【課題】キャパシタンスが１ＭＨｚで０．５ｐＦより小さい低キャパシタンス多層チップバリスタを提供すること。
【解決手段】低キャパシタンス多層チップバリスタは、セラミック体と、該セラミック体の２つの端部に配置される外部電極と、その中に配置される内部電極とを備え、該セラミック体は３から５０重量パーセントの無機ガラスと、粒子サイズが０．１μｍを超える５０から９７重量パーセントの半導電性粒子または導電性粒子を備え、無機ガラス膜の層が半導電性粒子または導電性粒子の該表面を覆い、該無機ガラス膜は１ミクロンより小さいサブミクロンまたはナノメートルの半導電性粒子または導電性粒子を含有し、半導電性粒子または導電性粒子の含有量は無機ガラスの含有量の２０重量パーセント未満である。 （もっと読む）

【課題】過電圧保護素子の材料と構造を提供する。
【解決手段】この材料は、Ｐ型半導体粉末又はＮ型半導体粉末と、粘着剤とを含む。この過電圧保護素子は、第一の電極と、第二の電極と、この第一の電極とこの第二の電極の間に接続される多孔質マトリクスとを含むように構成される。更にこの過電圧保護素子を製造する方法を提供する。 （もっと読む）

電圧切り換え可能な誘電材料の組成は、誘電母体材料内に均一に分散する2種類以上の異なる半導体材料を有する。前記半導体材料は、生成された電圧切り換え可能な誘電材料に様々な過電圧のレベルに対するステップ応答を供するため、それぞれ異なるバンドギャップエネルギーを有するように選ばれる。前記半導体材料は、無機の粒子、有機の粒子、又は前記誘電母体材料内で可溶であるか、又は該誘電母体材料と混和可能な有機材料を有して良い。組成はまた任意で電気伝導性材料をも有して良い。組成中での前記伝導性材料又は前記半導体材料のうちの少なくとも1つはアスペクト比が少なくとも3以上であることを特徴とする粒子を有して良い。
（もっと読む）

【課題】 過電圧状態について多くの利点をもたらすことが可能である過電圧保護装置を提供する。
【解決手段】 第１及び第２の導電性電極部材１２０，１３０と、バリスタ材料から形成され、前記第１及び第２の導電性電極部材の各々に電気的に接続されるバリスタ部材１１０と、導電性の可溶部材１８０とを備えている過電圧保護装置１００であって、可溶部材は、保護装置内の熱に反応して溶融し、可溶部材を介して第１及び第２の導電性電極部材間に電流流路を形成している過電圧保護装置。 （もっと読む）