【課題】現在、半導体集積回路で使用されているバイポーラトランジスタとＭＯＳトランジスタは最初に発明された時よりその構造は変わっておりません。構造と原理を根本的に見直し、高速化・低消費電力化・微細化を進展させる。
【解決手段】サブミクロンスケールの微細加工技術を用い、新しい原理と構造のトランジスタによる半導体集積回路を形成する。 （もっと読む）

【課題】ワイドギャップバイポーラ半導体素子を高信頼性かつ低損失で駆動でき、可制御電流を大きくできる電力変換装置を提供する。
【解決手段】この電力変換装置では、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の稼動に先立ち、温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１のゲート１３に信号を印可してオンさせ、電源１４ → アノード端子２ → ゲート端子４ → 抵抗１２ → 温度上昇用ｎ型ＭＯＳＦＥＴ１１ → 電源１４の経路で温度上昇用電流(加熱電流)として約４０Ａの電流を流す。上記温度上昇用電流により、ＳｉＣ−ＧＴＯサイリスタ１の温度を上昇させる。これにより、サイリスタ１の稼動により積層欠陥が増大したとしても、オン電圧の増大や最小ゲート点弧電流の増大、ターンオン時間の増大およびオフ時の電流の不均衡の増大などの劣化現象を抑制できる。 （もっと読む）