【課題】エミッション開始電界が低く、しかも十分なエミッション電流を得ることができる冷陰極電子源を提供する。
【解決手段】カソード電極およびその上に形成された電子放出部を有する冷陰極電子源において、電子放出部に活性化処理された金属酸化物を用い、当該活性化処理が金属酸化物の中に新たにエミッションに寄与する部位を形成し、且つエミッションに寄与しない部位又は悪影響を及ぼす部位を取り除く処理であることを特徴とする冷陰極電子源である。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜、その製造方法及びこれを用いた低電圧動作可能な冷陰極表面構造に利用できる安定で優れた電子放出特性を示すダイヤモンド電子源を提供する。
【解決手段】
電子放出電圧を著しく低減したリン添加ダイヤモンド膜であって、ダイヤモンド基板上に、マイクロ波CVD法によってメタンと水素のガス及びリン雰囲気中で，ダイヤモンド膜を成長させるに際して、リン添加源として、ターシャルブチルリンを用い、リンを濃度10¹⁵cm^-3以上含有し、抵抗率が10⁷Ωcm以下であり、電子放出開始電圧が30V以下であることを特徴とするリン添加ダイヤモンド膜の製造方法及びそれを用いたダイヤモンド電子源。
【採用図面】 図2 （もっと読む）

【課題】電子放出能及びその均一性、安定性に優れ、かつ極微細加工を要する極微構造を持たない容易な構造からなる、ダイヤモンドエミッタが形成された電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体１１上に、絶縁層１４及びゲート電極１５が順次積層され、ゲート電極１５と絶縁層１４とには基体に達する開口部が設けられ、開口部内の記基体１１上に、エミッタ１２がゲート電極１５に接触しないように形成されてなる電界放射型の電子放出素子において、エミッタ１２がダイヤモンドあるいはダイヤモンド状カーボンからなり、エミッタ１２の表面が電子供与基１３により終端されていることを特徴とする。 （もっと読む）