【課題】小型薄型でかつ簡便な素子形状を有し、外部からの熱放射（輻射）や感熱素子自体からの熱放射等の温度外乱やセンサ素子の設置場所に温度分布があったとしても、安定して被測定物の温度を検知する。
【解決手段】赤外線を検出して電気信号として出力するセンサ素子１と、前記センサ素子からの出力を外部装置へ出力するための接続端子４と、前記センサ素子と前記接続端子とを電気的に接続する接続配線３と、前記受光面を開口した状態で該センサ素子を前記接続端子と前記接続配線とともに封止する封止部材５とを具えた赤外線センサ１０であって、前記封止部材は、前記センサ素子を保持する保持部と、前記受光面の周囲を取り囲んで前記保持部から延びるように形成することにより前記受光面の赤外線に対する視野範囲を制限する視野角制限窓６とを有し、該視野角制限窓は、前記赤外線の進入位置から前記受光面に向けて幅広になる逆テーパ状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】視野角制限体を一体で配置した赤外線センサにおいて、視野角制限体の存在による測定誤差の発生を防止した赤外線センサを提供することにある。
【解決手段】所定の視野角以外からの光が入射しないように視野角制限を行う視野角制限部と、前記視野角制限部の上流側の開口部に設けられ、該開口部から入射する光のうち赤外線のみを下流側に透過する光学フィルタと、前記視野角制限部下流側に接続され、前記光学フィルタを透過した赤外線を光電変換して電気信号として出力する光電変換部を有する赤外線センサ素子とを備えた赤外線センサであって、前記赤外線センサは、前記赤外線センサ素子の温度を測定する温度センサを前記視野角制限部と前記赤外線センサ素子と熱的に一体構成にして樹脂封止していることを特徴とする赤外線センサである。 （もっと読む）

【課題】入力抵抗周りの寄生容量による影響を抑制し、利得制御信号による利得の設定値に対する可変利得反転増幅回路の利得の線形性を維持して、利得が低い領域においても適切な利得制御を行うことが可能な可変利得反転増幅回路を実現する。
【解決手段】演算増幅器２０の反転入力端子への入力信号Ｖｉｎの供給を第１のスイッチ３１のオン・オフ動作によって断続し、該断続におけるオン期間の比率によって可変利得反転増幅回路としての利得を制御する。演算増幅器２０の入力抵抗１３の一端側と第１のスイッチの一方の極側との接続点であるＡ点を、第１のスイッチ３１のオン・オフ動作とは逆位相の関係でオン・オフ動作が制御される第２のスイッチ３２およびボルテージフォロア回路３４を介して、低インピーダンスの直流電圧源としての接地点に接続するようにして寄生容量による影響を抑制する。 （もっと読む）

【課題】小型かつ薄型で、測定精度の高い簡易な構成の赤外線ガスセンサを提供すること。
【解決手段】本発明の赤外線ガスセンサは、赤外光を含む光を発する赤外光源１と、この赤外光源１からの赤外線を受ける赤外線センサ５と、この赤外線センサ５上に配置された特定の波長を通すバンドパスフィルタ7と、赤外光源１と赤外線センサ５とを支持する基板２と、赤外光源１と赤外線センサ５とを覆うドーム型筐体9とを備えている。赤外線センサ５の受光面の視野内に赤外光源１の発光面はなく、赤外光源１から発した光は、ドーム型筐体９の内面に反射して赤外線センサ５に入射するように構成されている。 （もっと読む）

【課題】電圧降下することなく漏れ電流が小さな電圧切り替え回路の提供。
【解決手段】この発明は、入力端子１０１、１０２に電圧Ｖ１、Ｖ２を入力し、そのうちの高い方の電圧を出力電圧Ｖｏｕｔとして出力端子１０３に出力する。入力端子１０１には、ＭＯＳトランジスタＭ１のソース、バルク、ＭＯＳトランジスタＭ２のゲート、バルクが接続されている。入力端子１０２には、ＭＯＳトランジスタＭ４のソース、バルク、ＭＯＳトランジスタＭ３のゲート、バルクが接続されている。ＭＯＳトランジスタＭ１のドレインとＭＯＳトランジスタＭ２のソースが接続され、ＭＯＳトランジスタＭ３のソースとＭＯＳトランジスタＭ４のドレインが接続されている。出力端子１０３には、ＭＯＳトランジスタＭ１のゲート、ＭＯＳトランジスタＭ２のドレイン、ＭＯＳトランジスタＭ３のドレイン、およびＭＯＳトランジスタＭ４のゲートが接続されている。 （もっと読む）

【課題】ウェル層と基板の間の空乏層幅を抑制し、かつＣＭＯＳトランジスタとの混載が可能なホール素子を含む半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】Ｐ型基板１０１に設けられたＮウェル層１０３と、Ｎウェル層１０３の上面においてＸ方向に沿った電流を流す電流入力端子１１０、１１１と、前Ｎウェル層１０３の上面においてＸ方向と直交するＹ方向に沿った磁界を発生する電圧出力端子１１２、１１３と、を備える半導体装置において、Ｎウェル層１０３の底面とＰ型基板１０１との間に、導電型がＮ型であって、かつＮウェル層１０３よりも不純物濃度の高い空乏層幅抑制用Ｎ⁺層１２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】出力電圧の降下をなくすことにより、変換効率の低下および充電時間の長期化が生じることなく、出力電流を制御電流値に制御できるスイッチング電源装置の提供。
【解決手段】この発明は、出力電流を予め定めた制御電流値に制御するスイッチング電源装置であって、入力電流が供給されるスイッチング素子を含み、スイッチング素子のオンオフに応じた出力電流を出力端子に出力するドライバＤ１と、入力電流に応じた電圧を出力する電流センサＳ１と、出力電流を制御電流値に制御するための制御電圧を生成して出力する制御電圧生成部ＣＶＧＥＮと、電流センサＳ１の出力電圧と制御電圧生成部ＣＶＧＥＮが出力する制御電圧との差分を出力する差動増幅器ＡＭＰ１と、差動増幅器ＡＭＰ１の出力に応じたデューティのＰＷＭ信号を生成し、これによりスイッチング素子をオンオフ制御するＰＷＭコントローラＰ１と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】縦型アニール炉を使ったバッチ処理方式によってアニールを行った場合にも基板表面に異物が発生することがない、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１の表面にシリコン窒化膜１０２を形成する工程と、ＳｉＮ膜１０２上に、５ｎｍ以上、１４０ｎｍ以下の厚さのＳｉＯ2膜１０３を形成する工程と、シリコン窒化膜１０２及び酸化膜１０３が表面に形成されたキャップ付き基板１を、表面を上にして複数枚互いに離間して上下方向に配置させた状態でアニールする工程と、アニール後のキャップ付き基板１から、ＳｉＮ膜１０２及びＳｉＯ2膜１０３を除去する工程と、を含む半導体製造方法によって化合物基板をアニールする。 （もっと読む）

【課題】バイポーラトランジスタのエミッタ窓における絶縁膜厚の変動をなくし、素子特性が安定した半導体装置を提供する。
【解決手段】バイポーラトランジスタを、コレクタ領域を含む基板１、基板１上にエピタキシャル成長で形成されたＳｉＧｅ層１２６、ＳｉＧｅ層１２６上にポリシリコンによって形成されたエミッタ１０８を備え、エミッタ１０８とＳｉＧｅ層１２６との界面において、ポリシリコン膜１０６とＳｉＮ膜１２７とでエミッタ窓１２０を形成し、ＳｉＮ膜１２７がＳｉＧｅ層１２６の直上に配置されるように形成する。 （もっと読む）

【課題】検知すべき吸収波長帯に適したバンドギャップを有する光吸収層の材料を容易に、かつ、自由に設計することができ、ＩｎＳｂ以外のバッファ層を用いることなく、各用途に応じた高感度な量子型赤外線センサを実現すること。
【解決手段】本発明による量子型赤外線センサを作製するための化合物半導体積層体は、基板に、ｎ型コンタクト層、光吸収層、ｐ型バリア層、ｐ型コンタクト層が順次積層された積層体であって、前記光吸収層として、ノンドープまたはｐ型ドーピングされたＩｎＳｂと、ノンドープまたはｐ型ドーピングされたＧａＳｂ、ＡｌＳｂ、ＡｌＧａＳｂ、ＩｎＡｓのうちいずれか一つとが周期的に積層された超格子構造体を採用することを特徴とする。 （もっと読む）