【課題】ピン層，スペーサ層，フリー層の積層構造を用いない磁気抵抗効果素子を提供す
る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子が，磁化方向が実質的に固着された第１の磁性層と，前記
第１の磁性層上に配置され，かつ酸化物，窒化物，酸窒化物，金属のいずれか１つからな
る薄膜層と，前記薄膜層上に配置され，かつ磁化方向が実質的に固着された第２の磁性層
と，を具備する。薄膜層が外部磁場を検知することで，磁気抵抗効果素子の磁気抵抗が変
化する。 （もっと読む）

【課題】スペーサ層上に形成されるホイスラー合金からなる層の厚さを厚くせず、アニール処理の温度を高くする必要がなく、かつ良好なＭＲ特性が得られる磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁化方向が固定されたピンド層４３と、非磁性のスペーサ層４４と、磁化方向が外部磁界に応じて変化するフリー層４５とが、スペーサ層４４がピンド層４３とフリー層４５との間に位置するように積層された磁気抵抗効果素子４において、フリー層４５とピンド層のインナー層４３ｃとはホイスラー合金、例えばＣｏ５０Ｍｎ_yＳｉ_(50-y)からなる膜を含み、スペーサ層４４はＣｕ_(100-x)Ｚｎ_x合金からなる。スペーサ層４４のＺｎの濃度ｘは０ａｔ．％＜ｘ≦７０ａｔ．％であり、スペーサ層４４の厚さは０．９ｎｍ以上４ｎｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】下部シールド層と基板との間の絶縁性を維持しつつ、放熱性に優れた薄膜磁気ヘッドを得ることができる薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供すること。
【解決手段】上部シールド層及下部シールド層間に磁気抵抗効果素子を有し、下部シールド層２２が第１絶縁層２１に埋め込まれた構造を基板上に有する薄膜磁気ヘッドにおいて、第１絶縁層２１を有する基板２０の第１絶縁層側から第１絶縁層を貫通して基板に至る凹部２１ｃを形成し、凹部２１ｃにおいて基板２０との間の絶縁用の第２絶縁層２１−３を形成し、凹部２１ｃに下部シールド層２２を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤ破壊を抑制すると共に記録ヘッドによるノイズ等からＣＰＰ型再生ヘッドを十分に保護することのできる構造を備えた磁気ヘッドデバイスを提供する。
【解決手段】この磁気ヘッドデバイスは、接地された基体２０と積層膜パターン１２Ａとの間に短絡機構３を設け、記録ヘッドにおける磁極層１８、下部シールド層１０および上部シールド層８の各々と基体２０とを電気的に接続し、かつ、それら相互間のキャパシタンスＣ２８〜Ｃ３０が全て等しくなるように調整したものである。これにより、製造時や使用時に発生して積層膜パターン１２Ａや磁極層１８、下部シールド層１０、上部シールド層８などに蓄積された静電荷を徐々に放出させることができ、結果としてＥＳＤ破壊を抑制することができる。その上、記録ヘッドによって生ずるノイズおよびクロストークによる積層膜パターン１２Ａの動作への影響も防止することができる。 （もっと読む）

【課題】積層面に垂直な方向に電流を流して出力を取り出すＭＲ読出しヘッド素子を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、書込みヘッド素子から読出しヘッド素子へのクロストークを防止可能とする。
【解決手段】下部電極を兼用する下部シールド層及び上部電極を兼用する上部シールド層と、下部シールド層及び上部シールド層間に形成されており積層面に垂直な方向に電流を流して出力を取り出すＭＲ積層体とを有する読出しヘッド素子と、読出しヘッド素子上に積層された下部磁極層と、下部磁極層に磁気ギャップ層を挟んで対向する上部磁極層とを有する書込みヘッド素子と、下部磁極層及び上部磁極層のうちの読出しヘッド素子に近い側の磁極層にガード電位を供給するガード電位供給手段とを備えている。 （もっと読む）