【課題】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、の組をマトリクス状に複数有する半導体装置であって、高精細化可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】フォトセンサと、発光素子を有する表示素子と、を有し、発光素子を有する表示素子に電気的に接続される電源線と、フォトセンサに電気的に接続される電源線とを共有する半導体装置である。こうして、電源線の幅を狭くすることなく、高精細の半導体装置が得られる。そのため、電源線の電位の安定性を確保しつつ、半導体装置を高精細化することができるため、高精細な半導体装置においても、発光素子を有する表示素子の駆動電圧を安定とし、且つフォトセンサの駆動電圧も安定とすることができる。こうして、高精細化可能であり、且つ、表示品質が高く、被検出物の撮像精度や検出精度の高い半導体装置が得られる。 （もっと読む）

【課題】光センサ、および光センサアレイにおいて、信号読出し用のスイッチングトランジスタを不要として、画素構造を簡素化する。
【解決手段】各光センサ画素は、金属膜から成る下部電極と、アモルファスシリコン膜と、ｎ型アモルファスシリコン膜と、上部電極とを有し、前記光センサ画素の上部電極に接続される複数の走査線と、前記光センサ画素の下部電極に接続される複数の読出線と、前記複数の走査線に接続され、１水平走査期間毎に各走査線に順次第１電圧の選択走査信号を供給する走査回路と、１水平走査期間のブランキング期間に前記複数の読出線に、前記第１電圧よりも高電位の第２電圧を入力した後、前記複数の読出線をフローティング状態とする手段１と、前記複数の読出線に接続され、１水平走査期間内の前記各読出線の電圧変化を、前記各読出線に前記下部電極が接続され、前記上部電極に選択走査電圧が入力される光センサ画素のセンサ出力電圧として出力する手段２とを備える。 （もっと読む）

【課題】厚膜アモルファスシリコンと上部電極との間に、低抵抗のｎ型アモルファスシリコン膜を挿入して接続面に形成されるダイオードにより、光伝導による光電流を増幅して出力する。
【解決手段】金属膜から成る下部電極と、前記下部電極上に設けられるアモルファスシリコン膜と、前記アモルファスシリコン膜上に設けられるｎ型アモルファスシリコン膜と、前記ｎ型アモルファスシリコン膜上に設けられ、第１基準電圧が入力される上部電極と、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、オン状態の時に前記下部電極に第１電源電圧を入力し、オフ状態の時に前記下部電極をフローティング状態とするスイッチ回路と、前記スイッチ回路がオン状態において、前記アモルファスシリコン膜に所定期間光が照射された後の前記下部電極の電圧変化を検出する検出回路とを有する。 （もっと読む）

【課題】従来よりも、検出電圧のダイナミックレンジを広くする。
【解決手段】マトリクス状に配置された光センサ画素と、出力線とを備え、前記各光センサ画素は、光センサ素子を有する光センサアレイであって、前記各光センサ素子は、第１の基準電圧が入力される上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に挟持される光依存可変抵抗素子とを有し、前記各光センサ画素は、前記下部電極と第２基準電圧との間に接続される容量素子と、第２電極に第１電源電圧が入力され、第１電極が前記下部電極に接続されるとともに、制御電極に第２クロックが入力される第１トランジスタと、第２電極に第２電源電圧が入力され、制御電極が前記下部電極に接続される第２トランジスタと、第２電極が前記第２トランジスタの第１電極に接続され、第１電極が前記出力線に接続されるとともに、制御電極に第１クロックが入力される第３トランジスタとを有し、前記光依存可変抵抗素子は、アモルファスシリコン膜である。 （もっと読む）

【課題】遮光層上に設けられ、光センサ等の用途に適した半導体素子と、高速駆動が可能な高性能の半導体素子とが同一の基板上に搭載されており、従来よりも部品点数が削減され、薄型化や軽量化が可能であるとともに、遮光層の有無による結晶性への影響が無い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁基板１上に形成されたＴＦＴ２１とＴＦＤ２２とを備えている。ＴＦＤ２２と絶縁基板１との間には、遮光層２が選択的に形成されている。ＴＦＴ２１およびＴＦＤ２２における各半導体層５・６は、ラテラル成長結晶からなり、ＴＦＤ２２の半導体層６の表面には、ＴＦＴ２１の表面粗さよりも大きな凹凸が設けられている。 （もっと読む）

【課題】面積を増大させることなく、過電圧に対する耐性を高めることを課題の一つとする。
【解決手段】第１の端子部１００に設けられ、第１のｎ型不純物領域１０６と、平面視において前記第１のｎ型不純物領域１０６の内周部に設けられた第１の抵抗領域１０７と、平面視において前記第１の抵抗領域１０７の内周部に設けられた第１のｐ型不純物領域１０８と、を有する第１の半導体領域１０３と、前記第２の端子部１０１に設けられ、第２のｐ型不純物領域１０９と、平面視において前記第２のｐ型不純物領域１０９の内周部に設けられた第２の抵抗領域１１０と、前記第２の抵抗領域１１０の内周部に設けられた第２のｎ型不純物領域１１１と、を有する第２の半導体領域１０４と、有する構成である。 （もっと読む）

【課題】遮光膜を有する半導体素子と高速駆動が可能な半導体素子とを同一基板上に容易に混載することができる半導体装置、表示装置及び集積回路を提供する。
【解決手段】基板と、上記基板上に並設された第一半導体素子及び第二半導体素子とを備える半導体装置であって、上記第一半導体素子は、第一半導体膜と、上記第一半導体膜よりも上記基板側に配置された遮光膜とを有し、上記第二半導体素子は、第二半導体膜と、上記第二半導体膜よりも上記基板側に配置された第一ゲート電極とを有し、上記半導体装置は、上記遮光膜及び上記第一半導体膜の間に介在し、かつ上記第一ゲート電極及び上記第二半導体膜の間に介在しない第一絶縁膜と、上記遮光膜及び上記第一半導体膜の間に介在し、かつ上記第一ゲート電極及び上記第二半導体膜の間に介在する第二絶縁膜とを有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの製造において、フォトダイオードの不良チェックを行う必要があるため、フォトセンサー用アレイ基板に対して、暗状態と光照射状態の２つの状況下でテストを実施する必要がある。ガード抵抗として逆スタガ型のＴＦＴを用いる場合、光照射状況下ではバックチャネル側に光が照射されるのでＴＦＴのＯＮ抵抗が減少する。サイズの小型化で改善されうるが、静電気対策のために最低限必要なサイズ以下にはできない。
【解決手段】 ガード抵抗４００はＴＦＴ２０１、２０２で形成されて、かつ、バックチャネル上部に形成された遮光膜２１ａにより遮光されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光検出部を備えるものであって該光検出部のリーク電流の発生を抑制し、Ｓ／Ｎの向上を図った画像表示装置の提供。
【解決手段】基板上にマトリクス状に配置され独立に駆動される各画素とマトリックス状に配置され独立に駆動される光検出部とが混在されて形成され、
前記光検出部は少なくとも第１電極と第２電極とが接続された光電変換層からなる半導体層を備え、
前記半導体層に対する第１電極の接続面と第２電極の接続面は、それらの各中心交差軸が離間されて形成されている。 （もっと読む）

光検出システムは、第１光センサー（２１’）と、第２光センサー（２１）と、周辺光が第１光センサー（２１）に入射するのを遮断するために第１光センサー（２１’）の上に位置し、かつ第２光センサー（２１）の上に位置しないように配置される第１遮光物質（２４）とを備える。第１導電性物質（２３ａ）は、第１遮光層（２４）と第１光センサーとの間に配置され、第２導電性物質（２３ｂ）は、第２光センサーの上に配置される。第２導電性物質（２３ｂ）は、少なくとも部分的に透過性である。第１遮光層（２４）と第１光センサーとの間に第１導電性物質（２３ａ）を配置することにより、遮光層（２４）（典型的には金属層）によって発生してしまういかなる寄生容量も排除することができる。第２導電性物質（２３ｂ）を第２光センサーの上に配置することにより、２つの光センサーが可能な限り密接に電気的に整合することを確実にできる。これによって、第１光センサーの出力と第２光センサーの出力の差は、周辺光のレベルを示す信頼性のある指標となり得る。第１導電性物質（２３ａ）および第２導電性物質（２３ｂ）は、両光センサーを覆うために、少なくとも部分的に光透過性である導電性物質の層を配置することによって形成し得る。
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【課題】信号配線において静電気により発生した電荷を特定の信号配線に集中させないようにし、スイッチ素子のスレッシュホールド電圧のシフトを防ぎ、画像違和感をなくす。
【解決手段】絶縁性の基板１０上に、変換素子１と第一のＴＦＴ２とが対となる画素がマトリックス状に配置され、第一のＴＦＴ２は第一のゲート配線３、及び信号配線４により接続されている。変換素子１はバイアス配線５と接続されている。画素が配置された領域外に第二のＴＦＴ６を設け、少なくとも信号配線４間が、画素が配置された領域外で、第二のＴＦＴ６を介して接続されている。装置の駆動時には第二のＴＦＴ６はオフにされる。 （もっと読む）