本明細書に記載の実施形態は通常、エネルギー蓄積デバイス内で使用される電極構造を形成する方法および装置に関する。より詳細には、本明細書に記載の実施形態は、エネルギー蓄積デバイス向けの高容量電極構造を形成する際に使用されるナノ材料を特性化する方法および装置に関する。一実施形態では、エネルギー蓄積デバイス向けの電極構造を形成するプロセスが提供される。このプロセスは、拡散律速堆積プロセスによって第１の電流密度で基板を覆って円柱状の金属構造を堆積させるステップと、円柱状の金属構造の容量を測定して円柱状の金属構造の表面積を決定するステップと、第１の電流密度より大きい第２の電流密度で円柱状の金属構造を覆って３次元の多孔質の金属構造を堆積させるステップとを含む。
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本発明は、複数個のスリットを有するシャドーマスクを備えた一つのマスクセットを用い、シャドーマスクと蒸着ソースとの間の蒸着角の設定により真空蒸着を行う。一旦作り出された真空状態にて、下部端子層、誘電層、内部電極層、及び上部端子層からなる多層薄膜キャパシタを一気に形成する。または、複数個のスリットを有するシャドーマスクをそれぞれ備え、互いに向き合うように設けられた上部及び下部マスクセットの相対的な移動により、スリットパターンを調節し、一旦作り出された真空状態にて、下部端子層、誘電層、内部電極層、及び上部端子層からなる多層薄膜キャパシタを一気に形成する。
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【課題】 マイクロストリップ線路の線路幅の狭小化を行なったとしても、導体損失が増加しないようにする。
【解決手段】 半絶縁性ＧａＡｓからなる基板１１上には、接地電極１２と、厚さが約０．５μｍのチタン酸ストロンチウムからなる誘電体層１３と、線状導体層１４とにより構成されるマイクロストリップ線路が形成されている。線状導体層１４は、幅が約０．５μｍの狭小部１４ａと、幅が約５μｍの幅広部１４ｂとにより構成されている。この線状導体層１４は、異なる材料からなる積層体であって、基板１１側から順次形成された、厚さが約０．１μｍの窒化タングステンシリコンからなる第１層１５と、厚さが約０．０５μｍのＴｉと厚さが約０．５μｍのＡｕとの積層体からなる第２層１６と、厚さが約３μｍのＡｕからなる第３層１７とから構成されている。 （もっと読む）