【課題】昇華精製に適さない有機材料を、純度を低下させることなく、長時間安定して連続蒸着させる方法を提供すること。
【解決手段】昇華精製による精製ができない有機材料を蒸着製膜して得られる膜であって、該有機材料と該有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い沸点又は昇華点Ｔ_１を有する化合物（Ａ）とを含有する蒸着用材料を用い、前記蒸着用材料を、第１加熱により、前記化合物（Ａ）の沸点又は昇華点Ｔ_１より高く、かつ前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３より低い温度Ｔ_２まで昇温後、該温度Ｔ_２に維持し、該第１加熱の後に、第２加熱により、前記有機材料の蒸着温度Ｔ_３以上、前記有機材料の分解温度以下の温度まで昇温後、該温度に維持して前記有機材料の蒸着製膜を行うことにより得られる膜。 （もっと読む）

【課題】受光部と基板の熱エネルギーの授受を低減することが可能であり、さらに、ＩＲＰＳＤ等の画素を構成するためにアレイ配置した際に画素間の配線を最短距離とすることが可能な赤外線センサを提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１の上面との間に空間を隔てて位置する受光部１２と、受光部１２と基板１１との間に架け渡され受光部１２を支持する複数の支持脚１３ａ、１３ｂと、熱伝導率の異なる２つの熱電対導体１４ａ、１４ｂを電気的に接合してなる熱電対１４と、を備える赤外線センサ１０であって、長い支持脚１３ａに熱伝導率の高い熱電対導体１４ａを配置し、短い支持脚１３ｂに熱伝導率の低い熱電対導体１４ｂを配置する。 （もっと読む）

【課題】従来のクロストーク問題を解決するため、シールド素子を備えるイメージセンサー及びその製作方法を提供する。
【解決手段】
イメージセンサーは、半導体基板と、半導体基板の上に定められ、各々１個の画素電極を有する複数の画素と、画素電極の上に順次設置される光伝導層及び透明導電層と、それぞれの画素電極の間に設けられるシールド素子とを含む。そのうちシールド素子は、シールド電極と、シールド電極を被覆し、これを画素電極と光伝導層から分離する絶縁構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】占積率の高い放射センサ素子を提供する。
【解決手段】少なくとも１つの給電線構造が基板とセンサ構造との間の第２の平面に配置されている。 （もっと読む）

【課題】受光部の上に下凸形状の高屈折材料層を形成するための開口部を有する半導体素子において、開口部を形成する際にフォトリソグラフィ工程を必要としない半導体素子及び半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板１１の表面に形成された受光部１３と、受光部１３の上方に開口部２４ａを有する反射層２４と、開口部２４ａに下凸形状で形成され、反射層２４より高屈折の材料からなる高屈折材料層２６とを有する半導体素子の製造方法であって、半導体基板１１上に、開口部２４ａの上方に凹部を有する絶縁膜２２をリフローによって形成する工程と、絶縁膜２２上に反射層２４を形成する工程と、反射層２４をセルフアラインによるエッチングを行い、開口部２４ａ上の該反射層２４を除去する工程と、反射層２４上に高屈折材料層２６を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】周辺部でのコントラストの低下を防止できるシンチレータパネル21を提供する。
【解決手段】ガラス基板22上にシンチレータ層26を形成する。ガラス基板22とシンチレータ層26との間には、ガラス基板22上で反射面23を構成する反射膜24を形成し、反射膜24上でシンチレータ層26の周辺部26a以外の領域に保護膜25を形成する。反射面23は、シンチレータ層26の周辺部26aに対応する領域の反射率がその周辺部26a以外に対応する領域の反射率より低い。反射面23の周辺部における反射率の低い部分でコントラストの低下の原因となる迷光を吸収し、周辺部でのコントラストの低下を抑える。 （もっと読む）

光子検出器８と、検出器８に電位差を印加するためのキャパシタンス２とを備えたセンサ素子５を備えた光子を計数するための装置を開示する。スイッチング回路６は、リフレッシュ期間中にセンサ素子５を電圧源に４動作可能なように接続することにより、しきい値より高い検出器８の所定の電位差を達成するようにキャパシタンス２を充電し、検出期間中にセンサ素子５を電圧源４から実質的に絶縁する。検出期間において、充電されたキャパシタンス２は上記しきい値より高い検出器８の電位差を維持し、検出器８による光子の検出によりキャパシタンス２の電荷の少なくとも一部は検出器８を介して放電される。制御回路１２は、リフレッシュ期間と検出期間とを交互の順序で開始するようにスイッチング回路６を制御する。制御回路１２は、連続する複数のリフレッシュ期間を所定の間隔で開始するようにスイッチング回路６を制御するように適合化される。
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