【課題】同一のイオン源から引き出した複数のイオンビームを用いて、試料の加工と観察を可能にするイオンビーム装置を提供する。
【解決手段】ガスボンベ５３、５４、ガス配管、ガス量調整バルブ５９、６０およびストップバルブ５７、５８とを備えた導入系統を少なくとも２つ備え、各々のガス系統においてガス量調整バルブにより真空容器内のガス圧力条件を設定でき、各々のガス系統のストップバルブの操作により真空容器内に導入するガスを切り替えることが可能であるイオン源を用いて、質量数の異なる少なくとも２種類のガスイオンを生成して、試料の加工時と観察時でガスイオンビーム種の切り替えを可能とする。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子ビームを使用して微細構造を製造する電子ビーム・システムを提供すること。
【解決手段】吸着物質の枯渇を制御することによって、前駆体ガスとの電子ビーム誘起化学反応を制御する。吸着物質の枯渇は、ビーム電流を、好ましくはビームを高速ブランキングすることによって制御すること、および基板を冷却することによって制御することができる。相互作用体積を小さくするため、ビームは低いエネルギーを有することが好ましい。枯渇および相互作用体積を制御することによって、ユーザは、精密な形状を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】ブランキング電極のコンタミを低減できる集束イオンビーム装置を提供することにある。
【解決手段】イオン捕集器１６は、イオンビームの入射側を頂点とする円錐状の外周をなし、中心軸に沿って非ブランキング時にイオンビームが通過する開口を有するブランキングプレート１６Ａと、ブランキングプレートのイオンビームの入射側に対向して配置され、ブランキングプレートの開口よりも大きい開口を有するカバー１６Ｃと、ブランキングプレートとカバーを支持するとともに、非磁性の導電部材からなる筒１６Ｂと、筒の外周側に対向して配置された一対のコイル１６Ｅ１，１６Ｅ２とからなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は，１０ｎｍ未満のギャップ幅を有するギャップ電極を容易に再現性良く製造するギャップ電極の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は，基本的には，集束イオンビームを用いたスパッタエッチングによりギャップ電極を製造する際に，予め作製した線電極部(20)に流れる電流を測定しつつ電極のエッチング過程をその場観察することで，さらに幅の狭い細線電極部(30)を形成し，その細線電極部を切断してギャップ(40)を製造する際に，ビームブランキング回路により自動的にエッチングを停止させることで，微小なギャップ幅を有するギャップ電極を容易に再現性良く製造できるという知見に基づくものである。
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【課題】本願の目的は，イオンビームによる断面形成時間を短縮する加工方法，およびウェーハから微小試料を分離する加工時間を短縮する加工方法，およびイオンビーム加工装置を提供することにある。
【解決手段】本発明によるイオンビーム加工装置は，真空容器４１を有しており，真空容器内には，デュオプラズマトロン５１，非軸対称イオンビームレンズ５２，ステンシルマスク５７，などから構成されており，断面に垂直方向に急峻なビームプロファイルを持つアルゴンイオンビームにより試料１１から微小試料１３９を摘出する。
【効果】本願によると，デバイス製造ウェーハ検査・不良解析のための断面観察結果が短時間で得られる。さらに試料を取り出したおよびウェーハをプロセスに戻しても不良を発生させない新たな検査・解析方法，および高歩留まりの電子部品製造方法が提供される。 （もっと読む）