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Fターム[5E049DB10]の内容

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Fターム[5E049DB10]に分類される特許

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【課題】新しいスピン機能素子への展開が可能な、省電力で動作可能な新しい磁化配向制御方法の基本要素技術を提供する。
【解決手段】単結晶強誘電体層上に、強磁性体層をエピタキシャル成長させたヘテロ構造体を準備し、強誘電体層に電圧を印加して強誘電体層と強磁性体層との接合界面に生じる歪みによって、強磁性体の磁気異方性を変化させる、磁気異方性制御方法。 (もっと読む)


【課題】産業上の有用性が高い軽元素磁性材料を配向制御させることによる磁性材料の積層体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、電池電極、キャパシタ電極、燃料電池電極、太陽光発電電極などの産業分野において好適に用いられる、炭素や窒素、シリコン、ホウ素、酸素、アルミニウム、リン、イオウなどの軽い元素からなる磁性材料、たとえば磁性グラフェンや磁性グラファイトに外部磁界を印加することにより、分子および粒子の配置方向を制御し、前記材料を3次元的に積層させることを特徴とする磁性材料の積層体の製造方法である。 (もっと読む)


【課題】スピン分極率の高いフルホイスラー合金と反強磁性結合を形成する磁性体を含む、TMR比が高い磁気抵抗効果素子を用いたスピンMOS電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体基板10上に形成されたフルホイスラー合金層13と、フルホイスラー合金層13上に形成された、面心立方格子構造を有する強磁性体層14と、強磁性体層14上に形成された非磁性層15と、非磁性層15上に形成された強磁性体層16とを含む構造をソース及びドレインのうち少なくとも一つに備える。非磁性層15を介して形成された強磁性層14と強磁性層16との間には反強磁性結合が形成されている。 (もっと読む)


【課題】 優れた軟磁性特性を有することにより薄膜磁気ヘッド等に有効に使用することができる軟磁性膜、またこの軟磁性膜を用いた薄膜磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】 書き込みギャップ層37を挟んで配置される下部磁極34と上部磁極35とを備える薄膜磁気ヘッド32において、前記書き込みギャップ層37に、強磁性元素を含む磁性下地層38と、強磁性層35aと、上部磁極35が積層して形成されていることを特徴とする。 (もっと読む)


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