Fターム[5D112FB07]の内容
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Fターム[5D112FB07]に分類される特許
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磁場透過率の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材
【課題】本発明の主要な目的は、簡易な溶解鋳造法により製造する漏洩磁束の高いコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材を提供することである。
【解決手段】本発明のコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材は溶解鋳造法によって製造され、コバルト、鉄、及び添加金属からなるものにおいて、このコバルト鉄合金スパッタリングターゲット材においてコバルトは増加された漏洩磁束(PTF)の含有量があり、添加金属は8〜20at%であり、この添加金属はタンタラム、ジルコニウム、ニオビウム、ハフニウム、アルミニウム、及びクロミウムの金属の少なくとも1つを含む。
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垂直磁気記録媒体及びその製造方法
【課題】垂直記録媒体の高速生産において高い生産安定性を実現するためには、ターゲットに融点の低い組織をもたせないようにするか、その割合を小さくする必要がある。
【解決手段】垂直記録媒体100の構成層のうち、融点の低い元素を有する層を形成する際には、予め660℃より融点の高い金属間化合物を形成した合金粉を用いてターゲットを構成し、熱変形しないようにする。
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磁性薄膜作成用ターゲット、磁気記録媒体およびその製造方法、磁気記録再生装置
【課題】 ターゲットの飽和磁束密度を小さくすることでターゲットの厚みを厚くし、該ターゲットを用いて作成した磁性薄膜を備える磁気記録媒体の生産性の向上すること。
【解決手段】 2種類以上の結晶相を含む磁性薄膜作製用ターゲットであって、前記結晶相のうちの少なくとも1種類の結晶相がFeNi系合金からなり、前記FeNi系合金が、Feの含有量が60at%以上80at%以下、Niの含有量が20at%以上40at%以下のものである磁性薄膜作成用ターゲットとする。
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多層構造膜およびその製造方法
第1下地結晶層(33)は相互に隣接する結晶粒で構成される。第2下地結晶層(34)は、第1下地結晶層(33)よりも大きな膜厚で第1下地結晶層(33)の表面に広がる。第2下地結晶層(34)は、第1下地結晶層(33)の個々の結晶粒から成長する結晶粒で構成される。第1および第2下地結晶層(33、35)では微細で均一な結晶粒が確立される。しかも、第1および第2下地結晶層(33、35)には十分な膜厚が確保されることができる。同様に、第1および第2磁性結晶層(35、36)では微細で均一な結晶粒が確立される。しかも、第1および第2磁性結晶層(35、36)には十分な膜厚が確保されることができる。
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磁気記録媒体、磁気記憶装置及び磁気記録媒体の製造方法
磁気記録媒体は、c軸が基板面に対する垂線からある角度傾斜すると共に記録方向に対して固定されたhcp構造のCo系磁性層を備える。c軸の傾斜は、斜めに蒸着された非磁性他結晶下地層の上にhcp構造のCo合金をエピタキシャル成長することで誘起され、磁気記録媒体は良好な熱安定性を有すると共に、単極型ヘッドを用いて向上されたオーバーライト特性を示す。
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