【課題】
本発明は、暗電流を抑制し、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる正孔注入阻止層を含む光導電素子及び撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】
光導電素子は、透光性基板と、前記透光性基板の上に形成される導電膜と、前記導電膜上に形成される正孔注入阻止層と、前記正孔注入阻止層の上に形成される光導電層とを具え、前記正孔注入阻止層は、酸化ガリウムで構成される。 （もっと読む）

【課題】高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍作用を両立させる光導電ターゲット及びこれを用いた撮像管、撮像デバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】第１の動作電界において、入射する光を吸収して電荷に変換する光キャリア生成層２３と、
該光キャリア生成層で生成した前記電荷を第２の動作電界でアバランシェ増倍するアバランシェ増倍層２５と、
前記光キャリア生成層と前記アバランシェ増倍層との間に設けられ、前記光キャリア生成層で生成された前記電荷を蓄積して正極性に帯電することで、前記キャリア生成層の内部電界を前記第１の動作電界に、前記アバランシェ増倍層の内部電界を前記第２の動作電界にするように電界を調整する電界調整層２４と、
該電界調整層と前記光キャリア生成層との間に挿入され、前記光キャリア生成層と前記電界調整層との距離を拡大して、前記光キャリア生成層の内部電界の変動を低減する電界安定化層２７と、を有する。 （もっと読む）