【目的】タンクロック装置を備えて作業員の勝手な取り替えを禁止し、正確な対照を行って、空になった液体タンクを正確な新しい液体タンクに取り替えることを管理するために、液体供給を管理するシステムとその方法を提供する。
【解決手段】液体タンクを備える工程設備に適した液体供給を管理するシステムが開示される。システムは、ホストと、データ読み出しツールと、システムコントローラーと、タンクロック装置とを含む。ホストが内蔵の液体データベースを蓄積している。液体タンクに関連するデータを読み出すために使用されるデータ読み出しツールがホストに電気接続される。ホストは、データ読み出しツールから液体タンクに関連するデータを受信し、かつ受信したデータを液体データベースと対照する。システムコントローラーがホストからの液体タンクの取り替えを許容するか否かの信号に従ってタンクロック装置を駆動する。 （もっと読む）

【課題】残留粒子の堆積を防止して研磨パッドの寿命を延長できる研磨パッド調節器を提供する。
【解決手段】本発明の研磨パッド調節器は、基層と、少なくとも１つの表面調節ユニットと、少なくとも１つの溝清掃ユニットとを含む。表面調節ユニットおよび溝清掃ユニットがいずれも基層の表面に配置される。また、表面調節ユニットが溝清掃ユニットと一体的に形成される。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ層と電極の接触領域を減少させ、集積効果を改善する相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】相変化メモリ装置１００は、相変化メモリセルのアレイからなる。各相変化メモリセルは、基板１１０上に設置された選択的なＭＯＳトランジスタを有する。直立電極構造１３５は、導電プラグ１３０によりトランジスタに電気的に接続される。直立相変化メモリ層１４０が直立電極構造１３５に重畳されて接触領域１４５で接触し、接触領域１４５は相転移位置になる。直立加熱電極１３５と直立相変化メモリ層１４０を導入することにより、最小接触領域が達成され、操作電流がさらに減少する。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】相変化メモリ素子では、第１電極１０３および第２電極１０７と、第１電極１０３および第２電極１０７の間に形成され、第１電極１０３を第２電極１０７と電気的に接続する第１相変化材料層１１４と、第１相変化材料層１１４の側壁を覆う酸化物襟構造１１２ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】加熱損失を減少させる相変化メモリ素子を提供する。
【解決手段】相変化メモリ素子は、基板１０上に形成された下電極１２と、絶縁層１４上に形成され、誘電材料１６と低熱伝導材料１８からなる複合層２０と、複合層２０に形成された貫通孔に充填される相変化物質２４と、上電極２６からなる。相変化物質２４は、貫通孔の少なくとも一部に形成され、Ｉｎ、Ｇｅ、Ｓｂ、Ｔｅ、あるいは、その混合物、ＧｅＳｂＴｅ、あるいは、ＩｎＧｅＳｂＴｅである。複合層２０は、ケイ素含有の化合物、例えば、酸化ケイ素、窒化ケイ素、あるいは、それらの混合物である誘電材料１６と、相変化物質、窒素をドープした相変化物質、あるいは、酸素をドープした相変化物質である低熱伝導材料１８、との交錯層、あるいは、混合層である。 （もっと読む）

【課題】従来のクロストーク問題を解決するため、シールド素子を備えるイメージセンサー及びその製作方法を提供する。
【解決手段】
イメージセンサーは、半導体基板と、半導体基板の上に定められ、各々１個の画素電極を有する複数の画素と、画素電極の上に順次設置される光伝導層及び透明導電層と、それぞれの画素電極の間に設けられるシールド素子とを含む。そのうちシールド素子は、シールド電極と、シールド電極を被覆し、これを画素電極と光伝導層から分離する絶縁構造とを含む。 （もっと読む）

【課題】電流補償回路と電流補償回路を有するメモリを提供する。
【解決手段】電流補償回路では、書き込み電流を書き込み経路に提供する書き込みドライバ２１と、書き込み経路に接続され、書き込み電流が流れる距離を検出し、距離に基づいて制御信号を出力する距離検出回路２４と、書き込み経路に接続される操作素子２５と、制御信号に基づいて補助電流を書き込み経路に提供する補助書き込みドライバ２３を含む。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリの書き込み方法を提供する。
【解決手段】相変化メモリの書き込み方法は、第一書き込みパルス信号を相変化メモリに入力して、相変化メモリを第一温度まで加熱する工程と、第二書き込みパルス信号を相変化メモリに入力し、相変化メモリを第二温度に維持する工程と、からなる。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ素子を提供する。
【解決手段】相変化メモリ素子であって、相変化材料を含む第１電極と第２電極、および前記第１電極と第２電極との間に形成され、前記第１電極と第２電極に電気的接続され、それが相変化層と埋め込み式の金属層とを含み、バイアス電圧を相変化メモリ素子に供給した時、電流が相変化層と埋め込み式の金属層に流れる導電経路を含む相変化メモリ素子。 （もっと読む）

【課題】相変化メモリ装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】相変化メモリ装置では、基板と、基板上に形成される金属栓と、金属栓上に形成され、金属栓と電気的に接続される相変化材料層と、相変化材料層上に形成され、相変化材料層と電気的に接続される加熱電極と、加熱電極上に形成される導電層とを含む。 （もっと読む）