【課題】 放熱性が良好で、製造コストが低く、微細加工に好適なデュアルダマシンによる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に無機層間膜５、有機層間膜６、シリコン酸化膜からなる下部マスク７、シリコン窒化膜からなる上部マスク８を形成し、上部マスク８上にシリコン酸化窒化膜からなり膜厚が２０乃至１００ｎｍであるカバーマスク１０を形成する。そして、反射防止膜１１及びレジスト膜１２を形成する。次に、レジスト膜１２をマスクとして、反射防止膜１１、カバーマスク１０、下部マスク７をエッチングする。そして、カバーマスク１０をマスクとして、有機層間膜６及び無機層間膜５をエッチングしてビアホールを形成する。次に、上部マスク８をマスクとして有機層間膜６をエッチングして配線溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れることのない電極板を有するプラズマ装置を提供する。
【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】 欠陥のないエピタキシャル膜を形成する
【解決手段】 異物除去処理を有し、ドライエッチング処理を行って形成した開口部５内の単結晶シリコン基板１に、ＳｉＧｅエピタキシャルベース７を成長させる半導体装置の製造方法である。異物除去処理は、前記ドライエッチング処理後からＳｉＧｅエピタキシャルベース７の成長までの間に、被成長基板を酸素雰囲気中において、熱処理を行い、ドライエッチング処理によって、シリコン酸化膜２に堆積した炭素系付着物１０を、シリコン酸化膜２から完全に除去し、これによって、欠陥のないエピタキシャル膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続孔７底部に露出する、下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理や逆スパッタリングにより清浄化するに際し、プラズマ生成電力を漸次増加させ、所定値に達した段階で基板バイアスを印加する。 （もっと読む）