【課題】直流電源配線に電流が流れたか否かを検出可能な回路を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置において、駆動回路ＢＬＤＵ，ＢＬＤＤ，ＢＬＢＤＵ，ＢＬＢＤＤは、電流磁界またはスピン注入によってトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢを第１の磁化状態に初期設定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢに直流電流を流す。電源配線ＤＬは、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに近接して設けられる。ここで、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢは、電源配線ＤＬに直流電流が流れるときに生じる電流磁界によって第２の磁化状態に変化する。センスアンプ１０は、トンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢが第１の磁化状態から第２の磁化状態に変化したか否かを判定するために、制御信号線ＢＬ，ＢＬＢを介してトンネル磁気抵抗素子ＴＭＲ，ＴＭＲＢに流れる電流を検出する。 （もっと読む）

【課題】制御チップと複数の被制御チップが積層されたタイプの半導体装置において、コマンド信号よりも層アドレス信号を早く伝送させる。
【解決手段】互いに異なる層情報を保持する複数の被制御チップＣＣ０〜ＣＣ７と、被制御チップＣＣ０〜ＣＣ７に対して層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５及びコマンド信号ＩＣＭＤを共通に供給する制御チップＩＦとを備える。層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５を構成する各ビットは、複数の第１の貫通電極のうち、被制御チップごとに並列接続された少なくとも２本の貫通電極を経由して伝送され、コマンド信号ＩＣＭＤを構成する各ビットは、出力切り替え回路及び入力切り替え回路によって選択された対応する１本の貫通電極を経由して伝送される。これにより、コマンド信号ＩＣＭＤよりも先に層アドレス信号Ａ１３〜Ａ１５が各被制御チップに到達する。 （もっと読む）

【課題】電源投入後、高速なセットアップが可能な不揮発性記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性記憶装置は、データを不揮発的に記憶するメモリセルを有する第１および第２のメモリモジュール１６−１、１６−２と、第１および第２のメモリモジュールとそれぞれ接続されて、前記第１および第２のメモリモジュールを駆動するための外部電源を供給する第１および第２の外部電源線ＶＬ１１、ＶＬ１２とを備え、第１の外部電源線の電源容量Ｃ１は、前記第２の外部電源線の電源容量Ｃ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】メモリセルサイズの増加を招くことなく、安定的かつ効率的にデータ書込電流を供給可能な構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。
【解決手段】各ビット線ＢＬの両端には、データ書込電流を流すためのビット線ドライバ５０が配置される。各ビット線の一端は、データ読出時に選択メモリセルからの読出データを伝達するための読出選択ゲート６５を介して、データバスＲＤＢ１またはＲＤＢ２と接続される。読出選択ゲート６５は、メモリセルアレイ１０に対して、ビット線ドライバ５０よりも外側に配置される。これにより、データ書込電流の電流経路を短くして、その経路抵抗を低減できるので、データ書込電流の確保が容易になる。 （もっと読む）

【課題】メモリセルサイズの増加を招くことなく、安定的かつ効率的にデータ書込電流を供給可能な構成を備えた薄膜磁性体記憶装置を提供する。
【解決手段】ライトディジット線ＷＤＬは、データ書込電流の供給時に電源配線９０と接続される。ライトディジット線ＷＤＬは、電源配線９０側の末端付近に、ＭＴＪメモリセルの配置位置に対応する定常部分９３と比較して断面積を増大ざせた強化部分９５を有する。これにより、定常部分９３ではＭＴＪメモリセルの最小設計ルールに従った配線幅とすることによってメモリセルを高集積に配置できるとともに、電源配線９０側の末端付近で金属原子の移動による配線幅の減少が生じても、この部分で電流密度が局所的に増大して動作信頼性に影響を与えることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】セルの高集積化を図ることが可能な磁気ランダムアクセスメモリ及びその書き込み方法を提供する。
【解決手段】磁気ランダムアクセスメモリは、第１の方向に延在された第１の配線ＢＬと、第１の方向と交差する第２の方向に延在された第２の配線ＷＬと、第１及び第２の配線間の第１及び第２の配線の交点に配置され、第１の配線に接続された一端を有し、固定層と記録層と固定層及び記録層の間に設けられた非磁性層とを有し、固定層の膜厚は記録層の膜厚よりも厚く、固定層の幅は記録層の幅より広く、固定層及び記録層の間に第１の電流を流すことで記録層の磁化方向が反転する磁気抵抗効果素子ＭＴＪと、磁気抵抗効果素子の他端に接続された一端と第２の配線に接続された他端とを有し、第１の電流を一方向のみに流すダイオードＤとを具備する。 （もっと読む）