【課題】垂直にオフセットされた異方性膜を有する磁気抵抗ヘッド及びそれを用いたハードディスクドライブを提供する。
【解決手段】一実施形態では、磁気ヘッドは、下部シールド層と、下部シールド層の上側に配置されたセンサー積層体であって、自由層を含むセンサー積層体と、下部シールド層の上側及びセンサー積層体のトラック幅方向の両面上に配置された層状硬質バイアス磁石と、硬質バイアス磁石及びセンサー積層体の上側に配置された上部シールド層とを含む。硬質バイアス磁石は、下部シールド層の上側に配置され、センサー積層体のトラック幅方向の両面と位置合わせされた垂直異方性膜であって、磁場をその形成面に対して垂直な方向に指向させる垂直異方性膜と、垂直異方性膜の上側に配置された面内異方性膜であって、磁場をその形成面の方向に指向させる面内異方性膜とを含む。 （もっと読む）

【課題】高出力、高Ｑ値で且つ、膜厚が薄いＳＴＯを備えた磁気ヘッド、磁気センサ、および磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】一実施形態の磁気ヘッドは、スピントルク発振素子を備え、スピントルク発振素子は、第１強磁性層と、第２強磁性層と、第２強磁性層に対して前記第１強磁性層と反対側に設けられた第３強磁性層と、第１強磁性層と第２強磁性層との間に設けられた第１非磁性層と、第２強磁性層と第３強磁性層との間に設けられた第２非磁性層と、第１強磁性層に対して第１非磁性層と反対側の面に設けられた第１電極と、第３強磁性層に対して第２非磁性層と反対側の面に設けられた第２電極と、を備え、第２強磁性層と第３強磁性層は、第２非磁性層を介して反強磁性結合をし、前記第１および第２電極間に電流を流さない場合に第１強磁性層と第２強磁性層の磁化の向きが反平行配置であり、第１および第２電極間に電流を流すと、第１乃至第３強磁性層においてそれぞれ、磁化の歳差運動が誘起される。 （もっと読む）

【課題】向上した磁気性能および堅牢性を有する磁気読み出しセンサを提供する。
【解決手段】磁気センサは、磁化自由層構造３１０と磁化固定層構造とを含む。磁化固定層構造は、非磁性結合層３１８によって互いに分離させた第１の磁性層３１４および第２の磁性層３１６を含む。磁化固定層構造の第２の磁性層はＣｏＦｅＢＴａの層を含んでおり、この層が原子の拡散を防止し、さらには所望のＢＣＣ結晶粒成長を促進する。磁化自由層構造は、原子拡散をさらに防止し、所望のＢＣＣ粒成長をさらに促進するためのかかるＣｏＦｅＢＴａ層を含むこともできる。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗センサーのための磁気バイアス構造を提供する。
【解決手段】 本発明は、自由層の堅牢性向上およびバルクハウゼンノイズの低減のために磁気バイアスを改善する新たな磁気バイアス構造を有する磁気読み出しヘッドである。バイアス構造は、第１および第２の下層の上に形成されるハード磁性層を含む。第１の下層の少なくとも一部分は、別個の材料の島として形成され、第２の下層は第１の下層の上に形成される。第１の下層は、０．２５〜０．７５ｎｍの厚さを有する。新たなシード層構造により、ハード磁性層が、センサースタックに隣接する領域でも、センサースタックの自由層と実質的に平行な磁気異方性を有する。 （もっと読む）

【課題】 シザーズ構造を有する磁気抵抗センサの磁気バイアス構造を提供する。
【解決手段】 磁気バイアス付与の堅牢性を向上させる新規のハードバイアス構造を有するシザーズ型磁気センサ。当該センサは、電気絶縁障壁層または導電スペーサ層等の非磁性層により分離された第１の磁気層および第２の磁気層を含むセンサスタックを含む。第１の磁気層および第２の磁気層は、逆平行に結合されるが、磁気バイアス構造により、エアベアリング面に対して平行でも垂直でもない方向に傾けられた磁化方向を有する。磁気バイアス構造は、センサスタックの後縁から延在し、センサスタックの第１の側面および第２の側面に整列した第１の側面および第２の側面を有するネック部を含む。バイアス構造はまた、ネック部から後方に延在する先細または楔形部を含む。 （もっと読む）

【課題】読み取り素子のための空間の大きさを縮小することによって、磁気シールドの大きさおよびシールド間の利用可能な空間の大きさを最小化する。
【解決手段】空気ベアリング面（ＡＢＳ）１４８に対して設置されたデータ読み取りスタック１３２は、第１のバッファ層１４２と第２のバッファ層１４２との間に取り付けられ、少なくとも一方のバッファ層は、データ読み取りスタックに所定の短絡比を付与する。 （もっと読む）

【課題】装置、センサおよびセンサの製造方法を提供する。
【解決手段】さまざまな実施の形態が、概して所定の第１の形態を有する減結合層で構築された磁気センサに向けられる。磁気自由層は、減結合層に接して隣り合うように蒸着可能であり、減結合層は、処置得の第２の形態を有する少なくとも第１のサブ層を有するように構成された磁気自由層を有する。 （もっと読む）

【課題】この発明のさまざまな実施例は、第１の強磁性自由層１３８と第２の強磁性自由層１４０との間に配置されたスペーサ層１４２とともに構築されてもよい、磁気応答積層１３２に一般的に向けられる。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性自由層は、磁気応答積層の磁気抵抗比（ＭＲ）を向上させる結合サブ層１８６，１９６を有することができる。 （もっと読む）

【課題】フォームファクタの小型化に伴う、磁気不安定性を防ぐと共に、再生信号出力が上昇し、読み取り性能が向上した磁気センサ装置を提供する。
【解決手段】空気ベアリング面（ＡＢＳ）に位置付けられ、スペーサ１３８を介して、第１の磁化自由層１３６と第２の磁化自由層１３６とを有して構成される三層スタック１３２を備え、三層スタックは、ＡＢＳに対して直交する軸に沿ったストライプ高さ１５４を有し、磁化自由層の各々がＡＢＳに対して傾斜した一軸異方性を有する。 （もっと読む）

【課題】再生信号におけるビット間干渉ノイズを低減する。
【解決手段】一実施形態のスピントルク発振素子再生ヘッドは、スピントルク発振素子及び一対のシールド部を備える。スピントルク発振素子は、磁気記録媒体に対向する第１の対向面を有する。前記スピントルク発振素子は、１対のシールド部の間に配置される。シールド部は、前記磁気記録媒体に対向する第２の対向面をそれぞれ有する。前記第２の対向面のそれぞれと前記磁気記録媒体との距離は、前記第１の対向面と前記磁気記録媒体との距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】CPP構造磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、素子高さ方向の磁気抵抗効果センサ膜ジャンクション端部のエッチングダメージの影響を低減し、また、上部シールド層と下部シールド層の間の絶縁耐圧の劣化や、シールド起因の再生特性の変動を小さく抑え、さらに静電容量を小さく保つ。
【解決手段】ピニング層13の下面の素子高さ方向長さが第１の強磁性層14の下面の素子高さ方向長さよりも長く、ピニング層13の素子高さ方向端部が磁気抵抗効果センサ膜下面を延長した面に対してなす角度が、第２の強磁性層16の素子高さ方向端部が磁気抵抗効果センサ膜下面を延長した面に対してなす角度よりも小さく、素子高さ方向リフィル膜18の上面の高さが磁気抵抗効果センサ膜の上面と同じか、それよりも高い磁気抵抗効果型ヘッドとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、磁気減衰自由層を備えたスピントルク発振器（ＳＴＯ）を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器（ＳＴＯ）は、発振自由強磁性層の磁気減衰を増加させる。ギルバート磁気減衰パラメータ（α）は、少なくとも０．０５、好ましくは０．０５より大きい。自由層は、任意のタイプの従来の強磁性材料であってもよいが、ドーパントとして１つまたは複数の減衰元素を含む。減衰元素は、Ｐｔ、Ｐｄおよび１５のランタニド元素からなる群から選択される。自由層減衰は、自由層に隣接する減衰層によって増加させてもよい。減衰層の一タイプは、Ｍｎ合金のような反強磁性材料であってもよい。反強磁性減衰層に対する変更例として、二重層減衰層を、反強磁性減衰層と、自由層および反強磁性層間の非磁性金属導電分離層とで形成してもよい。別のタイプの減衰層は、Ｐｔ、Ｐｄおよびランタニドから選択された元素の１つまたは複数で形成された層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】センサ積層体と、シールドと、第１のシールド安定化構造とを含む装置を提供する。
【解決手段】装置は、センサ積層体（９２，１２２，１６２，２０２，２６２）と、センサ積層体の対向する側に位置決めされる第１および第２のシールド（９４，９６；１２４，１２６；１６４，１６６；２０４，２０６；２６４，２６６）と、第１のシールド（９４，１２４，１６４，２０４，２６４）に隣接し、第１のシールドにバイアス磁界を印加する第１のシールド安定化構造（１０２，１３２，１７２，２１２，２６８）とを含む。第２のシールド安定化構造（１８６，２３４）は、第２のシールド（１６４，２０４）に隣接して位置決めすることができる。 （もっと読む）

【課題】
ハードバイアスのシード構造を有する磁気センサを提供する。
【解決手段】
データ密度増加させるため縮小したギャップ間隔を提供する新規なハードバイアス構造を有する磁気センサ。本磁気センサは、磁気シールド上で形成される第１および第２の側面を備えるセンサ積層体を含む。薄い絶縁体層は、センサ積層体の側面上および最下部シールド上に形成される。Ｃｕ−Ｏを含む下地層は、絶縁体層上に形成され、ハードバイアス層は下地層上に形成される。下地層にＣｕ−Ｏを使用することにより、下地層をより薄くすることができつつ、その上方に形成されるハードバイアス層中でも優れた磁気特性を維持することを可能にする。下地層の膜厚縮小により、ギャップ間隔（最上部および最下部磁気シールド間の間隔）が縮小され、そのことは次にデータ密度の増加を提供する。 （もっと読む）

【課題】３端子スピントルク発振素子（ＳＴＯ）を提供する。
【解決手段】スピントルク発振素子（ＳＴＯ）は、非磁性導電スペーサ層を有する巨大磁気抵抗（ＧＭＲ）構造とトンネルバリア層を有するトンネル磁気抵抗（ＴＭＲ）構造の両方の一部を形成する単一の自由強磁性層を有する。ＳＴＯは、導電スペーサ層を通じてスピントルク励起電流を、そして、トンネルバリア層を通じて相対的に小さな検知電流を供給する電気回路に接続する３つの電気端子を有する。ＳＴＯが磁界センサとして使用される際には、励起電流は、外部磁界が存在しない状態において自由層の磁化を固定された基底周波数において発振させる。検知電流に結合された検出器は、外部磁界に応答して基底周波数からの自由層磁化発振周波数のシフトを検出する。 （もっと読む）

【課題】所与の厚さの反強磁性層に対する交換バイアスが増加した磁気デバイスを提案することによって従来技術の欠点を克服すること。
【解決手段】本発明は、自由層として知られている、可変磁化方向を有する磁気層と、前記自由層と接触している、前記自由層の磁化方向をトラップすることができる第１の反強磁性層とを備えた磁気デバイスに関する。磁気デバイスは、さらに、安定化層として知られている、自由層とは反対側の面を介して第１の反強磁性層と接触している、強磁性体から作製される層を備えており、前記自由層および安定化層の磁化方向は実質的に垂直である。前記自由層および安定化層のうちの第１の層は磁化を有しており、その方向は、前記第１の層の平面内に配向されており、一方、前記自由層および安定化層のうちの２つの層の第２の層も磁化を有しており、その方向は、前記第２の層の平面外に配向されている。 （もっと読む）

【課題】不要な磁束から磁気抵抗素子を保護し、磁気読出しを高めることが可能な磁気シールドを提供する。
【解決手段】磁気素子１９０は、少なくとも１つの横側方シールド２０６によって、磁束からシールドされるとともに所定の初期磁化にバイアスされる、磁気的に応答する積層体１９２を有し、少なくとも１つの横側方シールドは、第１および第２の強磁性層２１０、２１２の間に配置される遷移金属層２０８を有する。 （もっと読む）

【課題】望ましくない磁束から磁気抵抗（ＭＲ）素子を保護することができる磁気シールドを提供する。
【解決手段】磁気抵抗（ＭＲ）リーダ１９２は、空気軸受面（ＡＢＳ）から第１の距離を延在する少なくとも１つのシールド１９４，１９６に近接する。シールドは、ＭＲリーダに接触するように近接し、ＡＢＳから第１の距離未満である第２の距離を延在する、安定化構造２００を有する。安定化構造はＭＲリーダと一致する面積範囲を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気状態の変化を検出することのできる磁気素子を提供する。
【解決手段】磁気素子は、強磁性自由層が、スペーサ層によって合成反強磁性（ＳＡＦ）層から分離され、かつ空気軸受面（ＡＢＳ）によって隣接する媒体に格納された検知済みデータビットから分離されている磁気反応積層構造を備える。積層構造は、ＡＢＳから所定のオフセット距離を空けて少なくとも１つの反強磁性（ＡＦＭ）タブに結合される。 （もっと読む）

【課題】 磁気抵抗読取センサを提供する。
【解決手段】 センサは、浮上面に沿って上部電極と下部電極との間に配置された磁気反応性スタックである。センサ内の電流がスタックと少なくとも１つの電極との間の第１の多層絶縁構造によって浮上面近くの領域に制限されることで、読取機の感度が向上する。 （もっと読む）