説明

Fターム[5F033XX33]の内容

半導体集積回路装置の内部配線 (234,551) | 目的、効果 (15,696) | 製造工程の簡略化 (781)

Fターム[5F033XX33]に分類される特許

781 - 781 / 781


【課題】 絶縁層及びヴィア形成において、形成された絶縁層の表面が非常に平滑となり、薄膜素子等を信頼性及び歩留り良く、高い自由度を以って形成でき、さらには微小なヴィア形成が可能である絶縁層及びヴィア(接続孔)の形成方法、及びそれを用いた多層配線基板並びにモジュール基板等の配線構造及びその形成方法を提供する。
【解決手段】 台座20を介してマスク基板21を配置し、この基板21とコア基板1との間に感光性エポキシ樹脂などの感光性絶縁材料3Aを介在させ、これをパターン露光して現像してヴィアホール7を形成する。この現像により、微小なヴィアホール7を形成できると同時に、マスク基板21のコア基板対向面21aによって絶縁材料(従って、絶縁層3)を平坦かつ滑らかな表面に、しかも常に設定された厚みに形成することができる。 (もっと読む)


781 - 781 / 781