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Fターム[5D091DD07]の内容

磁気記録再生 (3,409) | 再生方法 (263) | 磁気抵抗効果を利用するもの (194) | バイアスの制御に関するもの (4)

Fターム[5D091DD07]に分類される特許

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【課題】磁性膜の磁気情報値を高い確率で読み出すことができる記憶装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】電磁コイル53に第1電流値の電流が供給される。磁区制御膜35、35の間では磁気抵抗効果膜34に所定の強度のバイアス磁界が作用する。このとき、記憶媒体14上の磁性膜65の特定域で磁気情報値の識別に失敗すると、電磁コイル53に第1電流値よりも小さい第2電流値の電流が供給される。バイアス磁界は減少する。その結果、磁気抵抗効果膜34では磁化の向きが変化しやすくなる。再生信号の出力の感度は高まる。こうして、劣化した磁気情報値を有する特定域の磁性膜65から磁気情報値の識別に成功することができる。こうした記憶装置11では磁気情報値は高い確率で読み出されることができる。 (もっと読む)


【課題】MRヘッドの規制電圧範囲を可及的に低減してMRヘッドを保護すること。
【解決手段】MRヘッドを用いて磁気記録媒体に記録されたデータを再生する磁気再生回路であって、MRヘッドにバイアス電流を供給するバイアス電流供給回路と、このバイアス電流供給回路によるバイアス電流の供給開始タイミング及び供給停止タイミングで、MRヘッドにかかる電圧を所定範囲内に規制する電圧規制回路とを備えた。 (もっと読む)


【課題】再生動作の開始時・停止時における高電圧印加によるMRヘッドの破壊を安定的に防止する。
【解決手段】装置本体側からの交流電源電圧は、ロータリートランスを介して、回転ドラム上に設けられた整流・定電圧回路35に供給される。整流・定電圧回路35は、供給された交流電源電圧を基に、再生ヘッド24のMR素子に対してセンス電流およびバイアス電流を供給するための回路を備え、そのような回路として、供給された交流電源電圧を整流し、接地電位を基準としたプラス側およびマイナス側にそれぞれ接続されたコンデンサC11およびC12の容量が同一とされた整流回路と、整流された電源電圧を基に、プラス側およびマイナス側に対してそれぞれ絶対値の等しい電圧を発生するレギュレータ351および352とが、回転ドラム上のIC39とは別に専用に設けられている。 (もっと読む)


【課題】磁気ヘッドの出力は磁気ディスクの環境温度に依存して変化し、特に低温条件では主に磁気記録媒体の保磁力増加によりヘッド出力が大きく減少し、エラーレートが悪化する。
【解決手段】磁気ディスク装置のセンス電流最適化処理は、環境温度を測定する段階(S101,S102)と、磁気ヘッド23の信頼性の観点から設定されたセンス電流値を上限として、その温度にて最も良好なエラーレート(BER)を示すセンス電流Isを探索する段階(S103〜S108)とを含む。磁気ディスク装置内部にてセンス電流Isの値を変化させながらエラーレートを測定し、最もエラーレート特性が良好になるセンス電流Is_optを選択して新しい設定値とする(S110)。 (もっと読む)


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