【課題】処理ガスの分解効率を上げ、基板に対する処理速度の向上を図る基板処理装置を提供する。
【解決手段】プラズマ発生管６を囲む様に設けられ、少なくとも該プラズマ発生管６の内壁近傍にプラズマ生成領域１２を生成するプラズマ発生手段９，１１と、前記プラズマ発生管６の上流側から処理ガスを供給するガス供給手段１６と、前記プラズマ発生管６の下流側に隣設され、プラズマ化された処理ガスによって基板３を処理する処理室４と、前記ガス供給手段１６と前記プラズマ生成領域１２上端の間に設けられ、前記プラズマ発生管の内壁近傍の処理ガス密度が濃くなる様処理ガスの流れを整える整流板１７と、前記処理管から処理ガスを排気する排気手段２８とを具備する。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、高い選択比が得られる方法の提供。
【解決手段】ドライエッチングによる樹脂膜のパターン形成方法において、レジストとしてノボラック樹脂を用い、エッチングガスとしてハロゲン系ガスを用い、かつ、樹脂膜が含フッ素芳香族系樹脂を含む樹脂膜であることを特徴とするパターン形成方法。特にドライエッチングの圧力範囲が、１〜１００Ｐａであることが好ましい。また前記含フッ素芳香族系樹脂が、フッ素原子が芳香環に直接結合した分子構造を有する含フッ素ポリマーを含むことが好ましい。 （もっと読む）