【課題】ＭＯＳトランジスタの形成工程を利用して、トレンチアイソレーションを形成できるようにした半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１にＤＴＩ層２０とＭＯＳトランジスタとを有する半導体装置の製造方法であって、シリコン基板１に深いトレンチを形成し、トレンチが形成されたシリコン基板１に熱酸化を施して、ＰＭＯＳトランジスタ５０のゲート酸化膜１３を形成すると同時に、トレンチの内側面にＳｉＯ₂膜１４を形成する。次に、トレンチを埋め込むようにシリコン基板１上にポリシリコン膜１５を堆積し、このポリシリコン膜１５をパターニングする。これにより、ＰＭＯＳトランジスタ５０のゲート電極１７を形成すると同時に、トレンチ内にＳｉＯ₂膜１４とポリシリコン膜１８とを含むＤＴＩ層２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】２つの入力端子及び出力端子を有するＤＣ−ＤＣコンバータの制御が可能で且つ動作モード切替時の出力ノイズを抑制することが可能な制御回路を提供する。
【解決手段】第１の制御信号生成部１１０は、出力端子ＯＵＴ２の電圧に基づく信号ＶＯ２ＦＢと基準信号ＢＵＣＫ＿ＲＥＦとの誤差を増幅した第１の誤差増幅信号と、入力端子ＩＮ１から出力端子ＯＵＴ１に流れる電流に基づく信号ＩＯ１ＦＢまたは入力端子ＩＮ１から出力端子ＯＵＴ２に流れる電流に基づく信号ＩＯ２ＦＢと基準信号ＩｌｉｍＲＥＦとの誤差を増幅した第２の誤差増幅信号のうち小さいほうの誤差増幅信号に基づいて第１の制御信号ＤＴＹ＿ＢＵＣＫを生成する。第２制御信号生成部１２０は、出力端子ＯＵＴ１の電圧に基づく信号ＶＯ１ＦＢと基準信号ＢＳＴ＿ＲＥＦとの誤差を増幅した第３の誤差増幅信号に基づいて第２の制御信号ＤＴＹ＿ＢＳＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】フィルタのＱ値が変動することがないアクティブフィルタを提供する。
【解決手段】位相容量素子を含む演算増幅器、フィルタ用抵抗素子、フィルタ用容量素子、バイアス回路を含むアクティブフィルタにおいて、バイアス回路を、ゲート同士が接続されるＭＯＳＴｒ４１、４２、ＭＯＳＴｒ４１とドレイン同士が接続されるＭＯＳＴｒ４３、ＭＯＳＴｒ４４とゲート同士が接続され、ＭＯＳＴｒ４２とドレイン同士が接続されるＭＯＳＴｒ４４、ＭＯＳＴｒ４１またはＭＯＳＴｒ４２のうちのいずれか１つのソースに接続される抵抗素子４５、ＭＯＳＴｒ４１のドレインに接続される出力端子４６またはＭＯＳＴｒ４４のドレインに接続される出力端子４７によって構成し、抵抗素子４５を、フィルタ用抵抗素子と同じプロセス条件で製造し、位相補償容量素子をフィルタ用容量素子と同じプロセス条件で製造する。 （もっと読む）

【課題】簡易な演算処理を用いて、発光素子の閾値電流の検出精度の向上を図る。
【解決手段】基準値Ｋｍに対応する発光量が得られるときの駆動電流を検出し、発光量およびこれに対応する駆動電流で特定される平衡点を４点求める。４点の平衡点のうちの２点を通る一次近似式からなる特性線を３本検出し、特性線から、発光量が零となるときの駆動電流を零駆動電流として演算し、３本の特性線から得られる零駆動電流の平均値を推定閾値電流Ｉth_adv１とする。 （もっと読む）

【課題】封止部材をエッチングすることなく、光センサ装置の受光面を封止部材から露出できるようにした光センサ装置の製造方法及び光センサ装置を提供する。
【解決手段】粘着テープの粘着性を有する面であって、リードフレーム３０´から露出している領域にＩＲ素子１０の受光面１６を貼付する工程と、リードフレーム３０´の表面にＩＣ素子２０を取り付ける工程と、リードフレーム３０´とＩＣ素子２０とをワイヤー４５で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とをワイヤー４６で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とワイヤー４５、４６をモールド樹脂４９で覆う工程と、モールド樹脂４９及びリードフレーム３０´から粘着テープを除去する工程と、ダイシングストリート３６に沿ってモールド樹脂４９及びリードフレーム３０´を切断して、パッケージを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの開口部のアスペクト比を高めることができ、装置の小型化を実現できるようにした光センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線を検出するＩＲ素子１０と、ＩＲ素子１０に積層された光学フィルタ２０と、貫通した第１の開口部を有する第１のリードフレーム３１と、貫通した第２の開口部を有する第２のリードフレーム３６と、ＩＲ素子１０及び光学フィルタ２０を覆うモールド樹脂５０と、を備え、第２のリードフレーム３６上に第１のリードフレーム３１が配置されて、第１の開口部と第２の開口部とが平面視で重なり、第１の開口部と第２の開口部とが平面視で重なる領域（即ち、開口部５１）に、ＩＲ素子１０及び光学フィルタ２０が配置され、光学フィルタ２０の受光面２１はモールド樹脂から露出している。 （もっと読む）

【課題】オフしたスイッチに流れるリーク電流が出力信号に与える影響を抑制することが可能な抵抗分圧型Ｄ／Ａコンバータの提供
【解決手段】デジタル信号の上位Ｍビットの信号と下位（Ｎ−Ｍ）ビットの信号によってＮビットのデジタル信号をアナログ信号に変換する抵抗分圧型Ｄ／Ａコンバータであって、一端が第１の基準電位に接続されるスイッチと、ドレインが前記スイッチの他端に接続され、ゲートとバックゲートが互いに接続されるＭＯＳＦＥＴと、からなる２^M−１個の制御回路を備える抵抗分圧型Ｄ／Ａコンバータ。 （もっと読む）

【課題】所望の角度・方向から入射してくる光のみを受光面に到達させて検出することを可能とした光センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線を検出するＩＲ素子１０と、ＩＲ素子１０を覆うモールド樹脂４９と、モールド樹脂４９を覆う蓋体６０と、を備え、ＩＲ素子１０の受光面１６は、モールド樹脂４９の表面と同一平面に配置された状態でモールド樹脂４９から露出しており、蓋体６０には、受光面１６の視野角を制限する貫通した開口部６５が設けられている。また、リードフレーム３０をさらに備えると共に、蓋体６０には鉤状の係止部が設けられていてもよい。この場合は、蓋体６０の係止部にリードフレーム３０の外周部が嵌合することによって、蓋体６０をリードフレーム３０に固定することが可能である。 （もっと読む）

【課題】被検出体の位置を検出するとともに、被検出体の動作を的確に、かつ、高精度に判定する。
【解決手段】被検出体から発せられた赤外線を受光した赤外線検出部から出力される赤外線検出信号に基づいて、被検出体の位置および動作を判定する位置および動作判定方法であって、赤外線検出部は視野角制限体を有する少なくとも２個の赤外線センサ部を有し、２個の赤外線センサ部からそれぞれ得られる赤外線の強度の差または比をあらわす被検出体の位置信号と、赤外線の強度の各々の差または比を時間の関数とし、時間で微分することにより得た信号と、に基づいて被検出体の動作を判定する。 （もっと読む）

【課題】高速量子化器および最適化された時間遅延を提供する。
【解決手段】高速量子化器コンパレータの装置と方法は、３部を含む：プリアンプ部、再生ラッチ部、およびデータラッチ部。時間遅延は、再生ラッチ出力の最初の電圧を変えることによって減少される。電流源はコンパレータの底部に提供され、時間遅延最適化を可能にする。ＰＭＯＳ同等化スイッチが停止されたとき、クロック信号をフィードスルーにし、出力に電荷の注入を提供する。これらの電荷によって、コンパレータの時間遅延が可変となる。リセット時間が比較時間より長いために、非常に低い電流が出力電圧を決定する。 （もっと読む）