【課題】大電力用の半導体素子において、温度上昇分布をより均一にすることである。
【解決手段】電流が大きいために、上部電極層４８の抵抗の場所的分布の影響を受け、上部電極層４８内における複数の接続部５０の平面配置条件に依存して半導体素子の温度上昇分布が定まる大電流用の半導体素子において、パターン２のようにジグザク状に接続部５０を配置するのと、パターン１のように１列に接続部５０を配置するとのでは、温度上昇分布が明らかに異なる。このことはシミュレーションの結果と定性的によい一致を示す。この他に、各ワイヤのそれぞれが、上部電極層４８との間で複数の接続部を形成するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】半導体モジュールに搭載する前のベアチップを保護して取り扱いやすくする。
【解決手段】ベアチップとして、Ｓｉ半導体よりも高効率であり高温動作が可能であるＳｉＣ等の横型構造のワイドバンドギャップ半導体１１を使用し、このワイドバンドギャップ半導体１１の全ての電極を同一の主面に形成する。ワイドバンドギャップ半導体１１の周囲を、ＡｌＮ等のセラミック製の保護部材１７でパッケージングし、ワイドバンドギャップ半導体１１の電極が形成された主面を、ＡｌＮ等のセラミック製の支持部材１３で支持して、ワイドバンドギャップ半導体１１の熱拡散効果を高め、且つ各部材同士の間の熱応力を緩和する。 （もっと読む）