【課題】高い検出精度及び微細加工を容易に実現可能な構造を有する光電子増倍管及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光電子増倍管1aは、内部が真空に維持された外囲器を備え、該外囲器内に、入射光に応じて電子を放出する光電面22と、該光電面22から放出される電子をカスケード増倍する電子増倍部31と、該電子増倍部31で生成された二次電子を取り出すための陽極32とが配置されている。上記外囲器の一部は、平坦部を有するガラス基板4により構成され、該ガラス基板4における平坦部上に、上記電子増倍部31及び陽極32のそれぞれが二次元的に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 応答時間特性の大幅な改善を大量生産可能な構造で実現する光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 当該光電子増倍管は、光電子の入射に応答して放出される二次電子をカスケード増倍するための電子増倍部(500)を備える。この電子増倍部(500)は、該電子増倍部(500)が収納された密封容器(100)の管軸（ＡＸ）を挟んだ状態で配置された少なくとも２系統のダイノード郡を保持する構造を備える。特に、２系統のダイノード郡それぞれに属する第1ダイノード(DY1)は、二次電子放出面と対向する背面が管軸(AX)を挟んで互いに対面するよう配置されている。このような配置では、第1ダイノード(DY1)自体が管軸(AX)近傍に位置するため、第1ダイノード(DY1)周辺へ到達する光電子の収集効率が著しく向上する。 （もっと読む）

【課題】 応答時間特性の大幅な改善を大量生産可能な構造で実現する光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 当該光電子増倍管は、密封容器(100)を備え、該密封容器(100)は、管軸(AX)に沿って伸びた中空胴体部(120)と、入射面板(110)を含む。入射面板(110)は、光入射面(110a)と、ホトカソード(200)が形成された光出射面(110b)を有する。特に、光出射面(110b)は、平坦領域(AR1)と、平坦領域(AR1)の周辺に位置し該光出射面(110b)のエッジ部を含む曲面加工領域（ＡＲ２）から構成される。このように、入射面板(110)の光出射面(110b)は、その周辺領域に位置するホトカソード(200)からの光電子の放出角度を調節するため、周辺領域の表面形状が意図的に変えられている。これにより、光電子の放出位置に依存することなく、ホトカソード(200)から第１ダイノード(DY1)へ向かう光電子の走行時間のバラツキが効果的に低減される。 （もっと読む）

【課題】 応答時間特性の大幅な改善を大量生産可能な構造で実現する光電子増倍管を提供する。
【解決手段】 当該光電子増倍管は、密封容器(100)を備え、密封容器(100)内には、ホトカソード(200)と、少なくとも１系統のダイノード郡を含むダイノードユニット(400)と、ホトカソード(200)とダイノードユニット(400)との間に配置された集束電極ユニット(300)が収納されている。集束電極ユニット(300)は、光電子の入射に応答して二次電子を放出する第１ダイノード(DY1)からの二次電子が到達する位置に配置された第２ダイノード(DY2)と同電位に設定され、該第２ダイノード(DY2)をその長手方向に二分する仕切プレート(332)が設けられている。 （もっと読む）

【課題】応答時間特性の大幅な改善を大量生産可能な構造で実現する光電子増倍管を提供する。
【解決手段】当該光電子増倍管は、密封容器１００を備え、密封容器１００内には、ホトカソード２００と、少なくとも１系統のダイノード郡と、該ダイノード群を保持する１対の絶縁支持部材４１０ａ，４１０ｂを含むダイノードユニット４００と、ゲイン制御ユニット４３０ａ，４３０ｂが収納されている。ゲイン制御ユニット４３０ａ，４３０ｂは、絶縁性基板４３１を備え、絶縁性基板４３１には、アノード４３２とともに、ダイノード群に属する制御用ダイノードＤＹ６及び最終段ダイノードＤＹ８が一体的に固定されている。このように、絶縁性基板４３１が一対の絶縁支持部材４１０ａ，４１０ｂに把持されることにより、アノード４３２、制御用ダイノードＤＹ６、最終段ダイノードＤＹ８が電子増倍部５００の一部を構成する。 （もっと読む）

本発明の実施の形態は、電子放出性の第１の内面を有する第１のプレートを含む電子増倍管である。第２のプレートは、電子放出性の第２の内面を有する。電源は、第１のプレートと第２のプレートとに接続される。コレクターは、第１のプレートと第２のプレートにより、電子増倍に応じた信号を生成する。第１の内面と第２の内面は、平行であり、且つ非平面状である。 （もっと読む）