説明

Fターム[4M113AA60]の内容

超電導デバイスとその製造方法 (1,906) | ジョセフソンデバイス (271) | その他のジョセフソンデバイス (4)

Fターム[4M113AA60]に分類される特許

1 - 4 / 4


【課題】高温超伝導体である高度に層状化された異方性BSCCO単結晶を利用した本来的に存在する多重積層された固有ジョセフソン接合を用いて、特に1乃至5THz周波数帯域の単色的でありコヒーレントの強力且つ連続的な電磁波を生成する実用的なTHz帯域電磁波発振装置を提供する。
【解決手段】
多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体BSCCO構造の単結晶体により形成され、前記単結晶体が発振するテラヘルツ帯域電磁波の基本波の高次調波を利用することを特徴とする。ここで前記基本波の周波数は0.648THzであり、前記高次調波は4次調波であって、2.589THzである。 (もっと読む)


【課題】小型軽量、高効率で連続発振が可能であり且つコヒーレントで周波数可変なTHz領域帯の電磁波発振装置(デバイス)であって、指向性を有する高強度出力のTHz帯域電磁波発振装置を提供する。
【解決手段】多重積層型固有ジョセフソン接合を有する超伝導体BSCCO構造の単結晶体を発振手段とし、前記単結晶の上に形成される矩形平面メサ構造の水平方向から上方に所定角傾いた方向に放射される電磁波を利用する。ここで、前記所定角は、その中心角を60度とし、52.5乃至67.5度の範囲である。 (もっと読む)


【課題】絶縁バリア層の形成を不要とする新たな超伝導量子干渉素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】超伝導量子干渉素子10は、リング部12Aを有する超伝導体層12と、この超伝導体層12のリング部12Aの一部を跨いで配設された強磁性層13,13と、を有する。2つの強磁性層13、13がリング部12Aに跨いで被覆している。超伝導体層12のリング部12Aのうち強磁性層13,13で被覆した領域12B,12Bが、強磁性層13により超伝導体(S)から絶縁体(I)へ転移し、障壁となる。この構造により所謂SIS型のジョセフソン接合が2箇所で形成されるため、所謂DC−SQUIDを構成する。 (もっと読む)


【課題】 より高い周波数と出力強度を発生させることができる積層ジョセフソン接合を用いたテラヘルツ発振器を提供する。
【解決手段】 超伝導層と絶縁層との固有ジョセフソン接合が直列に積層されている積層ジョセフソン接合を有する超伝導体単結晶の素子を用いたテラヘルツ発振器において、前記ジョセフソン接合が、幅が狭く、奥行きが長い接合であり、狭い素子幅に磁界を印加して四角形に並んだ磁束格子を形成し、前記狭い素子幅による定在波の共鳴を起こさせるように構成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


1 - 4 / 4