Fターム[5D034BA03]の内容
磁気ヘッド−磁束感知ヘッド (4,232) | ヘッドの構成要素 (2,317) | 磁気抵抗効果素子 (1,172) | 磁気抵抗効果素子の形状、構造 (1,015)
Fターム[5D034BA03]の下位に属するFターム
磁気抵抗効果素子自体のバイアス構造 (514)
Fターム[5D034BA03]に分類される特許
501 - 501 / 501
磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法および磁気記憶装置
【課題】 本発明は、再生ギャップ長が0.1μm以下で、線記録密度として500kFCI超の高密度記録に対する分解能を持った再生GMRヘッドを実現することである。さらに、この再生GMRヘッドを用いた磁気再生記憶装置を提供することである。
【解決手段】 スライダ上に積層された、対向する2枚の磁気シールド(21、24)と、前記対向する2枚の磁気シールドの間にあって、媒体磁界を感磁する磁気抵抗効果を有する中央領域(10)と、前記中央領域を両側から挟み込むように形成され、前記中央領域にバイアス磁界と電流とを供給する端部領域(電極膜13、14、強磁性層11、12)とからなる磁気抵抗効果素子とからなる磁気抵抗効果型ヘッドであって、前記中央領域の少なくとも一端が少なくとも一方の磁気シールドと直接接触していることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドである。
(もっと読む)
501 - 501 / 501
[ Back to top ]