【課題】光電変換部及び電荷蓄積部の電荷蓄積期間の同時性を確保しつつダイナミックレンジを拡大することができる撮像装置、撮像システム及び撮像装置の制御方法を提供することを課題とする。
【解決手段】光電変換により生じた電荷を蓄積する光電変換部と、前記光電変換部からの電荷を蓄積する電荷蓄積部と、前記電荷蓄積部に蓄積された電荷を転送する転送部と、前記転送部によって転送された電荷をリセットするリセット部と、前記転送部による転送動作、及び前記転送動作の後の前記リセット部によるリセット動作が、前記光電変換部での１回の電荷蓄積期間に複数回行われるように、前記転送部と前記リセット部とを制御する制御部と、を有することを特徴とする撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、電荷保持部からＦＤへの電荷転送時に空乏層の広がりを抑制し、加えて電荷保持部からＦＤへの転送路が狭まることのないようにすることで、低電圧での電荷転送を可能とすることを目的とする。
【解決手段】 光電変換部１０１、電荷保持部１０２、転送部１０３、センスノード１０４がＰ型ウェル１０７の内部に形成される。電荷保持部１０２は、光電変換部とは別の場所で電荷を保持する第１半導体領域であるＮ型半導体領域１１０を含んで構成される。Ｐ型ウェル１０７よりも高濃度のＰ型半導体領域１１１がＮ型半導体領域１１０の下部に配される。 （もっと読む）

【課題】３次元構造とすることにより装置の小型化が図られると共に、受光面積を減少させることなく、受光部が形成された基板に所望の電位を供給することができ、プロセス制約上実現可能な固体撮像装置、及びその製造方法を提供する。また、その固体撮像装置を用いた電子機器を提供する。
【解決手段】複数の基板が、配線層又は絶縁層を介して積層し、複数の基板のうち、光入射側に配された基板には、受光量に応じた信号電荷を生成する受光部を形成する。さらに、受光部が形成された基板の反光入射面側に接続され、該基板の反光入射側に配された配線層の配線から該基板に所望の電圧を供給するコンタクト部を形成する。このコンタクト部を介して、受光部が形成された基板の下層に配された配線層の配線から、受光部が形成された基板に、所望の電位を供給する。これにより、受光面積を減少させることなく、受光部が形成された基板に所望の電位を供給することができる。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素セルが微細化されても取り扱い信号電荷量を確保する。
【解決手段】光電変換部を有する複数の画素４２が配列された画素領域を備える。
光電変換部は、半導体基板４３の表面側の第１導電型半導体領域６１と、半導体基板４３の内部側の第２導電型電荷蓄積領域６３と、両領域６１及び６３との間に挟まれた真性半導体領域６２、又は第２導電型電荷蓄積領域６３より低不純物濃度のｐ型半導体領域とを有する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの面積を充分に確保して、かつ、グローバルシャッタを実現することが可能な構成の固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオードＰＤと、転送ゲート１４と、第１導電型のソースＳ及びドレインＤと、第１導電型のチャネル領域１８と、ゲート１５及びゲート絶縁膜１２とから成る増幅トランジスタと、転送ゲート１４の下から増幅トランジスタのバックゲート部にまでわたって形成されたｎ型の半導体領域１６とを含み、転送ゲート１４によりｎ型の半導体領域１６に転送された電荷によって生じる、増幅トランジスタの閾値変調が、電圧として読み出される固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】感光期間において信号電荷の転送を行うことが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】２次元状に配列された複数の単位セル１６を備える固体撮像装置であって、単位セル１６は、ｐ型半導体基板１上に設けられた光電変換膜８と、光電変換膜８で生成した信号電荷を収集する信号電荷収集手段と、信号電荷収集手段により収集された信号電荷を蓄積する信号電荷積分手段とを備え、信号電荷収集手段は、ｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型電荷収集拡散層５と、ｎ型電荷収集拡散層５および光電変換膜８と電気的に接続された画素電極７とを有し、信号電荷積分手段は、ｎ型電荷収集拡散層５を取り囲むようにｐ型半導体基板１内に設けられた上面ｐ型拡散層２と、ｎ型電荷収集拡散層５の下方に上面ｐ型拡散層２と接するようにｐ型半導体基板１内に設けられたｎ型電荷積分拡散層３とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＣＣＤ固体撮像装置において、大信号に対応でき、小信号時のＳ／Ｎ特性を確保できるようにする。
【解決手段】複数の受光センサ部２と、受光センサ部２の信号電荷を垂直方向に転送する複数の垂直転送レジスタ３と、信号電荷を水平方向に転送する水平転送レジスタ４を有する。さらに、水平転送レジスタ４の出力側に設置されたフローティングゲート型アンプ７と、フローティングゲート型アンプ７の後段の水平転送レジスタ８に設置されたフローティングディフージョン型アンプ９と、フローティングゲート型アンプ７とフローティングディフージョン型アンプ９との間の水平転送レジスタ８に設置されたオーバーフロードレイン機構１０を有する。 （もっと読む）

【課題】ハイライト光が入射した場合に発生する過剰電荷を均一かつ正確に排出することが可能な固体撮像素子及び装置の提供。
【解決手段】ｐｎ接合を有する光電変換素子２０３を含んでなる画素が、マトリックス状に形成された画素領域と、該画素領域において、半導体層の第１面側に形成されたＭＯＳトランジスタを、少なくとも１つ含む画素信号読み出し回路２１０と、を備え、前記画素のそれぞれは、前記半導体層の前記第１面側に形成された第１導電型の第１半導体領域３２２と、前記第１半導体領域と電気的に接続される電位制御配線３２０と、を有し、前記光電変換素子のｐｎ接合を構成する第２導電型の第２半導体領域が、前記画素信号読出し回路を構成するＭＯＳトランジスタの第２導電型不純物領域と前記第１導電型半導体層を介して隣接するよう配置されてなり、前記光電変換素子への光の入射は、前記第１面側とは反対の第２面側からなされる。 （もっと読む）

【課題】クロストークを低減可能な裏面入射型のリニアイメージセンサ、該リニアイメージセンサの駆動方法、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板表面側における受光部５０と水平転送部７０との間に、高速転送部６０を形成し、高速転送部にて発生したノイズ電荷を独立に排出する機構を設けた。又、基板裏面に形成した光入射領域の境界１０，１１を上記高速転送部に対向する位置に形成した。 （もっと読む）

【課題】光電変換領域間での信号電荷の分離を確実に実現することができ、かつ高感度の裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】半導体基板内に不純物を導入することより第１の画素分離領域を形成する工程と、前記半導体基板表面に、第１のエピタキシャル成長層を形成する工程と、前記第１のエピタキシャル成長層を貫通し前記第１の画素分離領域に当接するように第２の画素分離領域を形成する工程と、前記第１及び第２の画素分離領域で画定された半導体基板内に光電変換部および周辺回路部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型固体撮像素子におけるクロストーク，混色を防止する。
【解決手段】 半導体基板１と、半導体基板１の表面側に二次元アレイ状に形成され半導体基板１の裏面側から入射した光によって光電変換された信号電荷を蓄積する複数のフォトダイオード２２と、裏面側の半導体基板自体に埋設され各フォトダイオード２２への入射光を隣接するフォトダイオード２２から区画する遮光部材２８とを備える。遮光部材２８を半導体基板１自体に埋設する構造を採用するため、遮光部材２８の光入射方向の長さを長くでき、遮光性能の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、高感度化と画素の微細化を図ることが可能な固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】受光部１１０の第２基板面側に形成され、蓄積された電荷を処理する素子領域部ＥＡＰと、を含み、受光部の上記第１導電型導電層を第２導電型層で基板の法線方向に二つに分割して第１領域１１１−１および第２領域１１１−２が形成され、第１領域に隣接する基板面に平行な方向に隣接する第２導電型分離層１１３内に第１導電型電極層１３１が形成され、第１基板面の光入射側に形成された透明電極１３３が形成され、第２の第１導電型電極層と、受光部の第１領域と第２の第１導電型電極層との間の上記第２導電型分離層と、受光部の第１領域とを含むメモリトランジスタ１３５が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フォトキャリアの生成、蓄積、電荷読み出し、残留電荷の送出(リセット)という一連の動作を効率的、高速に行い、光の青に対する感度を劣化させず、高感度化と画素の微細化を図ることが可能な固体撮像装置およびカメラを提供する。
【解決手段】第１基板面１０１側からの光を受光し、受光した光の光電変換機能および電荷蓄積機能を有する受光部１１０と、受光部の第１導電型導電層１１１，１１２の側部に形成された第２導電型分離層１１３と、検出トランジスタ１２３の形成領域に基板面に平行な方向に隣接する第２導電型分離層内に形成された第１導電型電極層１１８と、検出トランジスタの第２導電型分離層に隣接する第２導電型電極層との間の第２導電型分離層と、受光部の第１導電型導電層とを含むリセットトランジスタ１２４とを有する。 （もっと読む）

【課題】転送効率が１００％でないことに起因する画質劣化を適切に補正し高画質の撮像画像データを得る。
【解決手段】半導体基板表面部に二次元アレイ状に形成され各々が受光量に応じた信号電荷を検出する複数の光電変換素子と、各光電変換素子が検出した信号電荷の転送を受け該信号電荷を出力部に転送する電荷転送路４と、各光電変換素子が検出した信号電荷の転送を受けて一時蓄積し制御信号に基づき該信号電荷を電荷転送路４に移す電荷一時蓄積部５とを備えるＣＣＤ型固体撮像素子の駆動方法において、転送対象となる電荷を電荷一時蓄積部５から電荷転送路４に移すとき該電荷を移したパケットの転送方向直後に対となる空パケットを電荷転送路４に形成し、該電荷の転送で生じる転送残り電荷を対となる空パケットで受けて転送し出力する。 （もっと読む）

【課題】高感度画素と低感度画素の感度比を、変化させることができる固体撮像素子を提供する。
【解決手段】第１の光電変換素子３５０と第２の光電変換素子３６０がそれぞれ正方格子状に配列され、互いに配列ピッチの１／２だけ行方向Ｘ及び列方向Ｙにずれた位置に配列されている。光電変換素子３５０、３６０の検出電荷は、複数の垂直転送部３１０、水平転送部３２０を経て、出力部３４０に送られる。光電変換素子３５０、３６０の上方にカラーフィルタが設けられ、カラーフィルタは、それぞれベイヤー配列となっている。光電変換素子３５０の電荷読み出し領域と第２光電変換素子３６０の電荷読み出し領域は、それぞれ、異なる位置関係にある垂直転送電極に対応する位置に設けられる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＳＯＩウエハを使用しながら、綿密に膜厚が制御された酸化膜を有する裏面照射型固体撮像素子を得ることを目的とする。
【解決手段】
本発明の裏面照射型固体撮像素子５４は、裏面に膜厚１〜５０ｎｍの酸化膜２を備えた半導体基板１と、半導体基板１の表面側に形成された受光部４４と電荷転送部４６と、酸化膜４４上に形成されたカラーフィルター１９とマイクロレンズ２２を備える。酸化膜２を備えた半導体基板１が、シリコン基板上に酸化膜とシリコン層が形成されたＳＯＩウエハを、ＫＯＨを主成分とする溶液で該シリコン基板を除去することにより作製される。 （もっと読む）

【課題】微細化に有利で且つ青感度の低下を防ぐことが可能なオーバーフロードレイン機構を有する裏面照射型撮像素子を提供する。
【解決手段】ｐ基板３０の裏面側から光を照射し、前記光に応じてｐ基板３０内で発生した電荷をｐ基板３０の表面側から読み出して撮像を行う裏面照射型撮像素子１００であって、ｐ基板３０内のｐ基板３０表面近傍の同一面上に形成された前記電荷を蓄積するための複数のｎ層４と、複数のｎ層４の各々とｐ基板３０の表面との間に形成され且つｐ基板３０表面に露出する露出面を有する不純物拡散層であって、複数のｎ層４の各々に蓄積される不要な電荷を排出するためのオーバーフロードレインとして機能する複数のｎ＋層６と、複数のｎ＋層６の各々と複数のｎ層４の各々との間に形成され、オーバーフロードレインのオーバーフローバリアとして機能する複数のｐ＋層５と、複数のｎ＋層６の各々の露出面に接続された電極７とを備える。 （もっと読む）

【課題】十分なゲッタリング特性が得られる裏面照射型撮像素子の製造方法および裏面照射型撮像素子、並びにこれを用いた撮像装置を提供する。
【解決手段】第１半導体支持基板と該第１半導体支持基板上に絶縁層を介して形成された導電型半導体層とから成るＳＯＩ基板 に対して、導電型半導体層内に受光部を含む光電変換領域および該光電変換領域で発生する信号電荷を信号出力部に転送するための電荷転送部を形成する第１ステップＳ１１と、ＳＯＩ基板の第１半導体支持基板とは反対側の面を第２半導体支持基板に固定する第２ステップＳ１２と、ＳＯＩ基板から第１半導体支持基板を除去する第３ステップＳ１３と、ＳＯＩ基板の導電型半導体層にゲッタリング用のイオン注入を行う第４ステップＳ１４と、を含むようにした。 （もっと読む）

【課題】可視光と赤外光の同時撮像が可能な固体撮像装置において、赤外光の受光感度を向上する。
【解決手段】赤外光検知画素の有効領域を、可視光検知画素の有効領域よりも深い所まで形成する。Ｎ型半導体基板の表面からの深さ方向における画素の有効領域において、Ｎ型ドーパントの濃度が、半導体基板の表面側から深くなるほど低濃度となるように変調ドーピングを施す。Ｐ型ドーパントの濃度のピーク位置がＮ型ドーパントの濃度のピーク位置よりも深くなるようにＰ型ドーパントを施す。 （もっと読む）

【課題】開口率の低下を抑制しながらも、所望の特性改善が可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１を、複数の画素１ａのうち、少なくとも一部において、フォトダイオード５及びトランジスタと分離された独立第１導電型領域９が設けられ、独立第１導電型領域９が、隣り合う画素間で連続して、かつ、各画素内では不均一に設けられた構成とする。 （もっと読む）