【課題】線形性に優れ、且つ、スプリアスが十分に低減された受信回路を実現する。
【解決手段】アンテナ１１０からの入力信号を増幅するローノイズアンプ１２０と、ローノイズアンプ１２０からの信号のピークをトラッキングし、トラッキングした値を保持するトラックホールド回路１３０と、トラックホールド回路１３０からの信号を平均化する平均化回路１４０と、平均化回路１４０からの信号をサンプリングし、サンプリングした信号を保持するサンプルホールド回路１５０とを含んで構成されるアナログ部の出力をデモジュレータ１６０を含んで構成されるデジタル部で復調する。これによりスプリアスの発生源となるミキサを含まないで受信回路を構成する。 （もっと読む）

【課題】部品点数の増大を伴うことなく電流センサの製造工程の簡略化および低コスト化を図る。
【解決手段】リードフレーム５０上に形成されたセンサ部５３とフレーム外枠５１とを一体にモールド成形してセンサパッケージ２１を形成する。このとき、磁性体コア１３が、フレーム外枠５１側から、フレーム外枠５１とセンサ部５３とを、Ｕ字状部分で挟み込むように、磁性体コア１３を配置するためのコア挿入用孔２１ａをセンサパッケージ２１内に同時に形成する。センサパッケージ２１を形成した後、この形成されたコア挿入用孔２１ａに磁性体コア１３を挿入する。そして、センサパッケージ２１と一体にモールド整形されたフレーム外枠５１の部分を一次導体１２として利用する。 （もっと読む）

【課題】フラクショナル分周器の分周数を周期的に切り替えることに起因するフラクショナルスプリアスを抑制したアキュムレータ型フラクショナルＮ−ＰＬＬおよびその制御方法を実現する。
【解決手段】アキュムレータ型フラクショナルＮ−ＰＬＬシンセサイザ１００を、その参照信号入力側の位相検出器の前段にアキュムレータ１２０からの誤差信号によって上記参照信号に対し位相調整を行う位相調整回路１３０を介挿して構成し、出力段のＶＣＯ１１４の出力を前段側にフィードバックするフラクショナル分周器１１５の出力である帰還信号と、上記位相調整された参照信号との両信号の位相差が生じないようにして、該両信号の位相差に応じた出力を得る位相検出器１１１の出力によってチャージポンプ１１２が駆動されないようにすることによって、フラクショナル分周器１１５の分周数を周期的に切り替えることに起因するフラクショナルスプリアスを抑制するように構成する。 （もっと読む）

【課題】可動電極に対向する固定電極の容量において、検出軸に垂直な方向に加速度がかかった際に、容量変化を起こさない電極配置パターン構造を有する静電容量型加速度センサを提供すること。
【解決手段】静電容量型加速度センサ１００は、一側電極セルＡ１と他側電極セルＡ２とからなる電極セル構造Ａを備えている。一側電極セルＡ１は、重錘体１０１の一側に設けられた一対の可動電極１０１ａ，１０１ｂと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極１１１ａ，１１２ａと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極１１１ｂ，１１２ｂとで構成されている。他側電極セルＡ２は、重錘体１０１の他側に設けられた一対の可動電極１０２ａ，１０２ｂと、その外側に各々配置された一対の外側固定電極１２１ａ，１２２ａと、その内側に各々配置された一対の内側固定電極１２１ｂ，１２２ｂとで構成されている。 （もっと読む）

【課題】モールド成型によりパッケージ化されてなる半導体装置において、パッケージからのストレスに起因する半導体デバイスの特性変化のさらなる抑制を図る。
【解決手段】Ｓｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂ全体をＳｉＯ₂膜２０５とＳｉＮ膜２０６とで覆い、２つのＳｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂ間のＳｉ基板２０１表面に、化合物半導体デバイスからなるホール素子２０８の感磁部を形成する。ホール素子２０８とＳｉ−ＬＳＩ２０２ａ、２０２ｂとを金属配線２１０で接続した後、ＳｉＮ膜２１１、ＳｉＯ₂膜２１２を形成して平坦化し、その上にＡｌ配線２１３を形成する。基板上面からみて、Ａｌ配線２１３の、ホール素子２０８と重なる領域にエッチング溶液注入穴２１４を形成しここからエッチング溶液を注入してＡｌ配線２１３の下部のＳｉＯ₂膜２１２を除去し中空部２１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】インダクタに流れる過電流を制限することができ、且つ太陽電池に電流が逆流することを防止できるスイッチング電源回路を実現する。
【解決手段】インダクタに流れる電流ＩＬ１が限界電流値に達する瞬間から、入力電圧と既定の第１の基準電圧との差に応じたデューティのＰＷＭ信号ＰＷＭ２＿Ｂをクロック信号ＣＬＫ１の９周期分の時間だけディレイさせたディレイ信号ＴＤとＰＷＭ信号ＰＷＭ２との論理和をとった信号ＰＧＡＴＥを電流ＩＬ１の流路を制御するＰチャネルＭＯＳトランジスタＳＷ２に入力することで、太陽電池Ｂ１に電流が逆流することを防止する。 （もっと読む）

【課題】コストの増大を抑えつつ、ホール素子のオフセット電圧Ｖｏを低減することができるようにしたホール素子及びその製造方法と、半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１に設けられた第１のＮ型拡散領域１０と、半導体基板１に設けられ、第１のＮ型拡散領域１０に電気的に接合された複数の第２のＮ型拡散領域２０と、半導体基板１に設けられ、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々の間を電気的に分離するＳＴＩ領域３０と、を有する。第１のＮ型拡散領域１０は感磁部であり、複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々は感磁部に対する入出力端子部である。複数の第２のＮ型拡散領域２０の各々におけるＮ型の不純物濃度は、ＳＴＩ領域３０の底部３０ｂを基点に深さ方向で０μｍ以上、０．２μｍ以下の範囲内で、５×１０¹⁷個／ｃｍ³以上、３×１０¹⁹個／ｃｍ³以下である。 （もっと読む）

【課題】低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラを提供する。
【解決手段】配線基板１と、配線基板１の表面１ａ上に接合されたＩＲ発光装置６０と、配線基板１の表面１ａ上であってＩＲ発光装置６０から離れた位置に接合されたＩＲ受光装置５０と、を備え、配線基板１の表面１ａ上において、ＩＲ発光装置６０が有する発光部６１の発光面６１ａと、ＩＲ受光装置５０が有する光学フィルタ２０の受光面２０ａとが対向している。ＩＲ発光装置６０と受光装置５０とが上下ではなく、水平方向の位置関係となるため、フォトカプラの高さを小さくすることが可能である。また、発光面６１ａから出力された光は、凹状の反射面等を介することなく、直接に受光面２０ａに入射するため、凹状の反射面等は不要であり部品点数を減らすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】目的とする細胞種の有無を高精度に検出できる細胞検出装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る細胞検出装置は基板１及び基板１上に配置される容量検出素子を備える。容量検出素子は、基板１に対してその一部が接して及び他の部分が離間して及び該他の部分の端部であって該一部と反対側の端部が基板１に接して配置される配置される第１の電極Ｐ１、及び、第１の電極Ｐ１の離間した部分と少なくとも一部対向して且つ基板１と接して配置される第２の電極Ｐ２からなる。細胞検出装置は第１の電極Ｐ１の離間した部分と基板１の間に形成される細胞の流路を備える。 （もっと読む）

【課題】インバータとの接続点であるノードの最高電圧及び最低電圧が最適な電圧になるようにし、各ノードの信号の電圧の変化によって生じるクロック信号の周波数のずれを抑えることのできる発振器を提供する。
【解決手段】複数のインバータＩ₁，Ｉ₂のうちのインバータＩ₁の接続点であるノードＮ₁の信号Ｓ₁の最高電圧及び最低電圧が、２つの容量素子Ｃ₁，Ｃ₂の容量値ｃ１，ｃ２と抵抗素子Ｒ₁の抵抗値ｒ₁とによって任意の電圧になるようにする。これにより、信号Ｓ₁の最高電圧及び最低電圧を、本来の最高電圧又は最低電圧にすることができ、ノードＮ₁の信号Ｓ₁の電圧ｖ₁の変化によって生じるクロック信号Ｓ_OUTの周波数Ｔ_Oのずれを抑えることができる。 （もっと読む）