【課題】 装置の大型化を招くことがなく、被処理物の全面に亘って均一に垂直磁場が印加されるようにした簡単な構造のＲＩＥ装置を提供する。
【解決手段】 処理室２内で被処理物の保持を可能とするステージ８と、処理室内でステージに対向配置されたガス導入部３を有するガス導入手段とを備え、真空雰囲気にて処理室内にエッチングガスを導入してプラズマ化すると共に、ステージに高周波電位を印加し、プラズマ中のイオン種やラジカルを前記基板ステージで保持された被処理物Ｓに加速して衝突させ、被処理物をエッチングする反応性イオンエッチング装置であって、ステージで保持された被処理基板に対して垂直磁場を印加する磁場発生手段を設けたものにおいて、磁場発生手段は、処理室内で相互に向かい合う面の極性を変えて対向配置した一対の磁石９ａ、９ｂから構成される。 （もっと読む）

【課題】 化合物膜の対レジスト選択比を向上せしめると共に、レジストダメージを低減させることができるエッチング装置及びエッチング方法の提供。
【解決手段】 対向電極１４のプラズマ発生部２側にシリコンプレート１６を設け、対向電極１４に接続されたプラズマ発生用高周波アンテナコイル８とこのコイル用の高周波電源９との間の給電路途中に分岐コンデンサー１７を設け、この分岐コンデンサーの静電容量を所定の範囲に設定し、シリコンプレート１６に対して所定の電圧を印加せしめることができるように構成する。この装置を用いてエッチングを行う。 （もっと読む）