【課題】リセット用ＴＦＴのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成せずに２Ｔｒ−１Ｃ回路を製造することができるとともに、高精度に電荷検出を行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、電荷生成膜６０と、電荷収集用電極５０と、電荷検知用キャパシタ３０と、電荷検出用薄膜トランジスタ２０と、リセット用薄膜トランジスタ４０と、電荷生成膜、電荷収集用電極、電荷検知用キャパシタ、電荷検出用薄膜トランジスタ、及びリセット用薄膜トランジスタを支持する支持基板１０と、を有する。電荷収集用電極の一部５０Ａが、電荷検出用薄膜トランジスタ２０の活性層２８上に絶縁膜１８Ａを介して絶縁した状態で張り出しているとともに、電荷検出用薄膜トランジスタのゲート電極Ｇを兼ねている。好ましくは、電荷収集用電極が、リセット用薄膜トランジスタ上にも絶縁した状態で張り出している。 （もっと読む）

【課題】 コンパクトな構成で、第１の電極層近傍に存在する残存電荷を消去する。
【解決手段】 放射線画像検出器１０は、赤外光Ｌ３の照射により該赤外光Ｌ３よりも波長の短い蛍光Ｌ４を発するアップコンバージョン蛍光体層１７と、第１の電極層１１と、放射線の照射量に応じた電荷を発生する記録用光導電層１２と、蓄電部１６と、電荷輸送層１３と、読取光の照射により導電性を呈する読取用光導電層１４と、第２の電極層１５とを有している。第２電極層１５側には、面状光源が設けられ、消去時には赤外光Ｌ３および青色光Ｌ２を射出する。赤外光Ｌ３は、各層を透過して、アップコンバージョン蛍光体層１７を照射する。この赤外光Ｌ３の照射によりアップコンバージョン蛍光体層１７から蛍光Ｌ４が発せられる。この蛍光Ｌ４により、第１の電極層１１近傍に存在する正の残存電荷が励起され、該正の残存電荷とトラップされていた負の電荷との結合が促進される。 （もっと読む）