一次的信号を二次的信号に変換する変換器１は、巻き線を有する基板１１−１４、２１−２３を含む、一次部分および二次部分を備えている。たとえば互いに隣接する基板１１−１４、２１−２３の任意のペアの間に、ゼロよりも大きな距離を導入することにより、変換器１の寄生容量が低減させられ、二次的信号は、１ｋＶ／μｓｅｃよりも大きな立上り時間を有する、比較的高速／高電圧のパルスを含むものとされ得る。近接効果およびその結果としての損失を減らすため、一次および二次基板１１−１４、２１−２３を、インターリーブされた態様で重ねることができる。かかるサンドイッチ構造は、漏れインダクタンスを低減させる。１つの特定の方向において容量損失をさらに減らすために、連続する一次基板１１−１４、２１−２３間の距離、および一次基板ならびに二次基板１１−１４、２１−２３の連続する組の間の距離が、その特定の方向に沿って増大させられる。比較的近接した基板１１−１４、２１−２３の間には比較的低い電位差が存在し、互いに比較的離れた基板１１−１４、２１−２３の間には比較的高い電位差が存在し得る。
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