【課題】放熱特性に優れ、かつ、冷熱サイクル負荷時において半導体素子に熱応力が作用することを抑制することが可能な絶縁基板、この絶縁基板を用いた絶縁回路基板および半導体装置、並びに、絶縁基板の製造方法及び絶縁回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】金属基複合材料からなる基板本体１１と、この基板本体１１の一方の面に形成された絶縁被膜１５と、を備えた絶縁基板１０であって、基板本体１１の室温から２００℃までの熱膨張係数が１０×１０^−６／℃以下、熱伝導率が１９０Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上、抗折強度が３０ＭＰａ以上に設定されており、絶縁被膜１５は、基板本体１１の一方の面に絶縁性材料からなる粉末を衝突させることによって形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放熱性を高く維持しつつ、回路に短絡や断線が発生することを防ぐことができる回路基板を提供する
【解決手段】金属材料で形成された金属基板１の上に無機材料で形成された無機絶縁膜２を設けると共に無機絶縁膜２の上に回路３を設けて形成される回路基板に関する。金属基板１と無機絶縁膜２との間に、金属基板１と無機絶縁膜２の線膨張係数の差を緩和するための中間膜４を設ける。高い熱伝導率を有する無機絶縁膜２によって、高い放熱性を維持することができると共に、中間膜４によって金属基板１と無機絶縁膜２の線膨張係数の差が緩和され、無機絶縁膜２に熱衝撃でクラックが発生することを防止することができる。 （もっと読む）

【課題】放熱性を大幅に低下させることなく導体回路の密着力を向上させる。
【解決手段】アルマイト皮膜３の表面領域における導体回路５に対応する領域及びその周辺領域に絶縁性の接着層４を形成する。これにより、導体回路５の密着力を向上させることができる。また、接着層４の膜厚は薄く、且つ、部分的に形成されているのみであるので、高い放熱性を保つことができる。 （もっと読む）