【課題】小型化された構造においても温度ヒステリシスの低減が可能な圧力検出装置を提供する。
【解決手段】受圧部にかかる圧力を電気信号に変えて検出する圧力検出素子において、基板と、基板の裏面に設けられ、その底部が受圧部となる凹部と、受圧部に設けられた歪センサ部と、基板に設けられ、歪センサ部に接続された拡散配線と、基板の表面上に設けられ、拡散配線と接続された金属膜とを含み、受圧部が、基板の表面に垂直な対称中心軸に対して対称な形状からなり、対称中心軸から受圧部の端部までの最短距離Ｌと、受圧部の端部から金属膜までの最短距離Ｓとの間に、以下の式（１）：
Ｌ／Ｓ≦３．５ （１）
の関係が成立する。 （もっと読む）

【課題】同一のダイアフラム径、同一設計ルールの回路パターンを維持しながらチップサイズを縮小しても、環境温度とセンサ出力との間における温度ヒステリシスの発生しない半導体圧力センサを提供すること。
【解決手段】ｐ型半導体基板１３ａの一面の中央部に設けられる凹部により形成される薄膜のダイアフラム１２ａを有し、該ダイアフラム１２ａに対向する他面に形成されるＮ型島領域に形成されるｐ型領域であって圧力ゲージ１４ａを含むセンサ領域１１ａと、該センサ領域１１ａの外側の前記半導体基板１３ａに形成され、前記ダイアフラムで受けた外部圧力を変換した電気信号を増幅する回路を含む回路領域１０ａとを備える半導体圧力センサにおいて、前記回路領域１０ａが前記センサ領域の外側であってダイアフラム１２ａに対向する他面内に延在している半導体圧力センサとする。 （もっと読む）