【課題】単結晶シリコンセグメントを熱処理することによって、少数キャリア再結合中心の所望のプロファイルを有するセグメント、並びにそのようなセグメントを製造する方法の提供。
【解決手段】セグメントは前表面と、後表面と、前表面と後表面の間にある中央平面を有する。本発明の方法では、セグメントは結晶格子空孔を形成するために熱処理に付され、空孔はシリコンのバルクに形成される。セグメントはその後、中央平面にあるいは中央平面の近くにピーク密度があり、濃度がセグメントの前表面の方向にほぼ減少していく空孔濃度プロファイルを有するセグメントを製造するために、前表面に拡散する結晶格子空孔のすべてではないが、いくつかを許容する速度で熱処理の温度から冷却される。白金原子はその後に、結果的に生じる白金濃度プロファイルが実質的に結晶格子空孔の濃度プロファイルに関連するようにシリコンマトリックスのなかに内方拡散される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極からのバイアス効果を大きくするとともに、オンからオフへのスイッチング速度を高速化することを可能とする。
【解決手段】第１伝導型の第１領域（第１ｐ型領域ｐ１）と、前記第１伝導型とは逆伝導の第２伝導型の第２領域（第１ｎ型領域ｎ１）と、第１伝導型の第３領域（第２ｐ型領域ｐ２）と、第２伝導型の第４領域（第２ｎ型領域ｎ２）とが順に接合されたサイリスタ２と、前記第３領域に形成されたゲート電極１３と、前記第３領域が形成されるもので前記バルク半導体基板１０に形成された第２伝導型のウエル領域１１とを有する半導体装置１であって、前記サイリスタ２の第１領域側に第１電圧が印加され、前記サイリスタ２の第４領域側に前記第１電圧よりも高い第２電圧が印加され、前記ウエル領域１１に前記第１電圧よりも高い電圧もしくは前記第１電圧と同等の電圧が印加されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐｎｐｎ接合のサイリスタ構成を有する半導体装置において、同一伝導型に挟まれた異伝導型の領域中に再結合中心となる領域を形成して少数キャリアを再結合させることで、ライフタイムを短くし、ｏｎからｏｆｆへのスイッチング速度の高速化を図る。
【解決手段】第１伝導型（ｎ型）の第１領域（第１ｐ型領域）ｐ１と、第２伝導型（ｐ型）の第２領域（第１ｎ型領域）ｎ１と、第１伝導型の第３領域（第２ｐ型領域）ｐ２と、第２伝導型の第４領域（第２ｎ型領域）ｎ２とが順に接合されてなるサイリスタを有し、第２領域ｎ１および第３領域ｐ２のいずれか一方の領域にゲート絶縁膜１２を介してゲート電極１３が形成されている半導体装置１において、第２領域ｎ１および第３領域ｐ２のうちゲート電極１３が形成されていない領域中にキャリアの再結合中心となる欠陥領域２１が形成されているものである。 （もっと読む）