絶縁性を有する可撓性フィルムで構成した。 （もっと読む）

【課題】ＣＬＳ技術を用いたスイッチトキャパシタ回路に適用する演算増幅器の動作速度に関する所要水準を抑制しつつ比較的振幅の大きい入力信号にも適合するという優位性を維持したスイッチトキャパシタ回路等を実現する。
【解決手段】コンデンサＣｃｌｓおよびスイッチＳＷ１０４、ＳＷ１０５、ＳＷ１０６を含んでＣＬＳ回路１２０を構成する一方、スイッチＳＷ１０７が介挿された導体部、および、ＳＷ１０４、ＳＷ１０５、ＳＷ１０６により切替え回路１３０を構成し、この切替え回路１３０によってレベルシフト用コンデンサＣｃｌｓを、サンプリングフェーズで、アナログ入力信号Ｖｉｎで充電されるように接続し、レベルシフトフェーズで、アナログ信号出力端子Ｖｂと演算増幅器１１０の出力端子との間に介挿されるように接続関係を切替えるように構成する。 （もっと読む）

【課題】構成部品を汎用品や入手が容易な部品などにより構成した場合においても、簡易な構成で、かつ小型で広範囲な距離を高精度にかつ絶対位置を即座に検出すること。
【解決手段】感磁方向が、配置された基板１０３に対して垂直な２個のホールセンサ１０２ａ，１０２ｂを１組とし、この２個のホールセンサの中心を結ぶ直線及び基板に平行に可動可能に支持し、基板上の２個のホールセンサからの出力値が減衰振動波状もしくは増幅振動波状となるようにＮ極とＳ極が所定の間隔で所定の組数着磁された磁石１０１を配置した状態において、磁石の移動方向への移動距離に対する、基板上の２個のホールセンサからの出力値を所定の相関関係を用いて位置検出を行う。 （もっと読む）

【課題】効率的に起動を行うことが可能な電源装置を提供すること。
【解決手段】電源装置の構成要素である昇圧回路の起動動作時において、昇圧回路の起動用ＰＷＭ信号のデューティを１次電圧又は２次電圧等の電源電圧に依存して変化させる。電源電圧が低電圧のときにはデューティ比を高くして起動時間の高速化を行い、電源電圧が高電圧のときにはデューティ比を低くして消費電流を低廉にする。 （もっと読む）

【課題】線形性能が優れたＧｍアンプ、このＧｍアンプを用いて高速動作が可能で、入力電圧範囲が広く、かつ線形性能の優れたＧｍ−Ｃフィルタを提供する。
【解決手段】入力信号が端子１７、１８から供給され、ソース端子が電源端子に接続されるＭＯＳトランジスタ１１、１２、同相制御信号がゲート端子から供給されるＭＯＳトランジスタ１３、１４、出力信号を出力する出力端子対の平均電圧を一定にするためＭＯＳトランジスタ１３、１４のゲート端子に同相制御信号を出力する同相制御アンプ１５、入力信号を入力して、ＭＯＳトランジスタ１１、１２に入力される入力信号の大小に応じて基板電圧を制御する基板制御信号をＭＯＳトランジスタ１１、１２の基板端子に供給する基板電圧制御回路２１、２２によってＧｍアンプを構成する。 （もっと読む）